Optimization of growing process of silicon bases for production of polycrystalline silicon

Authors

  • Юрий Васильевич Реков ПрАО «Завод полупроводников» ул. Тепличная, 16, г. Запорожье, Украина, 69600, Ukraine
  • Иван Федорович Червоный Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Сергей Геннадиевич Егоров Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Олег Алексеевич Кисарин Запорожской государственной инженерной академии пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Роман Николаевич Воляр Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1584

Keywords:

Polikristallicheskiy silicon, epitaksiya layer, tension, gas environment, inductor

Abstract

Influence of terms of growing of silicic bases is considered on education on their surface of epitaksiya layer. The exception of education on the surface of silicic bases of  epitaksiya layer is offered by conducting of process of melting in a gas environment at pressure higher atmospheric

Author Biographies

Юрий Васильевич Реков, ПрАО «Завод полупроводников» ул. Тепличная, 16, г. Запорожье, Украина, 69600

Генеральный директор

Иван Федорович Червоный, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой

Кафедра металлургии цветных металлов

Сергей Геннадиевич Егоров, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Докторант, кандидат технических наук, доцент

Кафедра металлургии цветных металлов

Олег Алексеевич Кисарин, Запорожской государственной инженерной академии пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Кандидат технических наук, доцент

Кафедра физической и биомедицинской электроники

Роман Николаевич Воляр, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина, 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Аспирант

Кафедра металлургии цветных металлов

References

  1. Hilary Flynn, Travis Bradford. Polysilicon. Supply, Demand, et Implication for the PV Industry [Электронный ресурс] - Режим доступа : http://pdfbest.com/09/0935c0f1e7576bb7-download.pdf/ – 23.04.2011.
  2. Johannes Bernreuter. Polysilicon industry faces shakeout [Электронный ресурс] - Режим доступа :
  3. http://www.bernreuter.com/fileadmin/user_upload/silicon_report/Polysilicon_Industry.pdf/ – 23.04.2011.
  4. Green Rhino Energy. Value Chain Activity: Producing Polysilicon [Электронный ресурс] - Режим доступа :
  5. http://www.greenrhinoenergy.com/solar/industry/ind_01_silicon.php/ – 23.04.2011.
  6. Бочкарев, Э. П. Полупроводниковый поликристаллический кремний [Текст] / А. В. Елютин, Л. С. Иванов // Изв. вузов. Цветная металлургия. - 1997. - № 5. - С. 20-26.
  7. Андреев, В. В. Как организовать делопроизводство на предприятии [Текст] / В. В. Андреев. — М.: ИНФРА-М, 1997. — 94 с.
  8. Салли, И. В. Производство полупроводникового кремния [Текст] / Э. С. Фалькевич. – М. : Металлургия, 1970. – 152 с.
  9. Нашельский, А. Я. Производство полупроводниковых материалов [Текст] / А. Я. Нашельский. – М. : Металлургия, 1989. – 272 с.
  10. Кожитов, Л. В. Технологическое вакуумное оборудование. Часть 1. Вакуумные системы технологичсекого оборудования: Учебник для вузов [Текст] / А. Ю. Зарапин, Н. А. Чиченев. – М. : Издательский дом «Руда и металлы», 2001. – 416 с.
  11. Фалькевич, Э. С. Технология полупроводникового кремния. Монография [Текст] / Э. С. Фалькевич, Э. О. Пульнер, И. Ф. Червоный, Л. Я. Шварцман, В. Н. Яркин, И. В. Салли // М. : Металлургия, 1992. – 408 с.
  12. Хирс, Д. Испарение и конденсация, пер. с англ. [Текст] / Д. Хирс, Г. Паунд // М. : Металлургия, 1966. – 196 с.
  13. Еланский, Г. Н. Исследование угара железа в дуговых электропечах и изменение физических свойств стали при внепечной обработке / М. В. Шишимиров, О. М. Сосонкин, К. С. Филиппов, Сазонов А. П., Крюков А. П., М. С. Добрикова [Электронный ресурс] - Режим доступа :
  14. http://ruconf.ru/upload/iblock/587/9af2e7079cc42ce1ca10412b694d085c.pdf
  15. Кисарин, О. А. Трещинообразование в кремниевом стержне большого диаметра [Текст] / В. Н. Яркин, Ю. В. Реков, И. Ф. Червоный // Металлургия. Сб. науч. раб. Запорожье : ЗГИА, 2010. - Вып. 21. - С. 125-131.
  16. Беляев, Н. М. Рядно А.А. Методы нестационарной теплопроводности [Текст] / Н. М. Беляев, А.А. Рядно. – М. : Высшая школа, 1978. – 326 с.
  17. Слухоцкий, А. Е. Индукторы для индукционного нагрева [Текст] / А. Е. Слухоцкий, С. Е. Рыскин. – Л. : «Энергия», 1974. – 264 с. с ил.

Downloads

How to Cite

Реков, Ю. В., Червоный, И. Ф., Егоров, С. Г., Кисарин, О. А., & Воляр, Р. Н. (2012). Optimization of growing process of silicon bases for production of polycrystalline silicon. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(5(51), 15–20. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1584

Issue

Vol. 3 No. 5(51) (2011): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Юрий Васильевич Реков, Иван Федорович Червоный, Сергей Геннадиевич Егоров, Олег Алексеевич Кисарин, Роман Николаевич Воляр

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.