Підвищення часу життя нерівноважних носіїв заряду в кристалах кремнію
DOI:
https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4725Ключові слова:
Метод Чохральського, вирощування, кристал, домішкаАнотація
У статті описана можливість підвищення часу життя нерівноважних носіїв заряду в монокристалах кремнію при використані початкової сировини з підвищеним вмістом домішокПосилання
- Швец, Е.Я. Развитие технологии кремниевого сырья для изготовления солнечных батарей [Текст] / Е.Я. Швец, О.П. Головко, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Теория и практика металлургии. Днепропетровск : НМетАУ. – 2006. – № 6. – С. 44-49.
- Головко, О.П. Энергосберегающий тепловой узел установки для выращивания монокристаллов кремния [Текст] / О.П. Головко, И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Р.Н. Воляр, А.С. Голев, А.Б. Комаров // Металлургическая и горнорудная промышленность. – 2006. – № 6. – С. 21-23.
- Червоній, І.Ф. Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва : монографія [Текст] / І.Ф. Червоний, В.З. Куцова, В.І. Пожуев, Є.Я. Швець, О.А. Носко, С.Г. Єгоров, Р.М. Воляр ; під. заг. ред. І. Ф. Червоного. – Вид. 2-е, допр. і перер. – Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2009. – 488 с. – Бібліогр. : 446-484. – 300 прим. – ISBN 978-966-8462-24-5.
- Патент 22770 Україна, МПК7 С30В 15/02. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Р.М. Воляр, С.Г. Єгоров, І.Ф. Червоний (Україна). – u 2006 13619; заявл. 22.12.2006; видано 25.04.2007. Бюл. №5.
- Патент 23104 Україна, МПК7 С30В 15/02. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Р.М. Воляр, С.Г. Єгоров, М.І. Карась, О.М. Комаринський, І.Ф. Червоний, Є.Я. Швець (Україна). – u 2006 12744; заявл. 04.12.2006; видано 10.05.2007. Бюл. №6.
- Воляр, Р.Н. Влияние посткристаллизационной обработки на характеристики монокристаллов кремния [Текст] / Р.Н. Воляр, С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный // Проблеми і задачі освіти і науки. Збірник наукових праць ЗНТУ. – 2009. – Випуск 1. – С. 61-64. ISBN – 978-966-7282-95-0
- Таран, Ю.Н. Полупроводниковый кремний: теория и технология производства [Текст] : монография / Ю.Н. Таран, В.З. Куцова, И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Э.С. Фалькевич – Запорожье : ЗГИА, 2004. – 343 c. : рис., табл. – Библиогр.: с. 317-342. – 300 экз. – ISBN 966-7101-61-4.
- Фалькевич, Э.С. Технология полупроводникового кремния : монография [Текст] / Э.С. Фалькевич, Э.О. Пульнер, И.Ф. Червонный, Л.Я. Шварцман, В.Н. Яркин, И.В. Салли ; под ред. Э. С. Фалькевича. – М. : Металлургия, 1992. – 407 с. – Библиогр.: с. 399-407. – ISBN 5-229-00740-0.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.