Обобщенная модель транспорта электронов и тепла Ландауэра-Датты-Лундстрома в микро- и наноэлектронике
DOI:
https://doi.org/10.15587/2313-8416.2014.30728Ключевые слова:
нанофизика, наноэлектроника, транспорт электронов, линейный отклик, диссипация тепла, баллистический резисторАннотация
Излагается обобщенная модель транспорта электронов, развитая Р. Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом, вплоть до вычисления проводимости резисторов любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в баллистическом, квази-баллистическом или диффузионном режиме линейного отклика как вблизи 0º K, так и при высоких температурах. Обсуждаются и поныне широко используемое понятие подвижности, а также диссипация тепла и падение напряжения в баллистических резисторах.
Библиографические ссылки
Landauer, R. (1957).Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction. IBM Journal of Research and Development, 1 (3), 223–231. doi: 10.1147/rd.13.0223
Landauer, R. (1970). Electrical resistance of disordered one dimensional lattices. Philosophical Magazine, 21 (172), 863–867. doi: 10.1080/14786437008238472
Landauer, R. (1996). Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction. Journal of Mathematical Physics, 37 (10), 5259. doi: 10.1063/1.531590
Datta, S. (2012). Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. Available at: www.nanohub.org/courses/FoN1
Datta, S. (2001). Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge: Cambridge University Press.
Datta, S. (2005). Quantum Transport: Atom to Transistor. Cambridge: Cambridge University Press.
Lundstrom, M., Jeong, C. (2013). Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. Available at: www.nanohub.org/resources/11763
Lundstrom, M. Nanoscales Transistors. Available at: www.nanohub.org/courses/NT
Pierret, R. F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison–Wesley.
Jeong, C., Kim, R., Luisier, M., Datta, S., Lundstrom, M. (2010). On Landauer versus Boltzmann and full band versus effective mass evaluation of thermoelectric transport coefficients. Journal of Applied Physics, 107 (2), 023707. doi: 10.1063/1.3291120
Berg, H. C. (1993). Random walks in biology. Princeton: Princeton University Press.
van Wees, B. J., van Houten, H., Beenakker, C. W. J., Williamson, J. G., Kouwenhoven, L. P., van der Marel, D., Foxon, C. T. (1988)Quantized conductance of point contacts in a two-dimensional electron gas. Physical Review Letters, 60 (9), 848–850. doi: 10.1103/physrevlett.60.848
Holcomb, D. F. (1999). Quantum Electrical Transport in samples of limited dimensions. American Journal of Physics, 67 (4), 278. doi: 10.1119/1.19251
Cvijovic, D. (2009). Fermi-Dirac and Bose-Einstein functions of negative integer order. Theoretical and Mathematical Physics, 161 (3), 1663–1668. doi: 10.1007/s11232-009-0153-9
Dingle, R. (1957). The Fermi-Dirac Integrals. Appl. Scientific Res., 6 (1), 225.
Kim, R., Lundstrom, M. S. Notes on Fermi-Dirac Integrals. Available at: www.nanohub.org/resources/5475
Lundstrom, M. (2000). Fundamentals of Carrier Transport, 2nd Ed. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 440
Peter, Yu., Manuel, C. (2010). Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties. Berlin: Springer, 775
Shur, M. S. (2002). Low Ballistic Mobility in GaAs HEMTs, IEEE Electron Device Letters, 23 (9), 511–513. doi: 10.1109/led.2002.802679
Wang, J., Lundstrom, M. (2003). Ballistic Transport in High Electron Mobility Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (7), 1604–1609. doi: 10.1109/ted.2003.814980
Ashcroft, N. W., Mermin, N. D. (1979). Solid State Physics. Philadelphia: Suanders College, 458
Yao, Z., Kane, C. L., Dekker, C. (2000). High-Field Electrical Transport in Single-Wall Carbon Nanotubes. Physical Review Letters. 84 (13), 2941–2944. doi: 10.1103/physrevlett.84.2941
Kruglyak, Yu. (2014). Landauer – Datta – Lundstrom Generalized Transport Model for Nanoelectronics, Journal of Nanoscience, 2014, 1–15. doi: 10.1155/2014/725420
Kruglyak, Yu. A. (2014). A Generalized Landauer – Datta – Lundstrom Electron Transport Model. Russian Journal of Physical Chemistry A, 88 (11), 1826–1836. doi: 10.1134/s0036024414110119
Kruglyak, Yu. A. (2013). The Generalized Landauer – Datta – Lunstrom Electron Transport Model. Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 12 (2), 415.
Kruglyak, Yu. A. (2013).From Ballistic Conductivity to Diffusional in the Landauer-Datta-Lunstrom Transport Model, Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 11 (4), 655–677.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2014 Юрий Алексеевич Кругляк
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Наше издание использует положения об авторских правах Creative Commons CC BY для журналов открытого доступа.
Авторы, которые публикуются в этом журнале, соглашаются со следующими условиями:
1. Авторы оставляют за собой право на авторство своей работы и передают журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons CC BY, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылкой на авторов оригинальной работы и первую публикацию работы в этом журнале.
2. Авторы имеют право заключать самостоятельные дополнительные соглашения, которые касаются неэксклюзивного распространения работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном хранилище учреждения или публиковать в составе монографии), при условии сохранения ссылки на первую публикацию работы в этом журнале .
