Наноэлектроника «снизу – вверх»: роль электростатики и контактов
DOI:
https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.56272Ключові слова:
нанофизика, наноэлектроника, молекулярная электроника, диффузионно-дрейфовая модель, ток насыщения, роль контактовАнотація
В рамках концепции «снизу – вверх» наноэлектроники рассматривается диффузионно-дрейфовая модель тока на основе транспортного уравнения Больцмана. Роль внешнего электрического поля при выходе за пределы режима линейного отклика, полевой транзистор и ток насыщения, роль заряжания проводника, точечная и расширенная модели проводника, роль контактов, модели p – n переходов, генерация тока в проводнике с асимметричными контактами
Посилання
Krugliak, Iu. A. (2015). Nanoelectronics «bottom – up»: current generation, generalized ohm’s law, elastic resistors, conductivity modes, thermoelectricity. ScienceRise, 7/2 (12), 76–100. doi: 10.15587/2313-8416.2015.45700
Krugliak, Iu. A. (2015). The «bottom – up» nanoelectronics: elements of spintronics and magnetronics. ScienceRise, 8/2 (13), 51–68. doi: 10.15587/2313-8416.2015.47792
Datta, S. (2012). Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 492. doi: 10.1142/8029
Einstein, A. (1905). Über die von der molekularkinetischen Theorie der Wärme geforderte Bewegung von in ruhenden Flüssigkeiten suspendierten Teilchen. Annalen Der Physik, 322 (8), 549–560. doi: 10.1002/andp.19053220806
Lindsay, S. (2009). Introduction to Nanoscience. Oxford, England: Oxford University Press, 472.
Ashkroft, N., Mermin, N. (1979). Fizika tverdogo tela. Vol. 1-2. Moscow: Mir, 393, 392. Available at: http://mat.net.ua/mat/biblioteka-fizika/Ashkroft-tverdoe-telo-t1.pdf
Krugliak, Iu. A. (2015). «Bottom – up» nanoelectronics: the Hall effects, measurement of electrochemical potentials and spin transport in the negf model. ScienceRise, 10/2 (15), 35–67. doi: 10.15587/2313-8416.2015.51353
Sears, F. W., Salinger, G. L. (1975). Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. Boston: Addison-Wesley, 454.
Krugliak, Iu. A. (2015). Graphene in Landauer – Datta – Lundstrom transport model. ScienceRise, 2/2 (7), 93–106. doi: 10.15587/2313-8416.2015.36443
Krugljak, Ju. A., Krugljak, N. E. (2012). Metodicheskie aspekty rascheta zonnoj struktury grafena s uchetom σ–ostova. Teoreticheskie osnovy. Vіsnik Odes'kogo derzh. ekologіchnogo un-tu, 13, 207–218.
Rabiu, M., Mensah, S. Y., Abukari, S. S. (2013). General Scattering Mechanism and Transport in Graphene. Graphene, 02 (01), 49–54. doi: 10.4236/graphene.2013.21007
Bode, N., Mariani, E., von Oppen, F. (2012). Transport properties of graphene functionalized with molecular switches. Journal of Physics: Condensed Matter, 24 (39), 394017. doi: 10.1088/0953-8984/24/39/394017
Dong, H. M., Xu, W., Peeters, F. M. (2011). High-field transport properties of graphene. Journal of Applied Physics, 110 (6), 063704. doi: 10.1063/1.3633771
Chauhan, J., Guo, J. (2011). Inelastic Phonon Scattering in Graphene FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 58 (11), 3997–4003. doi: 10.1109/ted.2011.2164253
Peres, N. M. R. (2010). Colloquium : The transport properties of graphene: An introduction. Reviews of Modern Physics, 82 (3), 2673–2700. doi: 10.1103/revmodphys.82.2673
Barreiro, A., Lazzeri, M., Moser, J., Mauri, F., Bachtold, A. (2009). Transport Properties of Graphene in the High-Current Limit. Physical Review Letters, 103 (7). doi: 10.1103/physrevlett.103.076601
Bol'cman, L. (1984). Izbrannye trudy. Moscow: Mir, 590.
Tarkiainen, R., Ahlskog, M., Penttilä, J., Roschier, L., Hakonen, P., Paalanen, M., Sonin, E. (2001). Multiwalled carbon nanotube: Luttinger versus Fermi liquid. Physical Review B, 64 (19). doi: 10.1103/physrevb.64.195412
Naeemi, A., Savari, R., Meindl, D. (2004). Perfomance comparison between carbon nanotube and copper interconnects for GSI. IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 699–702. doi: 10.1109/iedm.2004.1419265
Burke, P. J. (2002). Luttinger liquid theory as a model of the gigahertz electrical properties of carbon nanotubes. IEEE Transactions On Nanotechnology, 1 (3), 129–144. doi: 10.1109/tnano.2002.806823
Burke, P. J. (2003). An RF circuit model for carbon nanotubes IEEE Transactions On Nanotechnology, 2 (1), 55–58. doi: 10.1109/tnano.2003.808503
Salahuddin, S., Lundstrom, M., Datta, S. (2005). Transport Effects on Signal Propagation in Quantum Wires. IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (8), 1734–1742. doi: 10.1109/ted.2005.852170
Kruglyak, Yu. O., Kruglyak, N. E., Strikha, M. V. (2013). Lessons of nanoelectronics: Thermoelectric phenomena in «bottom-up» approach. Sensor Electronics and Microsystem, 10 (1), 6–21.
Rahman, A., Jing Guo, Datta, S., Lundstrom, M. S. (2003). Theory of ballistic nanotransistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (9), 1853–1864. doi: 10.1109/ted.2003.815366
Pierret, R. F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison – Wesley, 792.
Krugliak, Iu. A. (2014). Generalized Landauer – Datta – Lundstrom model of electron and heat transport for micro- and nanoelectronics. ScienceRise, 5/3 (5), 21–38. doi: 10.15587/2313-8416.2014.30728
Kruglyak, Yu., Strikha, M. (2015). Landauer – Datta – Lundstrom generalized electron transport model for micro- and nanoelectronics. Kyiv: IEEE, 70–74. doi: 10.1109/elnano.2015.7146837
Fundamentals of Nanoelectronics, Part 2: Quantum Models. nanoHUB-U. Available at: http://nanohub.org/courses/FoN2
PurdueX. Free online courses from Purdue University. Available at: https://www.edx.org/school/purduex
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Юрій Олексійович Кругляк
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Наше видання використовує положення про авторські права Creative Commons CC BY для журналів відкритого доступу.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
