Вплив домішок та умов вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського на величину часу життя нерівноважних носіїв заряду

Автор(и)

  • Роман Николаевич Воляр Запорізька державна інженерна академія, 69006, м. Запоріжжя, пр. Леніна, 226, Україна https://orcid.org/0000-0002-7299-0053

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2015.38119

Ключові слова:

кремній, монокристал, напівпровідник, вирощування, метод Чохральского, домішка, швидкість охолодження

Анотація

В роботі досліджується вплив таких домішок у монокристалічному кремнії, як кисень, вуглець, бор, а також швидкості охолодження вирощуваного монокристала на час життя нерівноважних носіїв заряду. Встановлено, що підвищення концентрації кисню і бору сприяє збільшенню часу життя нерівноважних носіїв заряду, а збільшення концентрації вуглецю і швидкості охолодження монокристала кремнію веде до зменшення часу життя нерівноважних носіїв заряду.

Біографія автора

Роман Николаевич Воляр, Запорізька державна інженерна академія, 69006, м. Запоріжжя, пр. Леніна, 226

Доцент

Кафедра металургії кольорових металів 

Посилання

  1. Ferenbruh, A., Bub, R.; Translated from English: Gavrilova, I. P., Darevskii, A. S.; In: Koltun, M. M. (1987). Fundamentals of Solar Cells. Photovoltaic Solar Energy Conversion. M.: Energoatomizdat, 280.
  2. Voronkov, V. V. (1982, October). The mechanism of swirl defects formation in silicon. Journal of Crystal Growth, Vol. 59, № 3, 625–643. doi:10.1016/0022-0248(82)90386-4
  3. Reivi, K.; Translated from English: Vysotskaia, V. V. et al.; In: Gorin, S. N.; Sobolev, V. S. (1984). Imperpections and Ivpurities in Semiconductor Silicon. M.: Mir, 472.
  4. Nashel'skii, A. Ya. (1989). Proizvodstvo poluprovodnikovyh materialov. M.: Metallurgiia, 272.
  5. Babich, V. M., Bletskan, N. I., Venger, E. F. (1997). Kislorod v monokristallah kremniia. K.: Іnterpres LTD, 239.
  6. Fal'kevich, E. S., Pul'ner, E. O., Chervonnyi, I. F., Shvartsman, L. Ya., Iarkin, V. N., Salli, I. V.; In: Fal'kevich, E. S. (1992). Tehnologiia poluprovodnikovogo kremniia. M.: Metallurgiia, 407.
  7. Chervony, I. F., Kutsova, V. Z., Pozhuev, V. I., Shvets, Ye. Ya., Nosko, O. A., Yehorov, S. H., Volyar, R. M.; In: Chervony, I. F. (2009). Napivprovidnykovyi kremnii: teoriia i tekhnolohiia vyrobnytstva. Ed. 2. Zaporizhzhia: ZDIA, 488.
  8. GOST 19658-81. Monocrystalline silicon in ingots. Specifications. (1990). Acted from 01.01.83 to 01.01.93. Republished 1987, July. M.: Izdatel'stvo standartov, 72.
  9. Kritskaia, T. V., Chervonyi, I. F. (2002). Issledovanie vliianiia kisloroda i ugleroda na povedenie bora i fosfora v kremnii. Abstracts of papers. Soveshchanie po rostu kristallov, plenok i defektam struktury kremniia. "Kremnii-2002", 9-12 iiulia 2002 g. Novosibirsk, 30.
  10. Adler, Yu. P., Markova, E. V., Granovskii, Yu. V. (1976). Planirovanie eksperimenta pri poiske optimal'nyh uslovii. Ed. 2. M.: Nauka, 280.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-01-29

Як цитувати

Воляр, Р. Н. (2015). Вплив домішок та умов вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського на величину часу життя нерівноважних носіїв заряду. Technology Audit and Production Reserves, 1(4(21), 50–54. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2015.38119

Номер

Том 1 № 4(21) (2015): Технології харчової, легкої та хімічної промисловості

Розділ

Технології харчової, легкої та хімічної промисловості

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.