Фотоелектричні властивості кристалічного і склоподібного PbGeS<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.29-40Ключові слова:
Тогерманат свинцю, Фотопровідність, Кристал, СтеклоАнотація
Проведено комплексне дослідження стаціонарних характеристик фотопровідності (спектральний розподіл фотопровідності (ФП), люкс-амперні характеристики (ЛАХ), температурні залежності темнової і фотопровідності) і термостимульованого струму (ТСТ) кристалічного й склоподібного PbGeS3. Встановлено, що залежно від швидкості вирощування кристалів у спектрах ФП, крім власного максимуму спостерігається один або два домішкових. Для склоподібного тіогерманату свинцю в спектрах ФП в області довжин хвиль 0,4-1,0 мкм виявлений гістерезис при зміні напрямку розгортки довжин хвиль падаючого на зразок світла, обумовлений явищем індукованої домішкової провідності. На температурних залежностях фотопровідності спостерігається активація ФП, викликана термічним спустошенням рівнів прилипання.
Посилання
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. К.Д. Цендин Санкт-Перербург 1996. – 486 с.
Блецкан Д.И., Полажинец Н.В., Чепур Д.В. Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного GeSe2 // ФТП. – 1984. – Т.18, № 2. – С. 223–228.
Блецкан Д.И., Кролевец Н.М., Сичка М.Ю. Излучательная рекомбинация стекол GeSeх // ФТП. – 1976. – Т.10, №10. – С.1817–1820.
Васильев В.А., Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В., Механизм излучательной рекомбинации в стеклообразном и монокристаллическом GeSe2 // ФТП. – 1989. – Т.24, №6. – С. 1769–1775.
Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors // Adv. Phys. – 1976. – V.25, №4. – Р.397–453.
Higashi G.S., Kastner M. Excitationenergy dependence of the photoluminescence total-light decay in arsenic chalcogenides Phil. Mag. B.– 1983. –V.47, №1. – Р.83–98.
Depinna S.P., Cavennelt B.C. Exciton and pair recombination in crystalline and amorphous As2Se3 // Phil. Mag. B. 1982 – V. 46, №1. – Р. 71–76.
Кастро Р.А. Исследование состояния примесных атомов железа и олова в стеклообразных Ge28.5Pb15S56.5 и Ge27Pb17Se56 // Изв. Рос. гос. пед. ун. им. А.И. Герцена. – 2006. – Т.6, №15. – С. 43–52.
Барановский С.Д., Бордовский Г.А., Казаков Л.П., Лебедев Э.А., Любин В.М., Савинова Н.А. Биполярная фотопроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge–Pb–S // ФТП. – 1984. – Т.18, № . – С. 1016–1020.
Bordovsky G.A., Kazakova L.P., Lebedev E.A., Lyubin V.M., Savinova N.A. Ge–Pb–S vireous semiconductors with bipolar photoconductivity // J. Non-Crystal. Solids. – 1984. – V.63, № 3. – Р. 415– 418.
Бордовский Г.А., Канычев М.Р., Канычева Т.В. Определение функции плотности состояний в ХСП As2Se3 и Ge2.85Pb15.0S56.5 методами емкостной спектроскопии. // Электрон. процессы в тверд. теле. Ленингр. гос. пед. ин-т. – Л., 1990. – С. 5–11.
Бордовский Г.А., Любин В.М., Савинова Н.А., Светицкая В.А. Фото- и рентгенопроводимость в тонких пленках ХСП системы Ge–Pb–S // Стеклообразные полупроводники. Ленинград. – 1985. – С. 99–100.
Ribes M., Olivier-Fourcade J., Philippot E., Maurin M., Structure cristalline d'un thiogermanate de plomb á chaïnes infinies (PbGeS3)n // Acta Crystalogr. B. – 1974. – V.30, №6. – Р.1391–1395.
Sejkora J., Berlepsch P., Makovicky E., Balić-Zunić T. Natural SnGeS3 from Radvanice near Trutnov (Czech Republic): its description, crystal structure refinement and solid solution with PbGeS3 // European Journal of Mineralogy. – 2001. – V 13, 4. – P. 791–800.
Bletskan D.I., Kabacij V.N., Sakal T.A., Stefanovych V.A. Structure and vibrational spectra of MIIAIVB3VI-type crystalline and glassy semiconductors // J. NonCryst. Solids, 2003. – V. 326–327. – Р.77–82
Popovič Z.V. Infrared and Raman Spectra of PbGeS3 // Physica В. – 1983. – V.119, №3. – P. 283–289.
Попович З.В. Колебательные свойства монокристаллического PbGeS3 // ФТТ. – 1986. – Т.28, №2. – Р.344–351.
Alpen U.V., Fenner J., Gmelin E. Semiconductors of type MeIIMeIVS3 // Mat. Res. Bull. – 1975. – V.10, № 3. – рр. 175–180.
Bletskan D.I., Kabacij V.N., Studenyak I.P., Frolova V.V. Edge absorption spectra of crystalline and glassy PbGeS3 // Optics and Spectroscopy. – 2007. – V.103, №5. – Р.772–776.
Патент Украины № 95127 Объемное оптическое покрытие и устройство для его нанесения Блецкан Д.И., Кабаций В.Н. Опуб. 11.07.2011, Бюл. № 13. 2011 р.
Бекичева Л.И., Бордовский Г.А., Каничев М.Р., Савинова Н.А., Степанов В.В. Влияние глубоких уровней прилипания на характеристики двухслойного электрофотографического носителя информации // Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. – 1987. – Т.32, №2. – С. 123–128.
Owen A.E. Electron transport in chalcogenide glasses // Energy transfer in glasses. – 1984. – P. 243–278.
Власенко А.И., Власенко З.К., Любченко А.В. Спектральные характеристики фотопроводимости полупроводников с экспоненциальным краем фундаментального поглощения // ФТП. – 1999. – Т. 33, № 11. – С. 1295–1299.
Bube R. H. Photoconductivity of solids . – Wiley, New York, 1960. – 461 p.
Ryvkin S. M. Photoelectric Phenomena in Semiconductors. – Moscow, Fizmatgiz. – 1963. – 496 p.
Mataré H. F., Cho K. S. Field dependence of photoresponse in germanium bicrystals // J. Appl. Phys. – 1965. – V. 36, № 11 – Р. 3427–3431.
Schröter W., Kronewitz J., Gnauert U., Riedel F., and Seibt M. Bandlike and localized states at extended defects in silicon // Phys. Rev. B.– 1995. – V. 52, № 19. – Р. 13726–13729.
Бордовский Г.А., Каничев М.Р., Любин В.М. Особенности процесов релаксации поверхностного потенциала и термостимулированных являений в биполярных стеклообразных полупроводниках системы Ge–Pb–S // ФТП. – 1986. – Т.20, №9. – С. 1613–1616.
Bletskan D.I., Kabatsiy V.N., Frolova V.V. Peculiarities of the absorption edge and photoconductivity spectra of (GeS2)x (Bi2S3)1-x glasses // Chalcogenide Letters. – 2007. – V. 4, No. 10. – Р. 119– 126.
Лашкарев В. Е., Любченко А.В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. – К.: Наукова думка, 1981. – 263 с.
Garlick G.F.J., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulfide and silicate phosphors // Proc. Phys. Soc. – 1948. – V. 60, – P. 574–590.
Hoogenstraaten W. Electron traps in ZnS phosphorus // Phillips. Res. Rep. – 1958. – V. 13, – P. 515–693.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
