Прогнозування надійності дискретних пристроїв на основі моделювання процесу деградації матеріалу

Автор(и)

  • Ольга Віталіївна Кравченко Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка 460, м. Черкаси, 18006, Україна https://orcid.org/0000-0002-9669-2579

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2015.37697

Ключові слова:

надійність, деградація, дискретний пристрій, композитний матеріал, алгоритм, прогнозування

Анотація

В статті проведено дослідження причин деградації мікросхем, що виготовлені з напівпровідників для забезпечення надійності дискретних пристроїв комп’ютерних систем. Описано алгоритм прогнозування надійності дискретних пристроїв та наведено структуру інтелектуальної підсистеми прогнозування надійності дискретних пристроїв.

Біографія автора

Ольга Віталіївна Кравченко, Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка 460, м. Черкаси, 18006

Старший викладач

Кафедра інформаційних технологій проектування

Посилання

  1. Gotra, Z. Yu., Nikolaev, I. M. (1978). Kontrol' kachestva i nadezhnost' mіkroshem. M.: Radio i sviaz', 168.
  2. Pogrebinskii, S. B., Strel'nikov, V. P. (1988). Proektirovanie i nadezhnost' mnogoprotsessornyh EVM. M.: Radio i sviaz', 165.
  3. Zlatkin, A., Kravchenko, O., Vovchanovskyy, A. (2014). Analysis of causes degradation of materials of discrete devices of computer systems. Technology Audit And Production Reserves, 5(3(19)), 37-41. doi:10.15587/2312-8372.2014.27934
  4. Konakova, R. V., Kordosh, P., Thorik, Yu. A. et al. (1986). Prognozirovanie nadezhnosti poluprovodnikovyh lavinnyh diodov. Kiev: Nauka dumka, 168.
  5. Oreshkin, P. T., Ryzhkov, S. V. (1984). Bar'ernyi sloi kak rezonator pri poverhnostno-bar'ernoi neustoichivosti. FTP, T. 18, № 6, 1102-1105.
  6. Baliga, B. J., Ehle, R., Sears, A., Campbell, P., Garwacki, W., Katz, W. (1982, July). Breakdown stability of gold, aluminum, and tungsten Schottky barriers on gallium arsenide. IEEE Electron Device Letters, Vol. 3, № 7, 177–179. doi:10.1109/edl.1982.25528
  7. Dumas, J. M., Paugam, J., Le Mouellic, C., Boulaire, J. Y. (1983). Long term degradation of GaAs power MESFET’s induced by surface effects. 21th Ann. Proc. Reliab. Phys. Phoenix, Arizona, 226-228.
  8. Pirogov, Yu. A., Solodov, A. V. (2013). Povrezhdeniia integral'nyh mikroshem v poliah radioizlucheniia. Zhurnal radioelektroniki, № 6. Available: http://jre.cplire.ru/alt/jun13/15/text.html#14
  9. Akulova, G. V., Kornilova, T. A. (1980). Issledovanie defektov v arsenide galliia, vvodimyh pri termokompressii. Elektronnaia tehnika. Ser. 3. Mikroelektronika, V. 1, 61-64.
  10. Hahanov, V. I., Litvinova, E. I., Christopher Umerah Ngene. (2009). Servisnoe obsluzhivanie sovremennyh tsifrovyh sistem na kristallah. Radіoelektronnі і komp’iuternі sistemi, № 7, 319–323. Available: http://nbuv.gov.ua/j-pdf/recs_2009_7_59.pdf
  11. Massachusetts Institute of Technology. Available: http://newsoffice.mit.edu/

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-01-29

Як цитувати

Кравченко, О. В. (2015). Прогнозування надійності дискретних пристроїв на основі моделювання процесу деградації матеріалу. Technology Audit and Production Reserves, 1(2(21), 57–60. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2015.37697

Номер

Том 1 № 2(21) (2015): Інформаційні технології

Розділ

Інформаційні технології: Оригінальне дослідження

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.