Impurity segregation during growth of silicon single crystals

Authors

  • Юрій Вікторович Головко Zaporozhye engineering academy, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4734

Keywords:

Silicon, impurity, effective segregation coefficient

Abstract

In article on the basis of experimental researches and the developed mathematical models it is shown, that the size of effective segregation coefficient of carbon impurity decreases at accumulation of carbon in silicon melt during crystallization

Author Biography

Юрій Вікторович Головко, Zaporozhye engineering academy

Senior lecturer

Department of Physical and Biomedical Electronics

References

  1. Швец, Е.Я. Определение эффективного коэффициента распределения примеси при выращивании монокристалла [Текст] / Е.Я. Швец // Теория и практика металлургии. – 2007. – № 4. – С. 31-35.
  2. Швец, Е.Я. Моделирование распределения примеси бора в процессе выращивания монокристаллов кремния [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, О.П. Головко, В.С. Баев, Ю.В. Головко // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2007. – Вип. 16. – С. 59 – 63.
  3. Швець, Є.Я. Математичне моделювання розподілу летучої домішки у процесі вирощування монокристалів кремнію [Текст] / Є.Я. Швець, Ю.В. Головко // Вісник ЖДТУ. Серія: Технічні науки. – Житомир: ЖДТУ, 2008. – №4 (47). – С. 131-135.
  4. Швец, Е.Я. Исследование массообмена кислорода в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского [Текст] / Е.Я. Швец, Ю.В. Головко // Теория и практика металлургии, 2008. – № 4-5 (65). – С. 3-7.
  5. Швец, Е.Я. Исследование распределения углерода между расплавом, твёрдой и газовой фазами в процессе выращивания монокристаллов кремния [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Ю.В. Головко // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2008. – Вип. 17. – С. 104-108.
  6. Головко, Ю.В. Модернизация тепловой системы для выращивания монокристаллов кремния [Текст] / Ю.В. Головко, А.С. Голев, А.Б. Комаров, Е.Я. Швец, С.Г. Егоров, Р.Н. Воляр // Теория и практика металлургии, 2008. – №2 (63). – С.20-23.
  7. Швец, Е.Я. Исследование распределения углерода между расплавом, твёрдой и газовой фазами в процессе выращивания монокристаллов кремния [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Ю.В. Головко // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2008. – Вип. 17. – С. 104-108.
  8. Швець, Є.Я. Залежність коефіцієнта розподілу домішок у монокристалі кремнію від швидкості його вирощування [Текст] : зб. наук. пр. / Швець Є.Я., Головко Ю.В. // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2011. – Вип. 24. – С. 113 -116.

Downloads

How to Cite

Головко, Ю. В. (2012). Impurity segregation during growth of silicon single crystals. Technology Audit and Production Reserves, 3(1(5), 29–30. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4734

Issue

Vol. 3 No. 1(5) (2012): INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE. Fundamental research

Section

Fundamental research

License

Copyright (c) 2016 Юрій Вікторович Головко

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.