Аналіз існуючих уявлень про традиційні методи вирощування металевих ниткоподібних кристалів. Осадження речовини з газової фази
DOI:
https://doi.org/10.15587/2312-8372.2016.70512Ключові слова:
ниткоподібні кристали, методи вирощування, металеві «віскери», газова фаза, рідинна фазаАнотація
В матеріалі статті розглянуто існуючі уявлення стосовно одного з традиційних методів вирощування металевих ниткоподібних кристалів як осадження даних кристалів з газової фази. Досліджено механізми росту ниткоподібних кристалів під час їх осадження. Розглянуто процес отримання ниткоподібних кристалів шляхом кристалізації з газової фази через рідинну.
Посилання
- Givargisov, E. I. (1977). Rost nitevidnyh i plastinchatyh kristallov is para. Moscow: Nauka, 304.
- Berezhkova, G. V. (1969). Nitevidnye kristally. Moscow: Gosisdat, 158.
- Syrkin, V. G. (1983). Karbonily metallov. Moscow: Himiia, 200.
- Gribov, B. G., Domrachev, G. A., Zhuk, B. V. (1981). Osazhdenie plenok i pokrytii raslozheniem metalloorganicheskih soedinenii. Moscow: Nauka, 322.
- Gabor, B., Blocher, V. (1969). Neposredstvenno nabliudaemyi pod mikroskopom rost zhelesnyh viskerov, himicheski vyrashivaemyh is gasovoi fasy. J. Apple. Phys., № 7, 224–226.
- Ivanova, V. S., Gordenko, L. K. (1964). Novye puti povyshcheniia prochnosti metallov. Moscow: Nauka, 118.
- Nitevidnye kristally i tonkie plenki. (1975). Materialy II Vsesoiusnoi nauchnoi konferentsii «Nitevidnye kristally». Voronezh: VPI, 466.
- Nitevidnye kristally dlia novoi tehniki. (1979). Materialy III Vsesoiusnoi nauchnoi konferentsii «Nitevidnye kristally». Voronezh: VPI, 231.
- Ammer, S. A., Postnikov, V. S. (1974). Nitevidnye kristally. Voronezh: VPI, 284.
- Shchishchelova, T. I., Stepanova, N. E., Plynskaia, D. A., Beliaeva, M. A. (2009). Nitevidnye kristally. Uspehi sovremennogo estestvosnaniia, № 8, 12–13.
- Pomerantseva, E. A., Koslova, M. G., Leonova, L. S., Dobrovol'skii, Yu. A., Kulova, T. L., Skundin, A. M., Gudilin, E. A., Tret'iakov, Yu. D. (2007). Nitevidnye kristally. Materialy Vserossiiskoi konferentsii «Issledovaniia i rasrabotki po prioritetnomu napravleniiu rasvitiia nauki, tehnologii i tehniki «Industriia nanosistem i materialy», 18-19 ianvaria 2007 g., g. Moskva. Mezhdunarodnyi nauchnyi zhurnal «Al'ternativnaia energetika i ekologiia», № 1 (45), 126–127.
- Hadiia, N. M. A. (2011). Poluchenie i issledovanie opticheskih svoistv poluprovodnikovyh oksidov ZnO2 i Zn2O3. Voronezh, 128.
- Riabtsev, S. V., Hadiia, N. M. A., Chernyshchov, F. M., Riabtsev, S. V., Domashchevskaia, E. P. (2009). Osobennosti opticheskih spektrov nitevidnyh nanokristallov SnO2. Materialy 7 Vserossiiskoi konferentsii-shchkoly «Nelineinye protsessy i problemy samoorganisatsii v sovremennom materialovedenii (industriia nanosistem i materialy)», 28 sentiabria-2 oktiabria 2009 g. Voronezh, 308–311.
- Domashchevskaia, E. P., Hadiia, N. M. A., Seredin, P. V., Riabtsev, S. V. (2008). Morfologicheskie, strukturnye i opticheskie issledovaniia nanovolokon SnO2, sintesirovannyh is poroshchka SnO. Materialy IV Vserossiiskoi konferentsii «Fisiko-himicheskie protsessy v kondensirovannom sostoianii i na mezhfasnyh granitsah»: «Fagran – 2008», 6-9 oktiabria 2008 g. Voronezh, 367–371.
