Анізотропія діелектричних властивостей кристалів СuInP<sub>2</sub>S<sub>6</sub>

Автор(и)

  • О. В. Шуста Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • П. П. Гуранич Ужгородський національний університет, Україна
  • В. С. Шуста Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.61-64

Ключові слова:

Cегнетиелектрик, Дипольне скло, Анізотропія, Діелектрична проникність, Гідростатичний тиск

Анотація

Досліджені діелектричні властивості кристалів СuInP2S6 в різних кристалографічних напрямках. Показано, що аномалії діелектричних властивостей при фазовому переході та низькотемпературній релаксаційній області проявляються в усіх трьох кристалографічних напрямках.

Посилання

Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar СuInP2S6 // Phys. Rev. - 1997. – Vol.56, №9. – Р. 10860-10868.

Simon A., Raves I., Maisonneuve V., Payen C., Cajipe V.B. Paraelectric-ferroelectric transition in the lamellar thiophosphate СuInP2S6

// Chem. Mater. – 1994. – Vol. 6, № 9. – P. 1575 -1580.

Vysochanskii Yu.M., Molnar A.A., Gurzan M.I. and Cajipe V.B. Phase transitions in CuInP2 (SeхS1-х)6 layered crystals // Ferroelectrics. – 2001. – Vol. 257, Р. 147-154.

Shusta V.S., Prits I.P., Guranich P.P., Gerzanich E.I. and Slivka A.G. Dielectric properties of СuInP2S6 crystals under high pressure // Condensed Matter Physics. - 2007. - v.10, №1(49). Р. 91-94.

Guranich P.P., Slivka A.G., Shusta V.S., Gomonnai O.O., Prits I.P. Optical and dielectric properties of СuInP2S6 layered crystals at high hydrostatic pressure // Journal of Physics: Conference Series 121 (2008) Р. 1-4. 022015.

Maior M.M., Motrja S.F., Gurzan M.I., Prits I.P., Vysochanskii Yu.M. Dipole Glassy State in Layered Mixed Crystals of Cu(In,Cr)P2 (S,Se) 6 System // Ferroelectrics. - 2008. - V. 376. - P. 9-16.

Samara G.A. Glasslike behavior and Novel pressure effects in KTa1-хNbхO3 // Physical Review Letters. – 1984. – Vol. 53, №3. – Р. 298-301.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-06-30

Номер

Розділ

Статті