Сучасний стан досліджень оптичних властивостей напівпровідникових матеріалів

Автор(и)

  • Вячеслав Віталійович Федотов Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», пр. Перемоги 37,учбовий корпус №7,ауд.225, Київ, Україна, 03056, Україна https://orcid.org/0000-0002-8057-229X

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2014.34756

Ключові слова:

напівпровідник, оптична властивість, фотон, оптична ширина забороненої зони, показник заломлення

Анотація

Досліджено та проаналізовано оптичні властивості напівпровідникових матеріалів. В результаті теоретичного аналізу було виявлено основні залежності показників заломлення, поглинання та відбиття від довжини хвилі випромінювання. Встановлено залежність між інтенсивністю падаючого пучка та інтенсивністю вихідного (відбитого або такого, що пройшов через напівпровідник) пучка з урахуванням коефіцієнту поглинання (відбиття) матеріалу.

Біографія автора

Вячеслав Віталійович Федотов, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», пр. Перемоги 37,учбовий корпус №7,ауд.225, Київ, Україна, 03056

Старший викладач

Кафедра загальної та теоретичної фізики 

Посилання

  1. Lysenko, H. L., Mialkiska, I. V. (2007). Elementarna komirka optychnoho transparanta dlia optoelektronnykh obchysliuvalnykh kompleksiv na SEED-strukturakh. Visnyk Vinnytskoho politekhnichnoho instytutu, 5, 90-94.
  2. Fedorov, A. V., Ruhlenko, I. D., Baranov, A. V., Kruchinin, S. Yu. (2011). Opticheskie svoistva poluprovodnikovyh kvantovyh tochek. SPb.: Nauka, 188.
  3. Nad'kin, L. Yu. (2013). Issledovanie opticheskih svoistv poluprovodnika v eksitonnoi oblasti spektra pod deistviem moshchnogo impul'sa nakachki i slabogo zondiruiushchego impul'sa. M., 15.
  4. Dmitruk, N., Kutovyi, S., Dmitruk, I., Simkiene, I., Sabataityte, J., Berezovska, N. (2007, September 20). Morphology, Raman scattering and photoluminescence of porous GaAs layers. Sensors and Actuators B: Chemical, Vol. 126, № 1, 294–300. doi:10.1016/j.snb.2006.12.027
  5. Simkiene, I., Sabataityte, J., Kindurys, A., Treideris, M. (2008). Formation of Porous n-A3B5 Compounds. Acta Physica Polonica A., Vol. 113, № 3, 1085-1090.
  6. Anedda, A., Serpi, A., Karavanskii, V. A., Tiginyanu, I. M., Ichizli, V. M. (1995). Time resolved blue and ultraviolet photoluminescence in porous GaP. Applied Physics Letters, Vol. 67, № 22, 3316-3318. doi:10.1063/1.115232
  7. Kuriyama, K., Ushiyama, K., Ohbora, K., Miyamoto, Y., Takeda, S. (1998, July). Characterization of porous GaP by photoacoustic spectroscopy: The relation between band-gap widening and visible photoluminescence. Physical Review B, Vol. 58, № 3, 1103–1105. doi:10.1103/physrevb.58.1103
  8. Smit, R. (1982). Poluprovodniki. Translation from English. M.: Mir, 560.
  9. Uillardsona, R.; In: Uillardsona, R., Bira, A. Translation from English. (1970). Opticheskie svoistva poluprovodnikov (poluprovodnikovye soedineniia tipa АIIIВV). M.: Mir, 488.
  10. Pavlov, S. M. (2010). Osnovy mikroelektroniky. Vinnytsia: VNTU, 224.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-23

Як цитувати

Федотов, В. В. (2014). Сучасний стан досліджень оптичних властивостей напівпровідникових матеріалів. Technology Audit and Production Reserves, 6(1(20), 68–72. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2014.34756