Розробка інтелектуальної підсистеми прогнозування надійності роботи дискретних пристроїв «Прогноз»
DOI:
https://doi.org/10.15587/2312-8372.2016.80770Ключові слова:
надійність, дискретний пристрій, інтелектуальна система прогнозування, структурна схемаАнотація
Розроблена інтелектуальна підсистема прогнозування надійності роботи дискретних пристроїв. В основу роботи програмного продукту покладено метод прогнозування надійності дискретних пристроїв на основі моделювання процесу деградації комп'ютерних компонентів. Описано алгоритм роботи підсистеми, покроковий механізм оцінки показників вимірювальних приладів та структурна схема інтелектуальної підсистеми прогнозування надійності Mikrosystem 1.0 «Прогноз».
Посилання
- Kripiakevich, P. I. (1977). Strukturnye tipy intermetallicheskih soedinenii. Moscow: Nauka, 290.
- Tareev, B. M. (1982). Fizika dielektricheskih materialov. Moscow: Energiia, 320.
- Kapur, K. C., Lamberson, L. R.; Translated from English: Kovalenko, E. G.; In: Ushakov, I. A. (1980). Reliability in Engineering Design. Moscow: Mir, 604.
- Gotra, Z. Yu., Nikolaev, I. M. (1978). Kontrol' kachestva i nadezhnost' mikroshem. Moscow: Radio i sviaz, 168.
- Kuts, Yu. V., Reutskyi, Ye. A., Shcherbak, L. M. (2011). Zadachi prohnozuvannia metrolohichnoi nadiinosti vymiriuvalnykh zasobiv. Zbirnyk naukovykh prats Instytutu problem modeliuvannia v enerhetychnii nadiinosti vymiriuvalnykh zasobiv im. H. Ye. Pukhova NANU, Vol. 61, 53–59.
- Eremenko, V. S., Pereidenko, A. V. (2012, August 31). Software of Information-Measurement System for Standardless Diagnostic of Composite Materials. International Journal of Software Engineering, Vol. 2, № 3, 65–76. doi:10.5923/j.se.20120203.04
- Shulzhenko, M. H., Yefremov, Yu. H., Tsybulko, V. Y., Deparma, O. V. (2016). Rozrobka mobilnoho bahatofunktsionalnoho vymiriuvalno-diahnostychnoho kompleksu neruinivnoho kontroliu i otsinky tekhnichnoho stanu enerhetychnykh i transportnykh ahrehativ tryvaloi ekspluatatsii. Tehnicheskaia diagnostika i nerazrushaiushchii kontrol, 1, 32–38.
- Kravchenko, O. (2015). Research the causes of degradation of the material discrete devices to ensure their reliable. Proceedings of the International Conference «Computational Intelligence (Results, Problems and Perspectives)», May 12-15, 2015, Kyiv-Cherkasy, Ukraine. Cherkasy, 283–284. ISBN 978-966-493-975-8.
- Kravchenko, O. (2015). Reliability prediction of discrete devices by modeling the process of material degradation. Technology Audit And Production Reserves, 1(2(21)), 57–60. doi:10.15587/2312-8372.2015.37697
- Kravchenko, O. (2015). Degradation process simulation of computer components of discrete devices. Technology Audit And Production Reserves, 5(2(25)), 23–26. doi:10.15587/2312-8372.2015.51795
- Lee, H., Cho, S. W., Yi, Y. (2016, December). Interfacial electronic structure for high performance organic devices. Current Applied Physics, Vol. 16, № 12, 1533–1549. doi:10.1016/j.cap.2016.09.009
- Natali, M., Kenny, J. M., Torre, L. (2016, December). Science and technology of polymeric ablative materials for thermal protection systems and propulsion devices: A review. Progress in Materials Science, Vol. 84, 192–275. doi:10.1016/j.pmatsci.2016.08.003
- Li, S., Ren, Y., Biswas, P., Tse, S. D. (2016, July). Flame aerosol synthesis of nanostructured materials and functional devices: Processing, modeling, and diagnostics. Progress in Energy and Combustion Science, Vol. 55, 1–59. doi:10.1016/j.pecs.2016.04.002
- Kheradmand, R., Aghdami, K. M., Talouneh, K. (2016, October). The switching of dark and bright soliton in 1D discrete cavity laser. Chaos, Solitons & Fractals, Vol. 91, 511–515. doi:10.1016/j.chaos.2016.07.005
- Kheradmand, R., Aghdami, K. M., Talouneh, K. (2016, October). The switching of dark and bright soliton in 1D discrete cavity laser. Chaos, Solitons & Fractals, Vol. 48, № 2, 372–382. doi:10.1016/j.chaos.2016.07.005
- Dumas, J. M., Paugam, J., LeMouellic, C., Boulaire, J. Y. (1983). Long Term Degradation of GaAs Power MESFET’s Induced by Surface Effects. 21st International Reliability Physics Symposium, Phoenix, Arizona, April 5-7, 1983. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 226–228.
- Baliga, B. J., Ehle, R., Sears, A., Campbell, P., Garwacki, W., Katz, W. (1982, July). Breakdown stability of gold, aluminum, and tungsten Schottky barriers on gallium arsenide. IEEE Electron Device Letters, Vol. 3, № 7, 177–179. doi:10.1109/edl.1982.25528
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Ольга Віталіївна Кравченко
![Creative Commons License](http://i.creativecommons.org/l/by/4.0/88x31.png)
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.