Drain detection on the mos transistor with built-in channel

Authors

  • Андрій Дмитрович Верига Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, Ukraine
  • Леонід Францевич Політанський Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1789

Keywords:

Drain detection, autodyne sensor, transistor

Abstract

Modes of the drain detection in an autodyne sensor on the depletion MOS field-effect transistor are investigated. The analytical description of drain current dependence taking into account a load resistance in a drain circuit is carried out

Author Biographies

Андрій Дмитрович Верига, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012

Асистент

Кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки

Леонід Францевич Політанський, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки

References

  1. Stoican, O.S. NQR detection setup [Текст]/ O.S. Stoican// Rom. Journ. Phys..— 2006.— Vol. 51, № 1-2.— P. 311-315
  2. Lorenzo, A. A solid state marginal oscillator for NMR detection [Текст]/ A. Lorenzo// Summer Research Program: Research Experiences for Undergraduates, from May 26 through July 31 2009.— The Department of Physics at the University of Florida, 2009.— P.1-11
  3. Хандожко, А.Г. Автодинный детектор для исследования ядерного магнитного резонанса и размерных эффектов в полупроводниках [Текст]/ А.Г. Хандожко, Е.И. Слынько, И.П. Черныш// Приборы и техника эксперимента (ПТЭ).— 1988.— №5.— С.110-112
  4. Мицкунас, С. О чувствительности автодинных датчиков сигнала ядерного магнитного резонанса [Текст]/ С. Мицкунас, В. Лесаускис// сборн. "Электрические машины".— 1968.— С.107-119
  5. Бородин, П.М. Ядерный магнитный резонанс [Текст]/ П.М. Бородин.— Ленинград: Издательство ленинградского университета имени А.А. Жданова, 1974.— 144с.
  6. Декабрун, Л.Л. Автодинные датчики сигналов ядерного магнитного резонанса [Текст]// Л.Л. Декабрун, Ю.Н. Кильянов, А.Р. Мкртчян/ Известия академии наук Армянской ССР. Физико-математические науки.— 1965.— №3, XVIII.— С.134-142
  7. Probst, P.A. Marginal oscillator optimized for radiofrequency size effect measurements [Текст]/ P.A. Probst, B. Collet, W.M. MacInnes// Rev. Sci. Instrum. .— 1976.— vol.47, №12.— P.1522-1526
  8. Andersen, P.M. Ultralow power low noise ultrahigh frequency magnetic resonance spectrometer [Текст]/ P.M. Andersen, N.S. Sullivan, L.W. Phelps, and J.B. Legg// Rev. Sci. Instrum. .— 1992.— Vol.63, № 1.— P.157-162
  9. Брайловський, В.В. Ефективність стокового детектування в автодинному спін-детекторі [Текст]/ В.В. Брайловський, А.Д. Верига, О.Г. Хандожко// Науковий вісник Чернівецького університету, Фізика. Електроніка. Збірник наукових праць.— 2004.— Випуск 201.— С.110-112
  10. Салливен, Н Применение полевых транзисторов в ЯМР- и ЯКР-спектрометрах [Текст]/ Н. Салливен// Приборы для научных исследований.– 1973.– №3.– С.56-59.
  11. Соботковский, Б.Е. Чувствительность простейших спин-детекторов [Текст]/ Б.Е. Соботковский// ЯКР.— Калининградский государственный университет.— 1976.— Вып.1.— С.23-36
  12. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов [Текст]: в 2 книгах / С. Зи; Перевод с английского, под.ред. Р.А. Суриса.— Москва: Мир, 1984
  13. Бирюков, В.Н. О точности идентификации параметров моделей полевого транзистора [Текст]/ В.Н. Бирюков, А.М. Пилипенко// Моделирование как инструмент решения технических и гуманитарных проблем [Ч.2.]: международная научная конференция, 2002: материалы конф..— Таганрог: ТРТУ, 2002.– C. 10-11.
  14. Пилипенко, А.М. Особенности параметрической оптимизации статических моделей полевого транзистора [Текст]/ А.М. Пилипенко// Оптимальные методы решения научных и практических задач [Ч. 4.]: международная научная конференция, 2005: материалы конф..— Таганрог: ТРТУ, 2005.– С. 51-56.
  15. Верига, А.Д. N-канальний D-МОН транзистор з подвійною дифузією дециметрового діапазону частот [Текст]/ А.Д. Верига, Л.Ф. Політанський// Восточно-Европейский журнал передовых технологий.– 2010.– № 5.– С.9-12
  16. Micro-Cap 8.0: Electronic Circuit Analysis Program. Reference Manual [Текст].— Spectrum Software, 2005.— 790p.
  17. Брайловский, В.В. Моделирование схемы автодинного сенсора на полевом транзисторе [Текст]/ В.В. Брайловский, А.Д. Верига, З.Ю. Готра, Н.Я. Кушнир// Известия вузов. Радиоэлектроника.– 2010.– № 10, Том 53.– С.43-49
  18. Sullivan, N. Nuclear resonance spectrometers using field effect transistors [Текст]/ N. Sullivan// Rev. Sci. Instrum. .— 1971.— vol.42, №4.— P.462-465

Downloads

How to Cite

Верига, А. Д., & Політанський, Л. Ф. (2012). Drain detection on the mos transistor with built-in channel. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2(5(50), 41–45. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1789

Issue

Vol. 2 No. 5(50) (2011): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Андрій Дмитрович Верига, Леонід Францевич Політанський

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.