- Wagner, R. S., Ellis, W. C. (1964). Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Single Crystal Growth. Applied Physics Letters, Vol. 4, № 5, 89. doi:10.1063/1.1753975
- Deriagin, B. V., Fedoseev, D. V., Luk'ianovich, V. M., Sinitsin, B. V., Riabov, V. A., Lavrent'ev, A. V. (1968). UNF DAN SSSR, № 5, 1094.
- McAleer, W. J., Barkemeyer, H. R., Pollak, P. I. (1961). Vapor Phase Growth of Gallium Arsenide Crystals. Journal of The Electrochemical Society, Vol. 108, № 12, 1168–1169. doi:10.1149/1.2427980
- Wagner, R. S., Doherty, C. I., Ellis, W. C. (1964). The Journal of The Minerals, Metals & Materials Society, Vol. 16, 761.
- James, D. W. F., Lewis, C. (1965, August). Silicon whisker growth and epitaxy by the vapour-liquid-solid mechanism. British Journal of Applied Physics, Vol. 16, № 8, 1089–1094. doi:10.1088/0508-3443/16/8/305
- Thornton, P. R., James, D. W. F., Lewis, C., Bradford, A. (1966, July). Silicon whisker growth by the vapour-liquid-solid process. Philosophical Magazine, Vol. 14, № 127, 165–177. doi:10.1080/14786436608218998
- Kamadjiev, P. R., Mladjov, L. K., Velchev, N. B. (1966). C. r. Acad. Bujgarie sci., № 19, 779.
- Barns, R. L., Ellis, W. C. (1964). The Journal of The Minerals, Metals & Materials Society, Vol. 16, 761.
- Barns, R. L., Ellis, W. C. (1965). Whisker Crystals of Gallium Arsenide and Gallium Phosphide Grown by the Vapor-Liquid-Solid Mechanism. Journal of Applied Physics, Vol. 36, № 7, 2296. doi:10.1063/1.1714466
- Laverko, E. N., Marahonov, V. M., Poliakov, S. M. (1965). Crystallography Reports, № 10, 132.
- Holonyak, N., Wolfe, C. M., Moore, J. S. (1965). Vapor-Liquid-Solid Growth of Gallium Phosphide. Applied Physics Letters, Vol. 6, № 4, 64. doi:10.1063/1.1754167
- Iida, S., Sugita, Y. (1966). GaAs-Whisker Crystals Containing Germanium Core. Applied Physics Letters, Vol. 8, № 4, 77. doi:10.1063/1.1754494
- Sitarik, J. P. (1966). Preparation and Morphology of Boron Filamentary Crystals Grown by the Vapor-Liquid-Solid Mechanism. Journal of Applied Physics, Vol. 37, № 6, 2399. doi:10.1063/1.1708826
- Wagner, R. S. (1968, January). A solid-liquid-vapor etching process. Journal of Crystal Growth, Vol. 3-4, 159–161. doi:10.1016/0022-0248(68)90117-6
- Mutaftschiev, B., Kern, R., Georges, C. (1965, May). Sur le mecanisme vls de croissance des whiskers. Physics Letters, Vol. 16, № 1, 32–33. doi:10.1016/0031-9163(65)90388-4
- Barber, D. J. (1964, July). Electron microscopy and diffraction of aluminium oxide whiskers. Philosophical Magazine, Vol. 10, № 103, 75–94. doi:10.1080/14786436408224209
- Edwards, P. L., Happel, R. J. (1962). Beryllium Oxide Whiskers and Platelets. Journal of Applied Physics, Vol. 33, № 3, 943. doi:10.1063/1.1777195
- Yoda, E. (1960, May 15). Anomalous Growth of MoO 3 Crystals. Journal of the Physical Society of Japan, Vol. 15, № 5, 821–829. doi:10.1143/jpsj.15.821
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.