Моделювання комбінованого діоду шоттки

Автор(и)

  • Єгор Миколайович Кісельов Запорізька державна інженерна академія пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, 69006, Україна

Ключові слова:

діод Шоттки, струм, керування, напруга, затвор, концентрація електронів

Анотація

Засобами системи TCAD Studio розглянуто статичні і динамічні характеристики двовимірної кінцево – елементної моделі комбінованого діода Шоттки. Показано, що ефективність керування діодом залежить від величини напруги на додатковому електроді - затворі. Встановлено, що ступінь регулювання додаткової ємності, згідно моделі, має значення близько 22%.

Біографія автора

Єгор Миколайович Кісельов, Запорізька державна інженерна академія пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, 69006

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра фізичної та біомедичної електроніки

Посилання

Mahalingam, S. The graded doped trench MOS barrier Schottky rectifier: A low forward drop high voltage rectifier [Text] / S. Mahalingam, B. J. Baliga // Solid-State Electronics. – 1999. – Vol. 43. – P. 1 – 9. 2. Hsu, W.C.W. A Novel Trench Termination Design for 100-V TMBS Diode Application [Text] / W.C.W. Hsu, C.M. Liu, M.G. Kao et al. // IEEE Electron Device Letters. – 2001. – Vol. 22. – № 11. – P. 551 – 552. 3. Kumar, M.J. Silicon-on-Insulator Lateral Dual Sidewall Schottky (SOI-LDSS) Concept for Improved Rectifier Performance: A Two-Dimensional Simulation Study [Text] / M.J. Kumar, C.L. Reddy // Microelectronics International. – 2006. – Vol. 23. – № 1. – P. 16 – 18. 4. Rusu, A. Gate controlled diode – a new way for electronic circuits [Text] / A. Rusu, C. Bulucea // Proc. Romanian Academy. Series A. – 2009. – Vol. 10. – № 3. – P. 1 – 6. 5. Trench MOS диоды Шоттки [Электронный ресурс] Режим доступа: www.platan.ru/library/Trench_MOS.pdf (accessed 5 December 2013). 6. Kumar, M.J. New Schottky-gate Bipolar Mode Field Effect Transistor (SBMFET): Design and Analysis using Two-dimensional Simulation [Text] / M.J. Kumar, H. Bahl // IEEE Trans. on Electron Devices. – 2006. – Vol. 53. – P. 2364 – 2369. 7. Костенко, В.Л. Комбинированные твердотельные структуры и микроэлектронные сенсоры [Текст] / В.Л. Костенко. – Запорожье: Издательство Зап. гос. инж. ак., 1997. – 109 с. 8. Костенко, В. Л. Измерительные преобразователи на основе комбинированных твердотельных струк-тур [Текст] / В. Л. Костенко, Е. Я. Швец, Е. Н. Киселев, Н. А. Омельчук. – Запорожье: Издательство Зап. гос. инж. ак., 2001. – 175 с. 9. Міхалєевський, Д. Дослідження шумових характеристик біполярного транзистора в області середніх частот [Текст] / Д. Міхалєвський// Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2012. – T. 6, № 11(60). – С. 33-36. – Режим доступу: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6001 10. Еременко, А. Двухмерное приборно-технологическое моделирование. Оптимизация конструкции высоковольтного биполярного npn транзистора [Текст] / А. Еременко, Н. Зайцев, А. Новоселов, И. Романов // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2002. – №4. – С. 58 – 60. 11. Device & Process Simulation: Part №: MPEM – CAD – Simulator – TCAD, Available at: http://www.microport.com.tw/english/SingleP.asp?Category=175&PNo=262&Url=Product&page=1 (accessed 5 December 2013). 12. Mudanai, S. Modeling of direct tunneling current through gate dielectric stacks [Text] / S. Mudanai, Y. Y. Fan, Q. Ouyang et al. // Transaction on Electron Devices. – 2000. – Vol. 47. – № 10. – Р. 1851 – 1857. 1. Mahalinga, S., Baliga B. J. (1999). The graded doped trench MOS barrier Schottky rectifier: A low forward drop high voltage rectifier. Solid-State Electronics, Vol. 43, 1-9. 2. Hsu, W. C. W., Liu, C. M., Kao, M. G. (2001). A Novel Trench Termination Design for 100-V TMBS Diode Application. IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, No.11, 551-552. 3. Kumar, M. J., Reddy, C. L. (2006). Silicon-on-Insulator Lateral Dual Sidewall Schottky (SOI-LDSS) Concept for Improved Rectifier Performance: A Two-Dimensional Simulation Study. Microelectronics International, Vol. 23, No.1, 16-18. 4. Rusu, A., Bulucea, C. (2009). Gate controlled diode – a new way for electronic circuits. Proc. of the Romanian Academy, series A, Vol. 10, № 3, 1-6. 5. Trench MOS diody Schottki (Trench MOS Schottky diode). Available at: www.platan.ru/library/Trench_MOS.pdf (accessed 5 December 2013). 6. Kumar, M. J., Bahl, H. (2006). New Schottky-gate Bipolar Mode Field Effect Transistor (SBMFET): Design and Analysis using Two-dimensional Simulation. IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 53, 2364–2369. 7. Kostenko, V. L. (1997). Kombinirovannye tver-dutelnye struktury i mikroelektonnye sensory. Zaporozhye: Izdatel'stvo: ZSEA, 98 – 109. 8. Kostenko, V. L., Shvets, E. Ya., Kiselev, E. N., Omelchuk, N. A. (2001). Ismeritelnye preobrazovateli na osnove kombinirovannyh tverdotelnyh struktur. Zaporozhye: Izdatel'stvo: ZSEA, 96 – 99. 9. Mikhalevs'kiy, D. (2012). Research of noise characteristics of bipolar transiitor in medium-frequency range. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 6 (11(60)), 33-36. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6001 10. Yeremenko, A., Zaytsev, N., Novoselov, A., Ro-manov, I. (2002) Dvuhmernoe priborno-tehnologicheskoe modelirovanie. Optimizatsia kostruktsii vysokovoltnogo bipolyarnogo npn transistora. Elektronika: Nauka, Tehnologiya, Biznes, № 4, 58–60. 11. Device & Process Simulation: Part №: MPEM – CAD – Simulator – TCAD, Available at: http://www.microport.com.tw/english/SingleP.asp?Category=175&PNo=262&Url=Product&page=1 (accessed 5 December 2013). 12. Mudanai, S., Fan, Y. Y., Ouyang Q. (2000). Modeling of direct tunneling current through gate dielectric stacks. Transaction on Electron Devices, Vol. 47, № 10, 1851-1857.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-04-01

Номер

Том 16 № 6 (2013)

Розділ

Енергетичне машинобудування

Ліцензія

Авторське право (c) 2015 Єгор Миколайович Кісельов

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються в цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи і передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензійного договору (угоди).
  • Автори мають право самостійно укладати додаткові договори (угоди) з неексклюзивного поширення роботи в тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати в складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи в цьому журналі.
  • Політика журналу дозволяє розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установи або на персональних веб-сайтах) рукопису роботи як до подачі цього рукопису в редакцію, так і під час її редакційної обробки, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії і позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).