Природа фазових переходів в аморфних плівках трисульфіду миш’яку
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.65-70Ключові слова:
Електронна мікроскопія, Аморфний стан, ПоліморфізмАнотація
Експериментально визначені кількісні параметри контрастування електронно-цифрових зображень фазових неоднорідностей аморфних плівок As 2 S 3 . Показано, що поточний контраст має дифракційну природу і зусилля відмінності розв'язування електронів різними ділянками зразків як за пружним когерентним, так і за непружним механізмами. Основа утворення такого контрасту полягає у відсутності ближнього та проміжного порядку двох аморфних станів плівок.
Посилання
Голомб Р.М. Коливні спектри стекол As(Ge) xS100-x при варіації енергії збуджуючих фотонів та першопринципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge) nSm: Автореф. дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фіз.-мат. наук / Ужгородський на¬ціональний університет. – Ужгород, 2007. – 17 с.
Radionov A.N., Kalendarev R.J., Shendrik A.N., Zakis Yu.R. Photoinduced paramagnetic states of yellow arsenic // Phys. status solidi. – 1983. – V.A79. – №2. – P.K151-154.
Макаренко В.В., Таланов Н.Д., Астахова Г.В., Соклаков А.И. Рентгенографическое изучение структуры молекулярных группировок, возникающих при полимеризации фосфора // Извес¬тия АН СССР. Неорганические материалы. – 1983. – Т.19, №4. – С. 601-605.
Колинько С.А., Иваницкий В.П., Рубиш И. Д. Определение плотности аморфных пленок системы As – Se // Известия АН СССР. Неорганические материалы. – 1990. – Т.26, №12. – С. 1329 – 1330.
Іваницький В.П., Бобик М.Ю. Методика комп’ютерного мікрофотометрування електронномікроскопічних фотографічних зображень // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – Т.8, №3, C. 589 – 592.
Бобик М.Ю., Боркач Є.І., Іваницький В.П., Сабов В.І. Теорія формування контрасту електронномікроскопічних зображень аморфних речовин складного хімічного складу // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2011.
Стецив Я.И. Новый способ определения нормирующего множите¬ля при электронографических исследованиях структуры аморфных веществ // Кристаллография. – 1973. – Т.18, №2. – C. 257 – 262.
Пилянкевич А.Н., Верещака В.М. Простая формула апроксимации сечений упругого и неупругого рассеяния электронов // Заводская лаборатория, 1983. – 49 10 26-29.
Mkhoyan K.A. Critical role of inelastic interactions in quantitative electron microscopy // Physical review letters. 02/2008; 100(2):025503.
De Neufville J.P., Moss S.C., Ovshins¬ky S.R. Photostructural transformation in amorphous As2S3 and As2Se3 films // J. non-crystalline solids. – 1973. – V.13, №2. – P. 191-203.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
