Варізонні напівпровідники та їхнє застосування

Автор(и)

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000, Україна
  • Тарас Петрович Кіндрат Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2013.19578

Ключові слова:

варізонний, напівпровідник, кристал, сонячний елемент

Анотація

Представлено аналіз варізонних напівпровідників, які використовуються для створення сонячних елементів. Встановлено можливості підвищення їхнього ККД. Варізонні напівпровідники - це кристали, в яких енергетичні параметри зонної структури - ширина забороненої зони, спін-орбітальне розчинення в υ-зоні, а також ефективні маси носіїв заряду і діелектрична проникливість плавно змінюються вздовж одного або декількох напрямів. 

Біографії авторів

Степан Петрович Новосядлий, Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000

Доктор технічних наук, професор

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Тарас Петрович Кіндрат, Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000

Аспірант

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Посилання

  1. Новосядлий, С. П. Технологія САПР на основі тестових структур [Текст] / С. П. Новосядлий // Фізики і хімія твердого тіла. – 2002. – Т3, №3. – С. 179-189.
  2. Новосядлий, С. П. Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі ТС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук, С. М. Вертепний // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2009. – № 1/7 (37). – С. 26-38.
  3. Шур, М. Современные приборы на арсениде галлия [Текст]/ М. Шур. – М.: Мир, 1991. – 628 с.
  4. Афанасьев, В. А. Оборудование для импульсной термообработки ПД нейтронная техника. Сер 1 [Текст] / В. А. Афанасьев, М. П. Духновский, Т. А. Крысев // Электроника СВЧ. – 1984. – Вып. 12. – С. 24-29.
  5. Новосядлий, С. П. Технологічні особливості, формування шаруватих наноструктур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2008. – № 44. – C. 32-38.
  6. Ди Лоренцо, Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления БИС [Текст]: пособ.; пер. с англ. / под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. – М: Радио и связь, 1988. – 49 с.
  7. Новосядлий, С. П. Багатозарядна радикальна імплантація при формуванні SOI- структур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т9, № 3. – С. 659-667.
  8. Новосядлий, С. П. Багатозарядна іонно-імплантаційна обробка при формуванні кишень і металізації субмікронних структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський // Металофізика і новітні технології. – 2007. – Т. 29, №7. – С. 857-866.
  9. Авас, Н. А. Основы микроэлектроники [Текст]: учеб. / Н. А. Авас, Ю. Е. Наумов, В. Т. Фролкин. – М: Радио и связь, 1999. – С. 64-67.
  10. Новосядлий, С. П. Джерела іонів для формування шаруватих структур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський // Прикарпатський вісник НТШ. – 2008. – № 1. – С. 151-158.
  11. Novosyadlyy, S. P. (2010). Technology CAD based test structures. Physics and Chemistry of Solids, 9(03), 179-189.
  12. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M., Vertepnyh, S. M. (2009). Simulation submicron and nano-based TS. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 1(7(37)), 26-38.
  13. Shur, M. (1991). Modern instrumentation for arsenyde hallyya. M.: Mir, 628.
  14. Afanasiev, V. A. (1984). Equipment for heat treatment of PD pulse neutron technology. Elektronika SVCh, 12, 24-29.
  15. Novosyadlyy, S. P. (2008). Technological features, the formation of layered nanostructures. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 44(08), 32-38.
  16. In: Di Lorenzo, D., Kandeluola, D. D. (1988). Field-effect transistors on gallium arsenide. Principles and technology of LSI. M: Radio i sviaz', 49.
  17. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M. (2008). Multiply radical implantation in the formation of SOI-structures. Physics and Chemistry of Solids, 3(08), 659-667.
  18. Novosyadlyy, S. P., Berezhansky, V. M. (2007). Multiply charged ion-implantation processing in the formation of pockets and metallization submicron VLSI structures. Metal Physics and the latest technology, 7(07), 857-866.
  19. Awas, N. A., Naumov, J. E., Frolkin, V. T. (1999). Fundamentals of Microelectronics. M: Radio i sviaz', 64-67.
  20. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M. (2008). Ion source to form layered structures. Carpathian Journal of Scientific Society, 1(08), 151-158.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-12-23

Як цитувати

Новосядлий, С. П., & Кіндрат, Т. П. (2013). Варізонні напівпровідники та їхнє застосування. Technology Audit and Production Reserves, 6(5(14), 24–26. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2013.19578

Номер

Том 6 № 5(14) (2013): Наукові підсумки 2013

Розділ

Фундаментальні дослідження

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.