Термометричні властивості моноселеніду галію
DOI:
https://doi.org/10.15587/2312-8372.2013.18414Ключові слова:
температурна залежність, моноселенід галію, ЯКР, автодинний спін-детектор.Анотація
В роботі показано, що в GaSe спостерігається значна температурна залежність частоти ЯКР 69Ga, яка в області температур 250 – 390 К є лінійною с крутизною перетворення 1,54 кГц/град. Для слідкування за температурою реалізований термометр на автодинному спін-детекторі, виконаному на витоковому повторювачеві. Точність слідкування за температурою становить ± 0,05 оС.Посилання
- Pashayev, A. M. Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures [Text] / A. M. Pashayev, A. R. Gadjiyev, T. B. Tagiyev, T. M. Abbasova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2001. – Vol. 4, No. 4. – P. 287-289.
- Исмаилов, А. А. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe, облученных електронами [Текст] / А. А. Исмаилов, Г. И. Исаков, Н. Д. Ахмедзаде, М. М. Ширинов // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология», НТЦ «ТАТА». – 2010. – №6 (86). – С. 48-51.
- Гейдаров, А. Электрические свойства СаSe полученного косвенным методом из газовой фазы [Текст] / А. Гейдаров // Журнал неорганической химии. – 2007. – Т.52, №10. – С.1618-1620.
- Іларіонов, О. Є. Твердотільні давачі температури та їх практичне використання [Текст]: автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. техн. наук : спец. 05.27.01 “Твердотільна електроніка” / О. Є. Іларіонов. – Чернівці, 2001. – 20 с.
- Горбатий, В. Р. Сучасний стан ЯКР термометрії [Текст] / В. Р. Горбатий // Cборник научных трудов по материалам международной научно-практической конференции SWORLD. – Національний університет «Львівська політехніка». – 2010. – Т.2 , №3. – С. 48-50.
- Merilnik temperature in temperaturnih gradientov v majhnih vzorcih z metodo jedrske kvadrupolne resonance [Text] : Patent SI 22594 A / Lužnik Janko, Pirnat Janez, Trontelj Zvonko. – 2009.
- Филов, В. А. Вредные химические вещества. Неорганические соединения элементов V–VIII групп. [Текст] : справочник / В. А. Филов. – Л.: Химия, 1989. – 592с.
- Ластивка, Г. И. Влияние отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов GaSe-InSe [Текст] / Г. И. Ластивка, О. Н. Сидор, З. Д. Ковалюк, А. Г. Хандожко // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. – 2010. – №4/5(46). – С. 28-34. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2978
- Гречишкин, В. С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах [Текст] / В. С. Гречишкин. – М.: Наука, 1973. – 264 с.
- Makarov, B. Advance of marginal oscillator. [Text] / B. Makarov, V. Ryzhov // Proceedings of XXII Russian Particle Accelerator Conference RuPAC-2010. – Protvino, Russia, 2010. – P. 122-124.
- Robinson, F. N. H. A sensitive nuclear quadrupole resonance spectrometer for 2-60 MHz [Text] / F. N. H. Robinson // J. Phys. E: Sci. Instrum. – 1982. – Vol.15, No 8. – P. 814-824.
- Брайловский, В. В. Оптимизация конструкции датчика для термометрии ядерного квадрупольного резонанса [Текст] / В. В. Брайловский, О. Е. Иларионов, Е. И. Слынько, А. Г. Хандожко // Приб. и техн. эксперимента. – 2002. – Т.45, №5. – C. 158-159.
- Верига, А. Д. Стокове детектування на МОН транзисторі з вмонтованим каналом [Текст] / А. Д. Верига, Л. Ф. Політанський // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2011. – T. 2, № 5(50). - С. 41-45. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/1789
- Верига, А. Д. N-канальний d-мон транзистор з подвійною дифузією дециметрового діапазону частот [Текст] / А. Д. Верига, Л. Ф. Політанський // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2010. – T. 5, № 5(47). - С. 9-12. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/3148
- Pashayev, A. M., Gadjiyev, A. R., Tagiyev, T. B., Abbasova, T. M. (2001). Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 4, No. 4, 287-289.
- Ismailov, А. А., Isakov, G. I., Ahmedzade, N. D., Shirinov, М. М. (2010). Vliyanie generatsionno-rekombinatsionnyh protsessov na elektroprovodnost monokristallov GaS i GaSe, obluchennyh elektronami. Mezhdunarodnyy nauchnyy zhurnal «Alternativnaya energetika i ekologiya», NTC «ТАТА», 6(86), 48-51.
- Geydarov, А. (2007). Elektricheskie svoystva СаSe poluchennogo kosvennym metodom iz gazovoy fazy. Zhurnal neorganicheskoy himii, Т.52, №10, 1618-1620.
- Іlarіonov, О. E. (2001). Tverdotilni davachi temperatury ta yih praktychne vykorystannya: avtoref. dys. na zdobuttya nauk. stupenya kand. tehn. nauk : spec. 05.27.01 “ Tverdotilna elektronika ”, Chernivtsi, 20.
- Horbatyy, V. R. (2010). Suchasnyy stan YaKR termometriyi. Sbornik nauchnyh trudov po materialam mezhdunarodnoy nauchno-prakticheskoy konferentsii SWORLD. Natsіonalniy unіversitet «Lvіvska polіtehnіka». Т.2 , №3, 48-50.
- Lužnik Janko, Pirnat Janez, Trontelj Zvonko. (2009). Merilnik temperature in temperaturnih gradientov v majhnih vzorcih z metodo jedrske kvadrupolne resonance. Patent SI 22594 A.
- Filov, V. А. (1989). Vrednye himicheskie veschestva. Neorganicheskie soedineniya elementov V–VIII grupp. Spravochnik. L.: Himiy, 592.
- Lastivka, H., Sidor, O., Kovaliuk, Z., Khandozhko, A. (2010). Influence cryoannealing on nqr spectras and characteristics of heterostructure photodiodes on the basis of GaSe-InSe. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 4(5(46)), 28-34.
- Grechishkin, V. S. (1973). Yadernye kvadrupolnye vzaimodeystviya v tverdyh telah. М.: Nauka, 264.
- Makarov, B., Ryzhov, V. (2010). Advance of marginal oscillator. Proceedings of XXII Russian Particle Accelerator Conference RuPAC-2010. Protvino, Russia, 122-124.
- Robinson, F. N. H. (1982). A sensitive nuclear quadrupole resonance spectrometer for 2-60 MHz. J. Phys. E: Sci. Instrum. Vol.15, No 8, 814-824.
- Brailovskii, V. V., Ilarionov, О. Е., Slyn'ko, Y. I., Khandozhko, А. G. (2002). Optimizatsiya konstruktsii datchika dlya termometrii yadernogo kvadrupolnogo rezonansa. Prib. i tehn. eksperimenta, Т.45, №5, 158-159.
- Veriha, A., Polіtans'kii, L. (2012). Drain detection on the mos transistor with built-in channel. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 2(5(50)), 41-45.
- Veriha, A., Polіtans'kii, L. (2010). N-channel d-mos transistor with double-diffusion of the decimeter range frequencies. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 5(5(47)), 9-12.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.