RESISTIVE FREQUENCY SENSOR BASED ON TWO-PARAMETER IMMITANCE CONVERTER

Authors

  • Людмила Броніславівна Ліщинська Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Ukraine
  • Яна Сергіївна Рожкова Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Ukraine
  • Роман Юрійович Чехместрук Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Ukraine
  • Микола Антонович Філинюк Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.4080

Keywords:

іmmitance, generalized immitance convertor (GCI)

Abstract

A mathematical model of a resistive frequency sensor based on two-parameter GIC was exploited. The basic parameters of sensor components in a certain range of frequencies were investigated. The research results permitted to find optimal values of parameters to make sensor functionality the most effective.

Author Biographies

Людмила Броніславівна Ліщинська, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Яна Сергіївна Рожкова, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Магістрант

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Роман Юрійович Чехместрук, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Магістрант

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

Микола Антонович Філинюк, Вінницький національний технічний університет вул. Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

References

  1. Ерофеева И. А. Импульсные устройства на однопереходном транзисторе / И. А. Ерофеева. – М.: Связь, 1974. – 72 с.
  2. Двухбазовые диоды в автоматике / А. Е. Ольсевич и др. – М.: Энергия, 1972. – 67 с.
  3. Стафаев, В. И. Теоретические и экспериментальные исследования двухбазового диода. / В. И. Стафаев, А. П. Штагер– Рига: Знание, 1986. – 525 с.
  4. Ліщинська Л. Б. Дослідження узагальненого перетворювача імітансу (УПІ) на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, Я. С. Рожкова // Електронний журнал «Наукові праці ВНТУ». – 2010. – № 2. – С. 7 -14.
  5. Филинюк Н. А. Инжекционно-пролётный транзистор: материалы VI междунар. науч.-практ. конф. «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе», Баку / Н. А. Филинюк, И. В. Булыга. – Баку: Сумгаит, 2007. – 95 – 97 с.
  6. Ліщинська Л. Б., Визначення, класифікація і параметри багатопараметричних узагальнених перетворювачів іммітансу / Л. Б. Ліщинська // Вісник ВПІ. – 2010. - №5. – С. 105 – 108.
  7. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора: тези доп. наук.-практ. конф. «Контроль і управління в складних системах» (окт.2008) / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Шведюк, М. А, Філинюк. – Вінниця: ВНТУ, 2008. – 137 с.
  8. Установка для вимірювання граничної частоти одноперехідного транзистора: пат. 41314 України: МПК8 G01R 27/28 (2006.01) / Ліщинська Л.Б., Шведюк А. Г., Філинюк М.А.;заявник та власник патенту Вінницький національний технічний університет. - № 200900490/09; заявл. 23.01.2009; опубл. 12.05.2009, Бюл. №9. – 4 с.
  9. Сигорский, В. П. Основы теории электронных схем: учеб.пособие для вузов / В.П. Сигорский, А.И. Петренко. – К.: Техника, 1967. - 609 с.

Published

2012-06-01

How to Cite

Ліщинська, Л. Б., Рожкова, Я. С., Чехместрук, Р. Ю., & Філинюк, М. А. (2012). RESISTIVE FREQUENCY SENSOR BASED ON TWO-PARAMETER IMMITANCE CONVERTER. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(9(57), 4–7. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.4080

Issue

Section

Information and controlling system