Combined method of destruction of information from semi-conductor carriers with non-volatile memory

Authors

  • Борис Васильевич Хлопов FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20, Russian Federation
  • Юрий Степанович Бондарев FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20, Russian Federation
  • Александр Васильевич Шпак FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20, Russian Federation
  • Максим Владимирович Фесенко FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20, Russian Federation

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.5994

Keywords:

combined method, indirect control, semi-conductor data carriers, (flash – memory), built-in monitoring system, device of transformation of tension, device of correction of a charge, device of accumulation of energy, shaper of impulses of management

Abstract

Now the industry of the different countries and the wide nomenclature of data carriers, based on chips of flash, memory are issued. These mobile data carriers turned into portable computers and servers. At the certain minuses connected with a resource of work, they are used in professional communication systems since they are especially steady against external influence. The use of hardware-software means of PEVM predetermines possibility of unauthorized access to information on semi-conductor carriers, which is an actual problem. Importance of this problem increases for cases of special documents, which should be kept or guaranteed and are most operatively destroyed from semi-conductor carriers with non-volatile memory. The use of the process combining two and more methods of deleting of information in real time with simultaneous built-in control increases reliability of deleting of information. The offered method effectively could be used in devices of emergency deleting of information in communication systems

Author Biographies

Борис Васильевич Хлопов, FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20

Candidate of technical sciences, dozent, the head of department

Юрий Степанович Бондарев, FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20

Doctor of Military Sciences

First Deputy General Director

Александр Васильевич Шпак, FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20

Candidate of technical sciences, the head of department

Максим Владимирович Фесенко, FGUP «CNIRTI im. akademika A.I.Berga» 105066, Moscow, Novaja Basmannaja st., 20

Candidate of technical sciences, deputy chief of department

References

  1. Аваев, Н.А. Электронные приборы [Текст] / Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. // М.: Изд-во МАИ, 1996. – 544 с.: ил.
  2. D. Frohman-Bentchkowsky, "Memory behaviour in a floating gate avalanche injection MOS (FAMOS) structure,"// Appl. Phys. Lett., vol. 18, 1971, p.332.
  3. Балякин, И.А. Приборы с переносом заряда в радиотехнических устройствах обработки инфорамации [Текст] / И.А. Балякин и др. // М.: Радио и связь, 1987. – 176 с.: ил.
  4. Секен, К. Приборы с переносом заряда. Перевод с английского [Текст] / К. Секен, М. Томпсет // М.: Мир, 1978 с., ил.
  5. Гуляев, Ю.В. “Нано-микросистемная техника” [Текст] / Гуляев Ю.В., Лобанов Б.С., Митягин А.Ю., Хлопов Б.В., Фесенко М.В. // 2009 г., № 11, С.42-46.
  6. Митягин, А.Ю. Аппаратура для уничтожения информации с современных носителей [Текст] / А.Ю. Митягин, Б.В Хлопов // Palmarium Academic Publishing (LAP LAMBERT Academic Publishing CmbH Co. KG, Р. 168.
  7. Митягин А.Ю., Хлопов Б.В., Фесенко М.В., Крутов М.М. / Патент на изобретение №2323491 от 27.04.2008г. (приоритет от 16.05.2006г). Бюл. №12.
  8. Митягин А.Ю., Лобанов Б.С., Хлопов Б.В., Фесенко М.В., Кузминых А.С. / Патент на изобретение №2428754 от 10.09.2011г. (приоритет от 02.03.2010г). Бюл. №25.
  9. Хлопов Б.В., Фесенко М.В. / Патент на изобретение №2346345 от 10.02.2009г. (приоритет от 26.04.2007г). Бюл. №4.
  10. Фесенко М.В., Хлопов Б.В. / Патент на полезную модель №60255 от 10.01.2007г. (приоритет от 26.09.2007г). Бюл. №1.
  11. Хлопов Б.В., Лобанов Б.С., Бондарев Ю.С., Фесенко М.В., Дьяков М.С. / Патент на изобретение №105510 от 10.06.2011г. (приоритет от 27.12.2010г). Бюл. №16.

Published

2012-12-25

How to Cite

Хлопов, Б. В., Бондарев, Ю. С., Шпак, А. В., & Фесенко, М. В. (2012). Combined method of destruction of information from semi-conductor carriers with non-volatile memory. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(11(60), 11–16. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.5994

Issue

Section

Radio engineering information tools