Моделювання процесу деградації комп'ютерних компонентів дискретних пристроїв

Автор(и)

  • Ольга Віталіївна Кравченко Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка 460, м. Черкаси, 18006, Україна https://orcid.org/0000-0002-9669-2579

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2015.51795

Ключові слова:

надійність, дискретний пристрій, композитний матеріал, аналіз, моделювання, фізична деградація

Анотація

В статті змодельовано фізичну поведінку складових матеріалів комп’ютерних компонент дискретних пристроїв та досліджено умови їх деградації. Процес моделювання надає можливість проводити попередню оцінку поводження композитних складових дискретного пристрою, що прискорює дослідження процесу деградації у часі. 

Біографія автора

Ольга Віталіївна Кравченко, Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка 460, м. Черкаси, 18006

Старший викладач

Кафедра інформаційних технологій проектування

Посилання

  1. Hansen, M., Anderko, K. (1962). Struktura dvoinyh splavov. Moscow: Metallurgizdat, 608.
  2. In: Yakubovskyi, S. V. (1985). Analohovi ta tsyfrovi intehralni mikroskhemy. Ed. 2. Moscow: Radio i zviazok, 432.
  3. Pasynkiv, V. V., Sorokin, V. S. (1986). Materialy elektronnoi tekhniky. Ed. 2. Moscow: Vyshcha Shkola, 367.
  4. Wong, H.-S. P., Mitra, S., Akinwande, D., Beasley, C., Chai, Y. et al. (2011, December). Carbon nanotube electronics – Materials, devices, circuits, design, modeling, and performance projection. 2011 International Electron Devices Meeting. Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), 23.1.1–23.1.4. doi:10.1109/iedm.2011.6131594
  5. Mehta, J. U., Borders, W. A., Liu, H., Pandey, R., Datta, S., Lunardi, L. (2015). III-V Tunnel FET Model With Closed-Form Analytical Solution. IEEE Transactions on Electron Devices. Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), 1. doi:10.1109/ted.2015.2471808
  6. Maffezzoni, P., Daniel, L., Shukla, N., Datta, S., Raychowdhury, A. (2015, September). Modeling and Simulation of Vanadium Dioxide Relaxation Oscillators. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Vol. 62, № 9, 2207–2215. doi:10.1109/tcsi.2015.2452332
  7. Zlatkin, A., Kravchenko, O., Vovchanovskyi, O. (2014). Analysis of causes degradation of materials of discrete devices of computer systems. Technology Audit And Production Reserves, 5(3(19)), 37–41. doi:10.15587/2312-8372.2014.27934
  8. Kravchenko, O. V. (2003). Matematychna model mizhfazovoi vzaiemodii v kompozytakh ta utochnennia modeli metodamy obchysliuvalnoi matematyky. Visnyk Skhidnoukrainskoho natsionalnoho universytetu im. V. Dalia, 7 (65), 84–88.
  9. Kravchenko, O. V. (2015). Issledovanie prichin degradatsii materiala diskretnyh ustroistv dlia obespecheniia ih nadezhnosti. Materiály XI mezinárodní vědecko – praktická konference «Věda a technologie: krok do budoucnosti – 2015». Technické vědy. Matematika.Moderní informační technologie. Výstavba a architektura, Díl. 17. Praha: Publishing House «Education and Science», 77–80.
  10. Kravchenko, O. V. (2015). Prognozirovanie nadezhnosti diskretnyh ustroistv na osnove modelirovaniia protsessov degradatsii kampozitnyh materiallov komp'iuternyh. Sovremennyi nauchnyi vestnik, 9 (256), 77–82.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-09-22

Як цитувати

Кравченко, О. В. (2015). Моделювання процесу деградації комп’ютерних компонентів дискретних пристроїв. Technology Audit and Production Reserves, 5(2(25), 23–26. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2015.51795

Номер

Том 5 № 2(25) (2015): Інформаційні технології. Математичне моделювання

Розділ

Інформаційні технології: Оригінальне дослідження

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.