РЕЗИСТИВНИЙ ЧАСТОТНИЙ ДАТЧИК НА ОСНОВІ ДВОХПАРАМЕТРИЧНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА ІММІТАНСУ

Автор(и)

  • Людмила Броніславівна Ліщинська Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна
  • Яна Сергіївна Рожкова Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна
  • Роман Юрійович Чехместрук Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна
  • Микола Антонович Філинюк Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.4080

Ключові слова:

іммітанс, узагальнений перетворювач імітансу (УПІ)

Анотація

Розроблено математичну модель резистивного частотного датчика на основі двохпараметричного УПІ. Досліджено його основні параметри в залежності від параметрів компонентів. Визначено оптимальні значення параметрів, що забезпечують максимальну чутливість пристрою.

Біографії авторів

Людмила Броніславівна Ліщинська, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Яна Сергіївна Рожкова, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Магістрант

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Роман Юрійович Чехместрук, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Магістрант

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Микола Антонович Філинюк, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Посилання

  1. Ерофеева И. А. Импульсные устройства на однопереходном транзисторе / И. А. Ерофеева. – М.: Связь, 1974. – 72 с.
  2. Двухбазовые диоды в автоматике / А. Е. Ольсевич и др. – М.: Энергия, 1972. – 67 с.
  3. Стафаев, В. И. Теоретические и экспериментальные исследования двухбазового диода. / В. И. Стафаев, А. П. Штагер– Рига: Знание, 1986. – 525 с.
  4. Ліщинська Л. Б. Дослідження узагальненого перетворювача імітансу (УПІ) на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова // Електронний журнал «Наукові праці ВНТУ». – 2010. – № 2. – С. 7 -14.
  5. Филинюк Н. А. Инжекционно-пролётный транзистор: материалы VI междунар. науч.-практ. конф. «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе», Баку / Н. А. Филинюк, И. В. Булыга. – Баку: Сумгаит, 2007. – 95 – 97 с.
  6. Ліщинська Л. Б., Визначення, класифікація і параметри багатопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу / Л. Б. Ліщинська // Вісник ВПІ. – 2010. - №5. – С. 105 – 108.
  7. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора: тези доп. наук.-практ. конф. «Контроль і управління в складних системах» (окт.2008) / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Шведюк, М. А, Філинюк. – Вінниця: ВНТУ, 2008. – 137 с.
  8. Установка для вимірювання граничної частоти одноперехідного транзистора: пат. 41314 України: МПК8 G01R 27/28 (2006.01) / Ліщинська Л.Б., Шведюк А. Г., Філинюк М.А.;заявник та власник патенту Вінницький національний технічний університет. - № 200900490/09; заявл. 23.01.2009; опубл. 12.05.2009, Бюл. №9. – 4 с.
  9. Сигорский, В. П. Основы теории электронных схем: учеб.пособие для вузов / В.П. Сигорский, А.И. Петренко. – К.: Техника, 1967. - 609 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-06-01

Як цитувати

Ліщинська, Л. Б., Рожкова, Я. С., Чехместрук, Р. Ю., & Філинюк, М. А. (2012). РЕЗИСТИВНИЙ ЧАСТОТНИЙ ДАТЧИК НА ОСНОВІ ДВОХПАРАМЕТРИЧНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА ІММІТАНСУ. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(9(57), 4–7. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.4080

Номер

Розділ

Інформаційно-керуючі системи