Graded-gap semiconductors and their application

Authors

  • Степан Петрович Новосядлий Precarpathian National University.V. Stefanyk, Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76000, Ukraine
  • Тарас Петрович Кіндрат Vasyl Stefanyk Precarpathian National University Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine,76000, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2013.19578

Keywords:

graded-gap, semiconductor crystal solar cell

Abstract

In graded-gap semiconductors spatial dependence of energy gap leads to quasi-electrical embedded layers of different size for holes and electrons, respectively alter their mobility. This results in diffusion-drift mechanism of transfer of alignment-grown carriers, change of coordinate distribution of concentrations, changing of conditions in the surface recombination compared to homogeneous semiconductors. The view of graded-gap semiconductor band structure is determined by the spatial distribution of built-in micro, and the presence of internal and external microfields. The heterogeneity of such fields in space leads to a corresponding different efficiency of band structure that is the result of two mechanisms.

Solar cells based graded-gap semiconductors have a much better power characteristics compared to homogeneous causes considerable interest in their use.

Author Biographies

Степан Петрович Новосядлий, Precarpathian National University.V. Stefanyk, Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76000

Doctor of Technical Sciences, Professor Department of Computer Engineering and Electronics

Тарас Петрович Кіндрат, Vasyl Stefanyk Precarpathian National University Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine,76000

Postgraduate student

Department of Computer Engineering and Electronics

References

  1. Новосядлий, С. П. Технологія САПР на основі тестових структур [Текст] / С. П. Новосядлий // Фізики і хімія твердого тіла. – 2002. – Т3, №3. – С. 179-189.
  2. Новосядлий, С. П. Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі ТС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук, С. М. Вертепний // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2009. – № 1/7 (37). – С. 26-38.
  3. Шур, М. Современные приборы на арсениде галлия [Текст]/ М. Шур. – М.: Мир, 1991. – 628 с.
  4. Афанасьев, В. А. Оборудование для импульсной термообработки ПД нейтронная техника. Сер 1 [Текст] / В. А. Афанасьев, М. П. Духновский, Т. А. Крысев // Электроника СВЧ. – 1984. – Вып. 12. – С. 24-29.
  5. Новосядлий, С. П. Технологічні особливості, формування шаруватих наноструктур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2008. – № 44. – C. 32-38.
  6. Ди Лоренцо, Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления БИС [Текст]: пособ.; пер. с англ. / под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. – М: Радио и связь, 1988. – 49 с.
  7. Новосядлий, С. П. Багатозарядна радикальна імплантація при формуванні SOI- структур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т9, № 3. – С. 659-667.
  8. Новосядлий, С. П. Багатозарядна іонно-імплантаційна обробка при формуванні кишень і металізації субмікронних структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський // Металофізика і новітні технології. – 2007. – Т. 29, №7. – С. 857-866.
  9. Авас, Н. А. Основы микроэлектроники [Текст]: учеб. / Н. А. Авас, Ю. Е. Наумов, В. Т. Фролкин. – М: Радио и связь, 1999. – С. 64-67.
  10. Новосядлий, С. П. Джерела іонів для формування шаруватих структур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський // Прикарпатський вісник НТШ. – 2008. – № 1. – С. 151-158.
  11. Novosyadlyy, S. P. (2010). Technology CAD based test structures. Physics and Chemistry of Solids, 9(03), 179-189.
  12. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M., Vertepnyh, S. M. (2009). Simulation submicron and nano-based TS. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 1(7(37)), 26-38.
  13. Shur, M. (1991). Modern instrumentation for arsenyde hallyya. M.: Mir, 628.
  14. Afanasiev, V. A. (1984). Equipment for heat treatment of PD pulse neutron technology. Elektronika SVCh, 12, 24-29.
  15. Novosyadlyy, S. P. (2008). Technological features, the formation of layered nanostructures. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 44(08), 32-38.
  16. In: Di Lorenzo, D., Kandeluola, D. D. (1988). Field-effect transistors on gallium arsenide. Principles and technology of LSI. M: Radio i sviaz', 49.
  17. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M. (2008). Multiply radical implantation in the formation of SOI-structures. Physics and Chemistry of Solids, 3(08), 659-667.
  18. Novosyadlyy, S. P., Berezhansky, V. M. (2007). Multiply charged ion-implantation processing in the formation of pockets and metallization submicron VLSI structures. Metal Physics and the latest technology, 7(07), 857-866.
  19. Awas, N. A., Naumov, J. E., Frolkin, V. T. (1999). Fundamentals of Microelectronics. M: Radio i sviaz', 64-67.
  20. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M. (2008). Ion source to form layered structures. Carpathian Journal of Scientific Society, 1(08), 151-158.

Downloads

Published

2013-12-23

How to Cite

Новосядлий, С. П., & Кіндрат, Т. П. (2013). Graded-gap semiconductors and their application. Technology Audit and Production Reserves, 6(5(14), 24–26. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2013.19578

Issue

Vol. 6 No. 5(14) (2013): Scientific outcomes 2013

Section

Fundamental research

License

Copyright (c) 2016 Степан Петрович Новосядлий, Тарас Петрович Кіндрат

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.