Increases of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon crystals

Authors

  • Роман Николаевич Воляр Zaporizhzhya state engineering academy, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4725

Keywords:

Method Chohralsky, impurity, crystal, growth

Abstract

The article describes possibility increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered

Author Biography

Роман Николаевич Воляр, Zaporizhzhya state engineering academy

Graduate student

Department metallurgists of the nonferrous metals

References

  1. Швец, Е.Я. Развитие технологии кремниевого сырья для изготовления солнечных батарей [Текст] / Е.Я. Швец, О.П. Головко, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Теория и практика металлургии. Днепропетровск : НМетАУ. – 2006. – № 6. – С. 44-49.
  2. Головко, О.П. Энергосберегающий тепловой узел установки для выращивания монокристаллов кремния [Текст] / О.П. Головко, И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Р.Н. Воляр, А.С. Голев, А.Б. Комаров // Металлургическая и горнорудная промышленность. – 2006. – № 6. – С. 21-23.
  3. Червоній, І.Ф. Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва : монографія [Текст] / І.Ф. Червоний, В.З. Куцова, В.І. Пожуев, Є.Я. Швець, О.А. Носко, С.Г. Єгоров, Р.М. Воляр ; під. заг. ред. І. Ф. Червоного. – Вид. 2-е, допр. і перер. – Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2009. – 488 с. – Бібліогр. : 446-484. – 300 прим. – ISBN 978-966-8462-24-5.
  4. Патент 22770 Україна, МПК7 С30В 15/02. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Р.М. Воляр, С.Г. Єгоров, І.Ф. Червоний (Україна). – u 2006 13619; заявл. 22.12.2006; видано 25.04.2007. Бюл. №5.
  5. Патент 23104 Україна, МПК7 С30В 15/02. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Р.М. Воляр, С.Г. Єгоров, М.І. Карась, О.М. Комаринський, І.Ф. Червоний, Є.Я. Швець (Україна). – u 2006 12744; заявл. 04.12.2006; видано 10.05.2007. Бюл. №6.
  6. Воляр, Р.Н. Влияние посткристаллизационной обработки на характеристики монокристаллов кремния [Текст] / Р.Н. Воляр, С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный // Проблеми і задачі освіти і науки. Збірник наукових праць ЗНТУ. – 2009. – Випуск 1. – С. 61-64. ISBN – 978-966-7282-95-0
  7. Таран, Ю.Н. Полупроводниковый кремний: теория и технология производства [Текст] : монография / Ю.Н. Таран, В.З. Куцова, И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Э.С. Фалькевич – Запорожье : ЗГИА, 2004. – 343 c. : рис., табл. – Библиогр.: с. 317-342. – 300 экз. – ISBN 966-7101-61-4.
  8. Фалькевич, Э.С. Технология полупроводникового кремния : монография [Текст] / Э.С. Фалькевич, Э.О. Пульнер, И.Ф. Червонный, Л.Я. Шварцман, В.Н. Яркин, И.В. Салли ; под ред. Э. С. Фалькевича. – М. : Металлургия, 1992. – 407 с. – Библиогр.: с. 399-407. – ISBN 5-229-00740-0.

Downloads

How to Cite

Воляр, Р. Н. (2012). Increases of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon crystals. Technology Audit and Production Reserves, 3(1(5), 11–12. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4725

Issue

Vol. 3 No. 1(5) (2012): INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE. Fundamental research

Section

Fundamental research

License

Copyright (c) 2016 Роман Николаевич Воляр

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.