Моделирование комбинированного диода шоттки

Авторы

  • Єгор Миколайович Кісельов Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine

Ключевые слова:

диод Шоттки, ток, управление, напряжение, затвор, концентрация электронов

Аннотация

Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регулирования дополнительной емкости, согласно модели, имеет значение примерно 22% . 

Биография автора

Єгор Миколайович Кісельов, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Кандидат технических наук, доцент

Кафедра физической и биомедицинской электроники

Библиографические ссылки

Mahalingam, S. The graded doped trench MOS barrier Schottky rectifier: A low forward drop high voltage rectifier [Text] / S. Mahalingam, B. J. Baliga // Solid-State Electronics. – 1999. – Vol. 43. – P. 1 – 9. 2. Hsu, W.C.W. A Novel Trench Termination Design for 100-V TMBS Diode Application [Text] / W.C.W. Hsu, C.M. Liu, M.G. Kao et al. // IEEE Electron Device Letters. – 2001. – Vol. 22. – № 11. – P. 551 – 552. 3. Kumar, M.J. Silicon-on-Insulator Lateral Dual Sidewall Schottky (SOI-LDSS) Concept for Improved Rectifier Performance: A Two-Dimensional Simulation Study [Text] / M.J. Kumar, C.L. Reddy // Microelectronics International. – 2006. – Vol. 23. – № 1. – P. 16 – 18. 4. Rusu, A. Gate controlled diode – a new way for electronic circuits [Text] / A. Rusu, C. Bulucea // Proc. Romanian Academy. Series A. – 2009. – Vol. 10. – № 3. – P. 1 – 6. 5. Trench MOS диоды Шоттки [Электронный ресурс] Режим доступа: www.platan.ru/library/Trench_MOS.pdf (accessed 5 December 2013). 6. Kumar, M.J. New Schottky-gate Bipolar Mode Field Effect Transistor (SBMFET): Design and Analysis using Two-dimensional Simulation [Text] / M.J. Kumar, H. Bahl // IEEE Trans. on Electron Devices. – 2006. – Vol. 53. – P. 2364 – 2369. 7. Костенко, В.Л. Комбинированные твердотельные структуры и микроэлектронные сенсоры [Текст] / В.Л. Костенко. – Запорожье: Издательство Зап. гос. инж. ак., 1997. – 109 с. 8. Костенко, В. Л. Измерительные преобразователи на основе комбинированных твердотельных струк-тур [Текст] / В. Л. Костенко, Е. Я. Швец, Е. Н. Киселев, Н. А. Омельчук. – Запорожье: Издательство Зап. гос. инж. ак., 2001. – 175 с. 9. Міхалєевський, Д. Дослідження шумових характеристик біполярного транзистора в області середніх частот [Текст] / Д. Міхалєвський// Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2012. – T. 6, № 11(60). – С. 33-36. – Режим доступу: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6001 10. Еременко, А. Двухмерное приборно-технологическое моделирование. Оптимизация конструкции высоковольтного биполярного npn транзистора [Текст] / А. Еременко, Н. Зайцев, А. Новоселов, И. Романов // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2002. – №4. – С. 58 – 60. 11. Device & Process Simulation: Part №: MPEM – CAD – Simulator – TCAD, Available at: http://www.microport.com.tw/english/SingleP.asp?Category=175&PNo=262&Url=Product&page=1 (accessed 5 December 2013). 12. Mudanai, S. Modeling of direct tunneling current through gate dielectric stacks [Text] / S. Mudanai, Y. Y. Fan, Q. Ouyang et al. // Transaction on Electron Devices. – 2000. – Vol. 47. – № 10. – Р. 1851 – 1857. 1. Mahalinga, S., Baliga B. J. (1999). The graded doped trench MOS barrier Schottky rectifier: A low forward drop high voltage rectifier. Solid-State Electronics, Vol. 43, 1-9. 2. Hsu, W. C. W., Liu, C. M., Kao, M. G. (2001). A Novel Trench Termination Design for 100-V TMBS Diode Application. IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, No.11, 551-552. 3. Kumar, M. J., Reddy, C. L. (2006). Silicon-on-Insulator Lateral Dual Sidewall Schottky (SOI-LDSS) Concept for Improved Rectifier Performance: A Two-Dimensional Simulation Study. Microelectronics International, Vol. 23, No.1, 16-18. 4. Rusu, A., Bulucea, C. (2009). Gate controlled diode – a new way for electronic circuits. Proc. of the Romanian Academy, series A, Vol. 10, № 3, 1-6. 5. Trench MOS diody Schottki (Trench MOS Schottky diode). Available at: www.platan.ru/library/Trench_MOS.pdf (accessed 5 December 2013). 6. Kumar, M. J., Bahl, H. (2006). New Schottky-gate Bipolar Mode Field Effect Transistor (SBMFET): Design and Analysis using Two-dimensional Simulation. IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 53, 2364–2369. 7. Kostenko, V. L. (1997). Kombinirovannye tver-dutelnye struktury i mikroelektonnye sensory. Zaporozhye: Izdatel'stvo: ZSEA, 98 – 109. 8. Kostenko, V. L., Shvets, E. Ya., Kiselev, E. N., Omelchuk, N. A. (2001). Ismeritelnye preobrazovateli na osnove kombinirovannyh tverdotelnyh struktur. Zaporozhye: Izdatel'stvo: ZSEA, 96 – 99. 9. Mikhalevs'kiy, D. (2012). Research of noise characteristics of bipolar transiitor in medium-frequency range. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 6 (11(60)), 33-36. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6001 10. Yeremenko, A., Zaytsev, N., Novoselov, A., Ro-manov, I. (2002) Dvuhmernoe priborno-tehnologicheskoe modelirovanie. Optimizatsia kostruktsii vysokovoltnogo bipolyarnogo npn transistora. Elektronika: Nauka, Tehnologiya, Biznes, № 4, 58–60. 11. Device & Process Simulation: Part №: MPEM – CAD – Simulator – TCAD, Available at: http://www.microport.com.tw/english/SingleP.asp?Category=175&PNo=262&Url=Product&page=1 (accessed 5 December 2013). 12. Mudanai, S., Fan, Y. Y., Ouyang Q. (2000). Modeling of direct tunneling current through gate dielectric stacks. Transaction on Electron Devices, Vol. 47, № 10, 1851-1857.

Загрузки

Опубликован

2015-04-01

Выпуск

Том 16 № 6 (2013)

Раздел

Энергетическое машиностроение

Лицензия

Copyright (c) 2015 Єгор Миколайович Кісельов

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NoDerivatives» («Атрибуция — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в этом  журнале, соглашаются со следующими условиями:

  • Авторы оставляют за собой право на авторство своей работы и передают журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензионного  договора (соглашения).
  • Авторы имеют право заключать самостоятельно дополнительные договора (соглашения) о неэксклюзивном распространении работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном хранилище учреждения или публиковать в составе монографии), при условии сохранения ссылки на первую публикацию работы в этом журнале.
  • Политика журнала позволяет размещение авторами в сети Интернет (например, в хранилищах учреждения или на персональных веб-сайтах) рукописи работы, как до подачи этой рукописи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, поскольку это способствует возникновению продуктивной научной дискуссии и позитивно отражается на оперативности и динамике цитирования опубликованной работы (см. The Effect of Open Access).