Vol. 31 (2012)

Статті

• Intrinsic and extrinsic point defects and electron-energy characteristics of orthorhombic tin monosulfide

  М. М. Блецкан, К. Є. Глухов, О. О. Грабар

  7-18

  • PDF (Українська)

• The description of structure and symmetry of a phonon spectrum of crystals Tl₃TaS₄ by using the superspace symmetry concept

  О. В. Бокотей, І. І. Небола

  19-22

  • PDF (Українська)

• Temperature and pressure behavior of absorption edge of TlIn(S_0,98Se_0,02)₂ single crystals

  Р. Р. Росул, П. П. Гуранич, О. О. Гомоннай, О. Г. Сливка, О. М. Хмара, О. В. Гомоннай, І. Ю. Роман

  23-28

  • PDF (Українська)

• Photoelectric properties of crystalline and glassy PbGeS₃

  Д. І. Блецкан, В. Н. Кабаций

  29-40

  • PDF (Русский)

• The first principle calculation of phonon spectra of the crystals Sn₂P₂S₆

  В. М. Сабадош, О. І. Чобаль, І. М. Різак, В. М. Різак

  41-48

  • PDF (Українська)

• Impedance and electrical conductivity studies in (Ag₃ AsS₃)_х(As₂S₃)_1-х superionic glasses

  І. П. Студеняк, Ю. Ю. Неймет, А. Ф. Орлюкас, А. Кежоніс, Е. Казакевічюс, Т. Салкус

  49-54

  • PDF (Українська)

• Electronic structure for M₂P₂Se₆ (M = Sn, Mn) type chalcogenides

  В. Ю. Клевець, М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, О. Г. Сливка

  55-62

  • PDF (Українська)

• Anisotropy of dielectric properties of СuInP₂S₆ crystals

  О. В. Шуста, О. Г. Сливка, П. П. Гуранич, В. С. Шуста

  61-64

  • PDF (Українська)

• The phase transitions nature in amorphous As₂S₃ films

  М. Ю. Бобик, В. П. Іваницький, В. С. Ковтуненко, М. М. Рябощук

  65-70

  • PDF (Українська)

• Structural correlation range in (GeS₂)_x(As₂S₃)_1-x glasses

  А. Б. Кондрат, Н. И. Попович, В. М. Мица, Н. Д. Савченко

  71-78

  • PDF (Українська)
  • PDF (Русский)

• As-S vapor mass spectra and their role in formation of amorphous films

  А. В. Далекорей, Ш. Ш. Демеш, В. С. Ковтуненко, Р. О. Мешко

  79-85

  • PDF (Українська)

• Effect of alternating electric field on radiation parameters phosphor emission based on ZnS: Cu

  І. Д. Рубіш, К. О. Попович, О. О. Балог

  86-89

  • PDF (Українська)

• Fractal structures with elements of symmetry of the fifth order, grasping microwave radiation

  І. І. Небола, В. Я. Кіндрат

  90-98

  • PDF (Українська)

• X-ray excited luminescence and Tb³⁺ ion energy levels in glassy and polycrystalline ТbО₂activated lithium tetraborate

  П. П. Пуга, К. П. Попович, П. С. Данилюк, В. Н. Красилинец, Г. Д. Пуга, И. И. Турок, В. Ю. Лоя

  99-110

• On the reaction cross section energy dependence (,’)

  В. С. Бохінюк, В. І. Жаба, О. М. Парла

  111-115

  • PDF (Українська)

• Cross section of the (γ,n) reaction on ¹²⁰ Те nucleus in the giant e1-resonance energy region

  В. М. Мазур, Д. М. Симочко, З. М. Біган, П. С. Деречкей

  116-121

  • PDF (Українська)

• Electron scattering on Si^- ion

  В. Ф. Гедеон

  129-135

  • PDF (Українська)

• Study of emission descriptions of aluminium laser plasma

  Л. В. Месарош, О. К. Шуаібов, М. П. Чучман

  136-139

  • PDF (Українська)

• Development of the algorithm of obtaining the consistent values of radioactive nuclei half-lives

  М. В. Стець, Н. Н. Король, О. М. Поп, В. Т. Маслюк

  122-128

  • PDF (Українська)

• The calculation of electron-impact excitation cross sections from silicon

  Р. Ч. Ковдуш

  140-145

  • PDF (Українська)

• Lamp of the barrier discharge on the mixtures of the inert gases with vapour of heavy water

  Р. В. Грицак, О. К. Шуаібов, О. Й. Миня, З. Т. Гомокі

  146-150

  • PDF (Українська)

• Photoluminescence of glycine under laser irradiation

  М. І. Мигович, В. А. Кельман, Ю. О. Шпеник

  151-155

  • PDF (Українська)

• The resonance structure of electron scattering cross sections on carbon atom

  Л. О. Бандурина, В. Ф. Гедеон

  156-162

  • PDF (Українська)

• On bosonic solutions of the Dirac equation for the free field

  І. Ю. Кривський, Т. М. Заяць, В. М. Симулик, І. Л. Ламер

  163-173

  • PDF (Українська)

• About some consequences from the tangherlini transformations

  С. Ю. Медведєв, І. Ф. Галамба

  174-184

  • PDF (Українська)

• Influence of symmetry on the exchange of one and two electrons in slow collisions of a negative hydrogen ion with a proton

  В. Ю. Лазур, В. В. Поп, О. К. Рейтій, С. І. Мигалина

  185-195

  • PDF (Українська)

• Parametric description of the absolute efficiency of semiconductor detectors for measuring of bulk sample activity

  І. С. Потокі

  196-201

  • PDF (Українська)

• The establishment of the fading signal dependence in a single mode optical fibre of G652 type under the close to operating conditions on the wavelengths of 1310 nm and 1550 nm

  П. В. Маркевич, В. М. Різак

  202-210

  • PDF (Українська)

• The influence of environmental parameters on the characteristics of nanocomposite film structures sol-gel SiO² matrix - bacteriorhodopsin - quantum dots CdSe/ZnS

  І. І. Трикур, І. І. Сакалош, Г. Т. Горват, М. Ю. Січка, С. О. Корпош, Й. П. Шаркань, В. М. Різак

  211-219

  • PDF (Українська)

• Kryvsky Ivan Yuriyovych

  В. М. Симулик

  220-223

  • PDF (Українська)