Features of forming ohmic contacts on basis of GaAs

Authors

  • Вадим Сергійович Дмитрієв Zaporozhia State Engineering Academy, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4737

Keywords:

microelectronic composition, ohmic contact, modes of heat treatment, GaAs.

Abstract

The model of forming microelectronic composition of Ag-Ge-In/n-GaAs (111), which takes into account the terms of heat treatment and allows to set dependence between the parameters of ohmic contact and modes of heat treatment, is developed.

Author Biography

Вадим Сергійович Дмитрієв, Zaporozhia State Engineering Academy

Master’s degree of Department of Physical and biomedical electronics

References

  1. Швец, Е.Я. Технологии и материалы солнечной энергетики [Текст] : монография / Е.Я. Швец. – Запорожье: ЗГИА. – 2007. – 240с.
  2. Швец, Е.Я. Технологические особенности квазиомических контактов для солнечных элементов. [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Л.Б. Дмитриева, Ф. Каек // Металургія. – Вип. 16. – Запоріжжя, ЗДІА. – 2007. – С.74-78.
  3. Швец, Е.Я. Исследование солнечных элементов с барьерами Шоттки [Текст] / Е.Я. Швец, Л.Б. Дмитриева, Ф. Каек. // Тезисы докл. на ХII НТК студентів, магістрантів та викладачів ЗДІА. – Т.3. – Запоріжжя, ЗДІА. – 2007. – С.94-95.
  4. Швец, Е.Я. Влияние режимов термообработки на структуру переходного слоя омических контактов [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Л.Б.Дмитриева, В.С. Дмитриев // Металургія. – Вип. 2(25). – Запоріжжя, ЗДІА. – 2011. – С.120-124.
  5. Швец Е.Я. Исследование влияния межфазной границы раздела на высоту барьера Шоттки [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я.Швец, Л.Б.Дмитриева, В.С. Дмитриев // Металургія. – Вип. 1(26). – Запоріжжя, ЗДІА. – 2011. – С.126-130.
  6. Швец, Е.Я. Исследование влияния поверхностных состояний на показатели качества и технологичности структур Me-GaAs [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Л.Б. Дмитриева, В.С Дмитриев // Металургія. – Вип. 2(27). – Запоріжжя, ЗДІА. – 2012. – С.138-142.
  7. Дмитриев, В.С. Особенности технологии изготовления микроэлектронного датчика [Текст] / В.С. Дмитриев, Е.Я. Швец //Материалы 15 Юбилейного Международного молодежного форума «Радиоэлектроника и молодежь в ХХI веке». – том 1. – Харьков, ХНУРЭ. – 2011. – С.46-47
  8. Дмитриев, В.С. Исследование влияния на качество омического контакта режимов термообработки [Текст] / В.С.Дмитриев, Л.Б. Дмитриева //Тезисы докл. на ХVI НТК студентів, магістрантів та викладачів ЗДІА. – Т.3. – Запоріжжя, ЗДІА. – 2011. – С.23

Downloads

Published

2012-09-18

How to Cite

Дмитрієв, В. С. (2012). Features of forming ohmic contacts on basis of GaAs. Technology Audit and Production Reserves, 3(1(5), 35–36. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4737

Issue

Vol. 3 No. 1(5) (2012): INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE. Fundamental research

Section

Fundamental research

License

Copyright (c) 2016 Вадим Сергійович Дмитрієв

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.