Анізотропія діелектричних властивостей кристалів СuInP<sub>2</sub>S<sub>6</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.61-64Ключові слова:
Cегнетиелектрик, Дипольне скло, Анізотропія, Діелектрична проникність, Гідростатичний тискАнотація
Досліджені діелектричні властивості кристалів СuInP2S6 в різних кристалографічних напрямках. Показано, що аномалії діелектричних властивостей при фазовому переході та низькотемпературній релаксаційній області проявляються в усіх трьох кристалографічних напрямках.Посилання
Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar СuInP2S6 // Phys. Rev. - 1997. – Vol.56, №9. – Р. 10860-10868.
Simon A., Raves I., Maisonneuve V., Payen C., Cajipe V.B. Paraelectric-ferroelectric transition in the lamellar thiophosphate СuInP2S6
// Chem. Mater. – 1994. – Vol. 6, № 9. – P. 1575 -1580.
Vysochanskii Yu.M., Molnar A.A., Gurzan M.I. and Cajipe V.B. Phase transitions in CuInP2 (SeхS1-х)6 layered crystals // Ferroelectrics. – 2001. – Vol. 257, Р. 147-154.
Shusta V.S., Prits I.P., Guranich P.P., Gerzanich E.I. and Slivka A.G. Dielectric properties of СuInP2S6 crystals under high pressure // Condensed Matter Physics. - 2007. - v.10, №1(49). Р. 91-94.
Guranich P.P., Slivka A.G., Shusta V.S., Gomonnai O.O., Prits I.P. Optical and dielectric properties of СuInP2S6 layered crystals at high hydrostatic pressure // Journal of Physics: Conference Series 121 (2008) Р. 1-4. 022015.
Maior M.M., Motrja S.F., Gurzan M.I., Prits I.P., Vysochanskii Yu.M. Dipole Glassy State in Layered Mixed Crystals of Cu(In,Cr)P2 (S,Se) 6 System // Ferroelectrics. - 2008. - V. 376. - P. 9-16.
Samara G.A. Glasslike behavior and Novel pressure effects in KTa1-хNbхO3 // Physical Review Letters. – 1984. – Vol. 53, №3. – Р. 298-301.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).