Моделювання електронної структури складних халькогенідів типу M<sub>2</sub>P<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> (M = Sn, Mn)
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.55-62Ключові слова:
Електронна структура, Теорія сильного зв'язку, Ширина забороненої зони, Поріг фотоемісії, Sn2P2Se6, Mn2P2Se6Анотація
У межах підходу, поєднуючого метод лінійної комбінації атомних орбіталей та метод псевдопотенціалу, виконано розрахунок енергетичних зон сполук Sn2P2Se6 та Mn2P2Se6. Енергетичні положення верхньої межі валентної зони визначені з урахуванням спін-орбітальної взаємодії, внутрішньоатомного кулонівського відштовхування, полярності хімічного зв'язку та впливу pd зв'язку. Використано наближення, яке припускає, що електронні стани бінарних комплексів визначають енергетичне положення електронних станів у валентній зоні та в зоні провідності відповідних потрійних сполук. Визначені ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, енергетичні положення максимумів густини станів у зоні провідності та у валентній зоні відносно її верхньої межі.
Посилання
Harrison W.A., Elementary Electronic Structure. New Jersey, London, Singapore: World Scientific Publishing Co. (2004). – 838 p.
Harrison W.A. Theoretical Alchemy. Modelling Matter. – New Jersey, London, Singapore: World Scientific Publishing Co., 2010. – 196 p.
Savchenko N.D., Kondrat A.B., Shchurova T.N., Dovgoshey N.I. Bands splitting in heterojunctions chalcogenide film – crystalline semiconductor // Proc. Ukr. Vac. Soc 8th Int. Symp. Thin Films in Electronics / eds. V.G. Cherepin, V.M. Shulayev. – Kharkiv, 1997. – P. 262–265.
Shchurova T., Savchenko N., Spesivykh A., Baran N. Spectral Distribution of Photoemission Quantum Efficiency for Geх (As2Se3)1-х Glasses // Jap. J. Appl. Phys. – 2000. – Vol. 39(Suppl. 39-1). P. 334 335.
Savchenko N.D., Shchurova T.N., Popovych K.O. Rubish I.D., Leising G. Simulation of electronic states in the band gap of ZnS: Cu, Cl crystallophosphors // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2004 – Vol. 7 (2). – P. 133–137.
Shchurova T. Savchenko N., Rubish V.M., Rubish V.V., Spesivykh A., Opachko I. Electrical and optical properties of SbхS1-х alloys // J. Optoelectron. and Adv. Mater. – 2005. – Vol. 7(4). – P. 2021–2027.
Savchenko N.D., Shchurova T.N. Kondrat A.B., Opachko I.I. Auger analysis and simulation of electronic states for Ge33As12Se55 p-Si heterojunction // Surface and Interface Analysis. – 2006. – Vol. 38. – P. 448–451.
Shchurova T., Savchenko N., Kondrat A. et al. Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors // Photoelectronics. – 2008. – Vol. 17. – P. 104–107.
Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. d-band excitations in II-VI semiconductors: a broken symmetry approach to the core hole // Phys. Rev. B. – 1995. – Vol. 52. – P. 13975-13982.
Lefebvre I., Szymanski M.A., Olivier-Fourcade J., Jumas J.C. Electronic structure of tin monochalcogenides from SnO to SnTe // Phys. Rev. B. – 1998. – Vol. 58 (4). – P. 1896–1906.
Kemeny P.C., Azoulay J., Cardona M., Ley L. Photoelectron spectra of GeS, GeSe, SnS and SnSe and their relation to structural trends and phase transitions with¬in the average-valence <5> compounds // Nuovo Cimento. B. – 1977. – Vol. 39 (2). – P. 709–714.
Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. – Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1983. – 344 с.
Берча Д.М., Грабар А.А., Хархалис Л.Ю., Митин О.Б., Берча А.И. Зонный спектр и модель праструктуры кристалла Sn2P2Se6 // ФТТ. – 1997. – Т. 39 (7). – P. 1219–1222.
Caracas R.; Gonze X. First-principles study of Sn2P2Se6 ferroelectrics // Phys. Rev. B. – 2002. – Vol. 66(10). – P. 104106.
Glukhov K., Fedyo K., Vysochanskii Yu. Electronic structure and phase transition in ferroelectic Sn2P2S6 crystal // Cond. Matt. Matrl. Sci. – 2012. – Vol. 1108(2). – P. 2390–2404.
Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Шуста B.C. Гуранич П.П. Влияние изоморфного замещения и внешнего давления на фундаментальное поглощение света кристаллами Sn(Pb) 2P2S(Se) 6 // Изв. вузов СССР. Серия: Физика. – 1999. –№9. – С. 23–28.
Grasso V., Silipigni L. Optical absorption and reflectivity study of the layered MnPSe3 seleniophosphate // JOSA B. –1999. – Vol. 16 (1). – P. 132–136.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
