Accelerated crystallization mechanism of silicon

Authors

  • Иван Федорович Червоний Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Евгений Яковлевич Швец Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Юрий Викторович Головко Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Сергей Геннадиевич Егоров Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.2274

Keywords:

Silicon, structure, accelerated crystallization mechanism

Abstract

The way of speed increase of dislocation-free silicon monocrystals growth by FZ-method is submitted. Accelerated crystallization mechanism of silicon, taking into account  crystal-chemical aspects of crystallization is offered

Author Biographies

Иван Федорович Червоний, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой

Кафедра металлурги цветных металлов

Евгений Яковлевич Швец, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Кандидат технических наук, профессор, первый проректор

Юрий Викторович Головко, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Кандидат технических наук, доцент

Кафедра физической и биомедицинской электроники

Сергей Геннадиевич Егоров, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Кандидат технических наук, доцент

Кафедра металлурги цветных металлов

References

  1. Червоний І.Ф. Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва / І.Ф. Червоний , В.З. Куцова, В.І. Пожуєв, Є.Я. Швець, О.А. Носко, С.Г. Єгоров, Р.М. Воляр. – Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2009. – 488 с.
  2. Воронков В.В. Влияние скорости роста и температурного градиента на тип микродефектов в бездислокационном кремнии / В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Н.В. Веселовская, М.Г. Веселовская, И.Ф. Червоный // Кристаллография. – 1984.- Вып.6. – С. 1176-1181.
  3. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов / Ю.Г. Полтавцев. – М.: Металлургия, 1984. – 178 с.
  4. Шаскольская М.П. Кристаллография / М.П. Шаскольская. – М.: Высш. Школа, 1976. – 391 с.
  5. Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава / Х.С. Багдасаров. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. – 160 с.
  6. Глазов В.М. Жидкие полупроводники / В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. – М.: Наука, 1967. – 244 с.
  7. Казимиров В.П. Характер упорядочения атомов в расплаве и поверхностные свойства простых эвтектических систем / В.П. Казимиров, А.С. Роик, В.М. Перевертайло, О.Б. Логинова, С.А. Лисовенко // Сверхтвердые материалы. – 2008. - №4. – С. 35.- 52. www.ism.kiev.ua
  8. Tsuji К. Pressure dependence of the structure of liquid group 14 elements / К. Tsuji., T. Hattrori, T. Mori et al // J. Phys.: Condens. Matter.- 2004. - № 16.- P. 989-996.
  9. Goto R. Structural and electronic properties of liquid Ge—Sn alloys: ab initio molecular-dynamic simulation / R. Goto, F. Shimojo, S. Nunejiri, K. Hoshino // J. Phys. Soc. Japan. - 2004. - 73, № 10.- P. 2746-2752.

How to Cite

Червоний, И. Ф., Швец, Е. Я., Головко, Ю. В., & Егоров, С. Г. (2012). Accelerated crystallization mechanism of silicon. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(54), 19–22. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.2274