Inversion of type of conductivity in firm solutions CdxHg1-xTe

Authors

  • Анжела Миколаївна Дмитрів Кафедра хімії Івано-Франківський національний медичний університет, Ukraine
  • Оксана Любомирівна Сав’як Кафедра біохімії з курсом біонеорганічної, фізколоїдної та біоорганічної хімії Івано-Франківський національний медичний університет, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2860

Keywords:

point defects, cadmium of telluride, mercury telluride, hard solutions, crystalloquasichemistry

Abstract

The results of researches of imperfect subsystem of sosoloid of CdxHg1-xTe (0,1 < х < 0,3) are resulted. Influence of the isothermal annealing of crystals of CdxHg1-xTe is considered on the concentration of transmitters of current and point defects. The crystalloquasichemical models of formation of point defects are offered in the crystals of CdxHg1-xTe.

Author Biographies

Анжела Миколаївна Дмитрів, Кафедра хімії Івано-Франківський національний медичний університет

Кандидат хімічних наук, ассистент

Оксана Любомирівна Сав’як, Кафедра біохімії з курсом біонеорганічної, фізколоїдної та біоорганічної хімії Івано-Франківський національний медичний університет

Асистент

References

  1. Moskvin P.P., Rashovets’kyi L.V., Kaverksev S.V. Polyassociative thermodynamical model of A2B6 semiconductor melt and P-T-X equlibria in Cd-Hg-Te system: 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system // Semicond. Phys., Quantum Electr. & Optoelectr. – 2003. – V. 6, № 1. – P. 23–27.
  2. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств Hg1-xCdxTe низкоэнергетическими ионами (обзор) // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37, №10. – С. 1153–1178.
  3. Васильев В.П., Мамонтов М.Н., Быков М.А. Термодинамические свойства и устойчивость твердых растворов системы CdTe-HgTe-Te // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 2, химия. – 1990. – Т.31, №3. – С. 211–218.
  4. Богобоящий В.В. Особенности прыжковой проводимости кристалов p-Hg0,78Cd0,22Te при двойном легировании // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т.36, №1. – С. 29–36.
  5. Курило И.В., Бекеша С.Н., Островская А.С. Морфология и особенности структуры кристаллов CdxHg1-xTe, полученных методом химических транспортных реакций // Неорганические материалы. – 1993.–Т.29, №8. – С. 1157–1159.
  6. Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование электрофизических свойств CdxHg1-xTe // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, № 7. – С. 784–791.
  7. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Фреїк Д.М., Жуковські П.В. Точкові дефекти твердого розчину CdxHg1-xTe // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 4.– С. 792–798.
  8. Дмитрів А.М. Точкові дефекти та їх компенсація у меркурій телуриді // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6, №2. –С.287–294.
  9. Krause R., Klimakow A., Kiessling F., Polity A., Gille P., Schenk M. Study of Hg vacancies in (Hg, Cd)Te after thm growth and postgrowth annealing by positron annihilation // J. Cryst. Growth. – 1990. – V. 101. – P. 512–516.
  10. Krause-Rehberg R., Leipner H., Abgarjan T., Polity. Review of defect investigations by means of positron annihilation in II-VI compound semiconductors // Applied Physics A. – 1998. – V. 66. – P. 599–614.

Downloads

Published

2010-05-28

How to Cite

Дмитрів, А. М., & Сав’як, О. Л. (2010). Inversion of type of conductivity in firm solutions CdxHg1-xTe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(7(45), 32–36. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2860

Issue

Vol. 3 No. 7(45) (2010): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Анжела Миколаївна Дмитрів, Оксана Любомирівна Сав’як

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.