Рафінування кремнію при безтигельній зонній плавці

Автор(и)

  • Иван Федорович Червоный Запорізька державна інженерна академія, пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006, Україна https://orcid.org/0000-0001-9508-5112

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2014.23370

Ключові слова:

кремній, очищення, безтигельна зонна плавка, швидкість вирощування, частота струму, однорідність, компенсація, домішка

Анотація

Викладені результати досліджень по рафінуванню кремнію в процесі індукційної безтигельної зонної плавки. Показана можливість регулювання міри очищення кремнію з урахуванням швидкості вирощування, робочої частоти струму в індукторі і діаметру кристала, що переплавляється. Встановлений вплив міри компенсації основної легуючої домішки на однорідність розподілу домішки в кристалах кремнію.

Біографія автора

Иван Федорович Червоный, Запорізька державна інженерна академія, пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра металургії кольорових металів

Посилання

  1. Тойерер, Н. С. Удаление бора из кремния путем обработки водородом, содержащем пары воды [Текст]: сб. ст./ Н. С. Тойерер; пер. с англ. Б. А. Колачева; под ред. Д. А. Петрова// Кремний. – 1960. – 435 с.
  2. Салли, И. Б. Производство полупроводникового кремния [Текст]/ И. Б. Салли, Э. С. Фалькевич. – М.: Металлургия, 1970. – 152 с.
  3. Романенко, В. Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов [Текст]/ В. Н. Романенко. – М.: Металлургия, 1976. – 368 с.
  4. Пфанн, Б. Зонная плавка [Текст]: пер. с англ./ Б. Пфанн. – М.: Мир, 1970. – 366 с.
  5. Бартон. Распределение примесей в кристаллах, выращенных из расплава [Текст]: пер. с англ./ Бартон, Прим, Слихтер// Германий. – М.: Иностранная литература, 1955. – С. 74-81.
  6. Gupta, K. P. STP804: Dependence of Silicon Float-Zone Refining Parameters on Frequency [Electronic resource]/ K. P. Gupta, R. O. Gregory. – Available at: www/URL: http://www.astm.org/DIGITAL_LIBRARY/STP/PAGES/ STP36159S.htm. – 30.01.2014.
  7. Ciszek, T. F. Silicon Float-Zone Crystal Growth as a Tool for the Study of Defects and Impurities [Electronic resource]/ T. F. Ciszek, T. H. Wang. – Available at: www/ URL: http://www.nrel.gov/docs/fy00osti/28569.pdf. – 30.01.2014.
  8. Медведев, С. А. Введение в технологию полупроводниковых материалов [Текст]: уч. пос. для спец. «Полупроводники и диэлектрики»/ С. А. Медведев. – М.: Высшая школа, 1970. – 504 с.
  9. Трубицын, Ю. В. Интенсификация процесса очистки стержней кремния индукционной бестигельной зонной плавкой [Текст]/ Ю. В. Трубицын, К. Н. Неймарк, И. Ф. Червоный, Э. С. Фалькевич// Известия АН СССР. Неорганические материалы. – 1991. – Т. 27, № 5. – С. 887-889.
  10. Неймарк, К. Н. Высокочистый кремний для детекторов ионизирующих излучений [Текст]/ К. Н. Неймарк, Ю. В. Трубицын, И. Ф. Червоный// Высокочистые вещества. – 1992. – № 2. – С. 134-140.
  11. Бевз, В. Е. Изменение радиального распределения удельного сопротивления в полупроводниковых монокристаллах, обусловленное компенсацией [Текст]/ В. Е. Бевз, М. И. Осовский, Ю. И. Стерликов// Цветные металлы. – 1977. – №6. – С. 46-47.
  12. Червоный, И. Ф. Эффект ускоренной кристаллизации кремния и германия [Текст]/ И. Ф. Червоный // Технологический аудит и резервы производства. – 2014. – T. 1, № 3(15). – С. 46-48.
  13. Toierer, N. S.; In: Petrova, D. A.; Translation from English: Kolacheva, B. A. (1960). Udalenye bora yz kremnyia putem obrabotky vodorodom, soderzhashchem pary vody. Kremnyi, 435.
  14. Sally, Y. B., Fal'kevych, E. S. (1970). Proyzvodstvo poluprovodnykovoho kremnyia. M.: Metallurhyia, 152.
  15. Romanenko, V. N. (1976). Upravlenye sostavom poluprovodnykovykh krystallov. M.: Metallurhyia, 368.
  16. Pfann, B. (1970). Zonnaia plavka. Translation from English. M.: Myr, 366.
  17. Barton, Prym, Slykhter. (1955). Raspredelenye prymesei v krystallakh, vyrashchennykh yz rasplava. Translation from English. Hermanyi. M.: Ynostrannaia lyteratura, 74-81.
  18. Gupta, K. P., Gregory, R. O. STP804: Dependence of Silicon Float-Zone Refining Parameters on Frequency. Available: http://www.astm.org/DIGITAL_ LIBRARY/STP/PAGES/ STP36159S.htm. Last accessed 30.01.2014.
  19. Ciszek, T. F., Wang, T. H. Silicon Float-Zone Crystal Growth as a Tool for the Study of Defects and Impurities. Available: http://www.nrel.gov/docs/ fy00osti/28569.pdf. Last accessed 30.01.2014.
  20. Medvedev, S. A. (1970). Vvedenye v tekhnolohyiu poluprovodnykovykh materyalov. M.: Vysshaia shkola, 504.
  21. Trubytsyn, Yu. V., Neimark, K. N., Chervony, I. F., Fal'kevych, E. S. (1991). Yntensyfykatsyia protsessa ochystky sterzhnei kremnyia ynduktsyonnoi bestyhel'noi zonnoi plavkoi. Yzvestyia AN SSSR. Neorhanycheskye materyaly, T. 27, № 5, 887-889.
  22. Neimark, K. N., Trubytsyn, Yu. V., Chervony, I. F. (1992). Vysokochystyi kremnyi dlia detektorov yonyzyruiushchykh yzluchenyi. Vysokochystye veshchestva, № 2, 134-140.
  23. Bevz, V. E., Osovskyi, M. Y., Sterlykov, Yu. Y. (1977). Yzmenenye radyal'noho raspredelenyia udel'noho soprotyvlenyia v poluprovodnykovykh monokrystallakh, obuslovlennoe kompensatsyei. Tsvetnye metally, №6, 46-47.
  24. Chervony, I. (2014). Effect of accelerated crystallization of silicum and germanium. Technology Audit And Production Reserves, 1(3(15)), 46-48.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-04-08

Як цитувати

Червоный, И. Ф. (2014). Рафінування кремнію при безтигельній зонній плавці. Technology Audit and Production Reserves, 2(1(16), 53–56. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2014.23370

Номер

Том 2 № 1(16) (2014): Технологічний аудит. Резерви виробництва

Розділ

Резерви виробництва

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.