Розробка способу підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів шляхом наноструктурування кремнієвих пластин

Автор(и)

  • Yana Suchikova Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідт, 4, м. Бердянськ, Україна, 71100, Україна https://orcid.org/0000-0003-4537-966X

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2016.85137

Ключові слова:

фотоелектричні перетворювачі, пористий кремній, коефіцієнт відбиття, електрохімічне травлення, наноструктури

Анотація

Визначено технологічні режими отримання шару поруватого кремнію. Поруватий кремній доцільно формувати методом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти. Встановлено, що товщина пористого шару корелює з часом травлення. Пористість демонструє майже лінійну залежність від щільності струму. Визначено доцільність використання пористого кремнію у якості основного матеріалу для виготовлення фотоелектричних перетворювачів (ФЕП).

Біографія автора

Yana Suchikova, Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідт, 4, м. Бердянськ, Україна, 71100

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра професійної освіти

Посилання

  1. Ostafiychuk, B. K., Muronyuk, I. F., Kotsyubynsky, V. O., Glukhanyuk, V. D., Chelyadyn, V. L., Nagirna, N. N. (2008). Dye-Sensitized Solar Cells (Review). Physics and Chemistry of Solid State, 9 (1), 11–18.
  2. Alekseenko, S. V. (2006). Alternative Energy and Energy and Resource Saving Innovations. Technology. Solutions, 3, 38–41.
  3. Aroutiounian, V. M., Martirosyan, Kh. S., Hovhannisyan, A. S., Soukiassian, P. G. (2008). Use of Porous Silicon for Double- and Trilpe-Layer Antireflection Coatings in Silicon Photovoltaic Converters. Proceedings of National Academy of Sciences of Armenia. Physics, 43 (2), 111–119.
  4. Listratenko, A. M. (2001). Research and development of low-cost production technology of high-performance silicon solar cells for space application. Radioengineering, 121, 121–125.
  5. Zhao, J., Wang, A., Green, M. A. (1999, November). 24·5% Efficiency silicon PERT cells on MCZ substrates and 24·7% efficiency PERL cells on FZ substrates. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 7 (6), 471–474. doi:10.1002/(sici)1099-159x(199911/12)7:6<471::aid-pip298>3.0.co;2-7
  6. Suchikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2011, January). Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals. Semiconductors, 45 (1), 121–124. doi:10.1134/s1063782611010192
  7. Suchikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2010). Influence of the Carrier Concentration of Indium Phosphide on the Porous Layer Formation. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2 (4), 142–147.
  8. Suchikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2010). Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution. Functional Materials, 17 (1), 131–134.
  9. Dzhafarov, T.; In: Morales-Acevedo, A. (2013). Silicon Solar Cells with Nanoporous Silicon Layer. Solar Cells – Research and Application Perspectives. InTech, 386. doi:10.5772/51593
  10. Shin, B.-K., Lee, T.-I., Xiong, J., Hwang, C., Noh, G., Cho, J.-H., Myoung, J.-M. (2011, September). Bottom-up grown ZnO nanorods for an antireflective moth-eye structure on CuInGaSe2 solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 95 (9), 2650–2654. doi:10.1016/j.solmat.2011.05.033
  11. Boden, S. A., Bagnall, D. M. (2010, May). Optimization of moth-eye antireflection schemes for silicon solar cells. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 18 (3), 195–203. doi:10.1002/pip.951

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-11-24

Як цитувати

Suchikova, Y. (2016). Розробка способу підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів шляхом наноструктурування кремнієвих пластин. Technology Audit and Production Reserves, 6(1(32), 16–20. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2016.85137

Номер

Том 6 № 1(32) (2016): Машинознавство та машинобудування. Електротехніка та промислова електроніка. Інформаційні технології

Розділ

Електротехніка та промислова електроніка: Оригінальне дослідження

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Yana Sychikova

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.