Эффект ускоренной кристаллизации кремния и германия

Иван Федорович Червоный

doi:10.15587/2312-8372.2014.21621

Автор(и)

Иван Федорович Червоный Запорізька державна інженерна академія, пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2014.21621

Ключові слова:

кремній, германій, кристалізація, швидкість, кінетика, тепломасоперенос, координація, міжатомний зв'язок

Анотація

Представлені результати досліджень кристалізації кремнію і германію з розплаву при підвищеній швидкості. Встановлено, що при кристалізації одноатомних речовин у якості лімітуючих чинники необхідно враховувати не тільки фізичні чинники - кінетика на фронті кристалізації і тепломасоперенос, але і кристалохімічні - координація атомів і тип міжатомних зв'язків.

Біографія автора

Иван Федорович Червоный, Запорізька державна інженерна академія, пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра металургії кольорових металів

Посилання

Багдасаров, X. С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава [Текст]/ X. С. Багдасаров. – М.: Физматлит, 2004. – 160 с. – ISBN 5-9221-0482-9.
Фалькевич, Э. С. Технология полупроводникового кремния [Текст]: монография / Э. С Фалькевич, Э. О. Пульнер, И. Ф. Червоный, Л. Я. Шварцман, В. Н. Яркин, И. В. Салли. – М.: Металлургия, 1992. – 408 с. – ISBN 5-229-00740-0.
Патент 34160 Україна, МПК (2006) С30В. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву [Текст]/ Воляр Р. М., Головко Ю. В., Єгоров С. Г., Пожуєв І. В., Швець Є. Я.; заявник і патентовласник Запорізька держ. інж. акад. – № u 2008 04036; заявл. 31.03.2008; опубл. 25.07.2008, Бюл. № 14.
Патент 35367 Україна, МПК С 30 В 15/00. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву [Текст]/ Пожуєв В. І., Воляр Р. М., Головко Ю. В., Єгоров С. Г., Швець Є. Я.; заявник й патентовласник Запорізька держ. інж. акад. – № u 2008 05593; заявл. 29.04.2008; опубл. 10.09.2008.
Воронков, В. В. Влияние скорости роста и температурного градиента на тип микродефектов в бездислокационном кремнии [Текст] / В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, Н. В. Веселовская, М. Г. Веселовская, И. Ф. Червоный // Кристаллография. – 1984. – Вып.6. – С. 1176-1181.
Полтавцев, Ю. Г. Структура полупроводниковых расплавов [Текст] / Ю. Г. Полтавцев. – М.: Металлургия, 1984. – 178 с.
Шаскольская, М. П. Кристаллография [Текст] / М. П. Шаскольская. – М.: Высш. Школа, 1976. – 391 с.
Глазов, В. М. Жидкие полупроводники [Текст] / В. М. Глазов, С. Н. Чижевская, Н. Н. Глаголева. – М.: Наука, 1967. – 244 с.
Казимиров, В. П. Характер упорядочения атомов в расплаве и поверхностные свойства простых эвтектических систем [Электронный ресурс] / В. П. Казимиров, А. С. Роик, В. М. Перевертайло, О. Б. Логинова, С. А. Лисовенко // Сверхтвердые материалы. – 2008. – №4. – С. 35-52. – Режим доступа: www/URL: http://dspace.nbuv.gov.ua:8080/dspace/handle/123456789/ 20731. – 29.01.2014.
Tsuji, К. Pressure dependence of the structure of liquid group 14 elements [Text]/ К. Tsuji, T. Hattrori, T. Mori et al // J. Phys.: Condens. Matter. – 2004. – № 16. – P. 989-996.
Goto, R. Structural and electronic properties of liquid Ge-Sn alloys: ab initio molecular-dynamic simulation [Text] / R. Goto, F. Shimojo, S. Nunejiri, K. Hoshino // J. Phys. Soc. Japan. – 2004. – Т. 73, № 10. – P. 2746-2752.
Bagdasarov, X. S. (2004). Vyisokotemperaturnaya kristallizatsiya iz rasplava. M.: Fizmatlit, 160. ISBN 5-9221-0482-9.
Falkevich, E. S., Pulner, E. O., Chervonyiy, I. F., Shvartsman, L. Ya., Yarkin, V. N., Salli, I. V. (1992). Tehnologiya poluprovodnikovogo kremniya. M.: Metallurgiya, 408. ISBN 5-229-00740-0.
Volyar, R. M., Golovko, Yu. V., Egorov, S. G., Pozhuev, I. V., Shvets E. Ya. (2006). Sposib viroschuvannya monokristaliv kremniyu z rozplavu. Patent 34160 Ukraiina, MPK S30V. Byul. 14.
Pozhuev, V. I., Volyar, R. M., Golovko, Yu. V., Egorov, S. G., Shvets, E. Ya. (2008). Sposib viroschuvannya monokristaliv kremniyu z rozplavu. Patent 35367 Ukraiina, MPK S 30 V 15/00.
Voronkov, V. V., Voronkova, G. I., Veselovskaya, N. V., Veselovskaya, M. G., Chervonyiy, I. F. (1984). Vliyanie skorosti rosta i temperaturnogo gradienta na tip mikrodefektov v bezdislokatsionnom kremnii. Kristallografiya, 6, 1176-1181.
Poltavtsev, Yu. G. (1984). Struktura poluprovodnikovyih rasplavov. M.: Metallurgiya, 178.
Shaskolskaya, M. P. (1976). Kristallografiya. M.: Vyissh. Shkola, 391.
Glazov, V. M., Chizhevskaya, S. N., Glagoleva, N. N. (1967). Zhidkie poluprovodniki. M.: Nauka, 244.
Kazimirov, V. P., Kazimirov, V. P., Roik, A. S., Perevertaylo, V. M., Loginova, O. B., Lisovenko, S. A. (2008). Harakter uporyadocheniya atomov v rasplave i poverhnostnyie svoystva prostyih evtekticheskih system. Available: http://dspace.nbuv.gov.ua:8080/dspace/handle/123456789/20731. Last accessed 29.01.2014.
Tsuji, К., Hattrori, T., Mori, T. (2004). Pressure dependence of the structure of liquid group 14 elements. J. Phys.: Condens. Matter., 16, 989-996.
Goto, R., Shimojo, F., Nunejiri, S., Hoshino, K. (2004). Structural and electronic properties of liquid Ge-Sn alloys: ab initio molecular-dynamic simulation. J. Phys. Soc. Japan, 10, 2746-2752.