Власні та домішкові точкові дефекти й електронно-енергетичні характеристики ромбічного моносульфіду олова
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.7-18Ключові слова:
Моносульфід олова, Точкові дефекти, Вакансії, Домішки, Електронна структура, Густина станівАнотація
З використанням методу функціонала електронної густини (DFT) у моделі суперкомірок вивчені енергетичні та електронні стани моносульфіду олова з власними і домішковими точковими дефектами: вакансіями в підґратці олова й домішковими атомами Sb і Bi, які заміщають атом олова («заліковуючи» катіонні вакансії).Посилання
Блецкан Д.И. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе. – Ужгород. ВАТ «Видавництво «Закарпаття»». – 2004. – Т. І. – 292 с.
Reddy K.T.R., Reddy N.K., Miles R.W. Photovoltaic properties of SnS based solar cells // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. – 2006. – V.90, № 18–19. – Р.3041–3046.
Antunez P.D., Buckly J.J., Brutchey R.L. Tin and germanium monochalcogenide IV-VI semiconductor nanocrystals for use in solar cells // Nanoscale. – 2011. – V.3, №.6 – Р. 2399– 2411.
Clemen C., Saldana X.I., Munz P., Bucher E. Photovoltaic properties of some semiconducting layer structures // Phys. Stat. Sol. (a). – 1978. – V.49, №2. – Р. 437–443.
Trbojevic D., Nikolic P. M., Perovic B., Cvekic V. Photovoltaic detectors in SnS produced by Sb+ ion implantation // Appl. Phys. Lett. – 1981. – V. 38, № 5. – P. 362–365.
Блецкан Д.И., Кабаций В.Н., Мадяр Й.Й., Сакал Т.А. Гетеропереходы на основе слоистых полупроводников SnS2 и GeS(Se) – Тезисы докладов четвертой Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии” – Одесса (Украина). – 2003. – С. 276.
Lichalot A., Gromb S. Propriétés electronigues du sulfure d′etain fritte // J.Chim. phys. et. phys. Chim. boil. – 1970. – V.67, №6. – Р.1230–1251.
Курбанова Р.Д., Мовсумзаде А.А., Аллазов М.Р. Система SnS−Sb // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1987. – Т. 23. – № 11. – С. 1796–1798.
Umeda J. Electrical properties of Sb−doned n-type SnSe // J. Phys. Soc. Japan. – 1961. –V. 16. – № 1. – P. 124.
Блецкан М.М. Влияние примеси сурьмы на фотоэлектрические свойства кристаллов SnS // Збірник тез конференції молодих вчених «Лашкарьовські читання». – 2011. – с.77– 79.
Джахангирли З.А. Самосогласованный расчет электронных структур глубоких уровней Sn- и S-вакансий в SnS методом функций Грина. – Ж. Физ. Химии. – 2010. – Т.84, №9. – С.1687–1690.
http://www.pcpm.ucl.ac.be/ABINIT
Gonze X., Beuken J.-M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese G.-M., Sindic L., Verstraete G., Zerah G., Jollet F., Torrent M., Roy A., Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., Allan D.C. First-principle computation of material properties: the ABINIT software project // Comp. Mat. Sci. B. – 2002. – V. 25, № 3. – P. 478– 492. 14. Soler J.M., Artacho E., Gale J.D., García A., Junquera J., Ordejón P., Sánchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V.
№11. – P. 2745–2779.
http://www.icmab.es/siesta-joomla/
Hartwigsen C., Goedecker S., Hutter J. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58, №7. – P. 3641–3662
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
