Наноэлектроника «снизу – вверх»: роль электростатики и контактов
DOI:
https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.56272Ключевые слова:
нанофизика, наноэлектроника, молекулярная электроника, диффузионно-дрейфовая модель, ток насыщения, роль контактовАннотация
В рамках концепции «снизу – вверх» наноэлектроники рассматривается диффузионно-дрейфовая модель тока на основе транспортного уравнения Больцмана. Роль внешнего электрического поля при выходе за пределы режима линейного отклика, полевой транзистор и ток насыщения, роль заряжания проводника, точечная и расширенная модели проводника, роль контактов, модели p – n переходов, генерация тока в проводнике с асимметричными контактами
Библиографические ссылки
Krugliak, Iu. A. (2015). Nanoelectronics «bottom – up»: current generation, generalized ohm’s law, elastic resistors, conductivity modes, thermoelectricity. ScienceRise, 7/2 (12), 76–100. doi: 10.15587/2313-8416.2015.45700
Krugliak, Iu. A. (2015). The «bottom – up» nanoelectronics: elements of spintronics and magnetronics. ScienceRise, 8/2 (13), 51–68. doi: 10.15587/2313-8416.2015.47792
Datta, S. (2012). Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 492. doi: 10.1142/8029
Einstein, A. (1905). Über die von der molekularkinetischen Theorie der Wärme geforderte Bewegung von in ruhenden Flüssigkeiten suspendierten Teilchen. Annalen Der Physik, 322 (8), 549–560. doi: 10.1002/andp.19053220806
Lindsay, S. (2009). Introduction to Nanoscience. Oxford, England: Oxford University Press, 472.
Ashkroft, N., Mermin, N. (1979). Fizika tverdogo tela. Vol. 1-2. Moscow: Mir, 393, 392. Available at: http://mat.net.ua/mat/biblioteka-fizika/Ashkroft-tverdoe-telo-t1.pdf
Krugliak, Iu. A. (2015). «Bottom – up» nanoelectronics: the Hall effects, measurement of electrochemical potentials and spin transport in the negf model. ScienceRise, 10/2 (15), 35–67. doi: 10.15587/2313-8416.2015.51353
Sears, F. W., Salinger, G. L. (1975). Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. Boston: Addison-Wesley, 454.
Krugliak, Iu. A. (2015). Graphene in Landauer – Datta – Lundstrom transport model. ScienceRise, 2/2 (7), 93–106. doi: 10.15587/2313-8416.2015.36443
Krugljak, Ju. A., Krugljak, N. E. (2012). Metodicheskie aspekty rascheta zonnoj struktury grafena s uchetom σ–ostova. Teoreticheskie osnovy. Vіsnik Odes'kogo derzh. ekologіchnogo un-tu, 13, 207–218.
Rabiu, M., Mensah, S. Y., Abukari, S. S. (2013). General Scattering Mechanism and Transport in Graphene. Graphene, 02 (01), 49–54. doi: 10.4236/graphene.2013.21007
Bode, N., Mariani, E., von Oppen, F. (2012). Transport properties of graphene functionalized with molecular switches. Journal of Physics: Condensed Matter, 24 (39), 394017. doi: 10.1088/0953-8984/24/39/394017
Dong, H. M., Xu, W., Peeters, F. M. (2011). High-field transport properties of graphene. Journal of Applied Physics, 110 (6), 063704. doi: 10.1063/1.3633771
Chauhan, J., Guo, J. (2011). Inelastic Phonon Scattering in Graphene FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 58 (11), 3997–4003. doi: 10.1109/ted.2011.2164253
Peres, N. M. R. (2010). Colloquium : The transport properties of graphene: An introduction. Reviews of Modern Physics, 82 (3), 2673–2700. doi: 10.1103/revmodphys.82.2673
Barreiro, A., Lazzeri, M., Moser, J., Mauri, F., Bachtold, A. (2009). Transport Properties of Graphene in the High-Current Limit. Physical Review Letters, 103 (7). doi: 10.1103/physrevlett.103.076601
Bol'cman, L. (1984). Izbrannye trudy. Moscow: Mir, 590.
Tarkiainen, R., Ahlskog, M., Penttilä, J., Roschier, L., Hakonen, P., Paalanen, M., Sonin, E. (2001). Multiwalled carbon nanotube: Luttinger versus Fermi liquid. Physical Review B, 64 (19). doi: 10.1103/physrevb.64.195412
Naeemi, A., Savari, R., Meindl, D. (2004). Perfomance comparison between carbon nanotube and copper interconnects for GSI. IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 699–702. doi: 10.1109/iedm.2004.1419265
Burke, P. J. (2002). Luttinger liquid theory as a model of the gigahertz electrical properties of carbon nanotubes. IEEE Transactions On Nanotechnology, 1 (3), 129–144. doi: 10.1109/tnano.2002.806823
Burke, P. J. (2003). An RF circuit model for carbon nanotubes IEEE Transactions On Nanotechnology, 2 (1), 55–58. doi: 10.1109/tnano.2003.808503
Salahuddin, S., Lundstrom, M., Datta, S. (2005). Transport Effects on Signal Propagation in Quantum Wires. IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (8), 1734–1742. doi: 10.1109/ted.2005.852170
Kruglyak, Yu. O., Kruglyak, N. E., Strikha, M. V. (2013). Lessons of nanoelectronics: Thermoelectric phenomena in «bottom-up» approach. Sensor Electronics and Microsystem, 10 (1), 6–21.
Rahman, A., Jing Guo, Datta, S., Lundstrom, M. S. (2003). Theory of ballistic nanotransistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (9), 1853–1864. doi: 10.1109/ted.2003.815366
Pierret, R. F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison – Wesley, 792.
Krugliak, Iu. A. (2014). Generalized Landauer – Datta – Lundstrom model of electron and heat transport for micro- and nanoelectronics. ScienceRise, 5/3 (5), 21–38. doi: 10.15587/2313-8416.2014.30728
Kruglyak, Yu., Strikha, M. (2015). Landauer – Datta – Lundstrom generalized electron transport model for micro- and nanoelectronics. Kyiv: IEEE, 70–74. doi: 10.1109/elnano.2015.7146837
Fundamentals of Nanoelectronics, Part 2: Quantum Models. nanoHUB-U. Available at: http://nanohub.org/courses/FoN2
PurdueX. Free online courses from Purdue University. Available at: https://www.edx.org/school/purduex
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2015 Юрій Олексійович Кругляк
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Наше издание использует положения об авторских правах Creative Commons CC BY для журналов открытого доступа.
Авторы, которые публикуются в этом журнале, соглашаются со следующими условиями:
1. Авторы оставляют за собой право на авторство своей работы и передают журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons CC BY, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылкой на авторов оригинальной работы и первую публикацию работы в этом журнале.
2. Авторы имеют право заключать самостоятельные дополнительные соглашения, которые касаются неэксклюзивного распространения работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном хранилище учреждения или публиковать в составе монографии), при условии сохранения ссылки на первую публикацию работы в этом журнале .
