Спектри фотопровідності кристалічного і склоподібного SnGeS<sub>3</sub>

Автор(и)

  • Д. І. Блецкан Ужгородський національний університет, Україна
  • В. М. Кабацій Мукачівський державний університет, Україна
  • О. Р. Лук’янчук Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2009.25.54-60

Анотація

Проведено дослідження спектрів фотопровідності (ФП) кристалічного і склоподібного SnGeS3 в діапазоні температур 100–500 К. Показано, що втрата далекого порядку при переході кристал–скло приводить до зсуву краю фундаментального поглинання і власного максимуму в спектрі ФП у довгохвильову область спектра та зникнення анізотропії в спектрах фотопровідності.

Посилання

Блецкан Д. И. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе. – Ужгород: ВАТ «Видавництво «Закарпаття»». – 2004. – Т. І. – 292 с.

Fenner J., Mootz D. Die Kristallstruktur von SnGeS3. Ein neuer Strukturtyr // Naturwissenschaften. – 1974. – Bd.61. – № 3. – S. 127.

Fenner J., Mootz D. Über Sulfide der vierten Hauptgruppe vom Typ AIIBIVS3 und die Kristallstruktur des SnGeS3 // Z. anorg. allg. Chem. – 1976. – Bd. 427. – № 2. – S. 123–130.

Bletskan D. I., Kabacij V. M., Sakal T.A., Stefanovych V.A. Structure and vibrational spectra of -type crystalline and glassy semiconductors // J. Non-Cryst. Solids. – 2003. – V. 326–327. – P. 77–82.

Popović Z. V. Molecular vibrational in Sn(Pb)GeS3 and GeS2 // Phys. Letters. – 1983. – V. 94 A, № 5. – P. 242–246.

Popović Z. V. Optical phonons in SnGeS3- Phys. Rev. B. – 1985. – V.32, № 4. – P. 382–2387.

Inoue K., Stergiou V., Raptis Y., Popović .V. Vibrational Properties of SnGeS3 under High Pressure // J. Phys. Soc. Japan. – 2001. – V. 70, № 7. – P. 168–2174.

Jakšić Z. M. Temprature and pressure dependence of phonon frequencies in GeS2, GeSe2 and SnGeS3 // Phys. Stat. Sol. (b). – 2003. – V. 239, № 1. – P. 131–143.

Alpen U. V., Fenner J., Gmelin E. Semiconductors of the type MeIIMeIVS3 // Mat. Res. Bull. – 1975. – V. 10. – P. 175–180.

Блецкан Д. И., Полажинец Н. В., Чепур Д. В. Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного GeSe2 // Физ. и техн. полупроводни-ков. – 1984. – Т. 18, № 2. – С. 223–228.

Власенко А. И., Власенко З. К., Любченко А. В. Спектральные харак-теристики фотопроводимости полупроводников с экспоненциальным краем фундаментального поглощения // Физ. и техн. полупроводников. – 1999. – Т. 33, вып. 11. – С. 1295–1299.

Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. – М.: ИЛ, 1962. – 560 с.

Гринь В. Ф., Любченко А. В., Сальков Е. А., Шейнкман М. К. Рекомбинация через донорно-акцепторные комплексы в моно-кристаллах CdS // Физ. и техн. полупроводников. – 1975. – Т. 9, № 2. – С. 303–309.

Bletskan D. I., Kabatsij V. M., Frolova V. V. Peculiarities of the absorption edge and photoconductivity spectra of (GeS2)x(Bi2S3)1-x glasses // Chalcogenide Letters. – 2007. – V. 4, № 10. – Р. 119 – 126.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-12-24

Номер

Том 25 (2009)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).