Electrical and optical characteristics of capacitors based on nanocomposite material GASE <KNO3>

Authors

  • Захар Дмитрович Ковалюк Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Ukraine
  • Віктор Васильович Нетяга Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Ukraine
  • Денис Юрійович Коноплянко Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Ukraine
  • Анатолій Петрович Бахтінов Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3324

Keywords:

intercalation, ferroelectric, capacitor, nanostructure

Abstract

Impedance spectra of the GaSe nanostructures are investigated under illumination. It is established that the processes of accumulation and transport of charge carriers in these structures are due to quantum-dimensional processes in high electrical fields. We have found an essential increase of the capacity of capacitors under their illumination.

Author Biographies

Захар Дмитрович Ковалюк, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Доктор фізико-математичних наук, професор, керівник відділення

Віктор Васильович Нетяга, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Денис Юрійович Коноплянко, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Аспірант

Анатолій Петрович Бахтінов, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

References

  1. М.Д. Глинчук, Є.А.Єлісєєв, Г.М.Морозовська. Розмірні ефекти в сегнетоелектричних наноматеріалах. УФЖ.- 2009.- Т.5.- №1.- С.34-60.
  2. Бахтинов А.П.,.Водопьянов В.Н,Слинько Е.И.,Ковалюк З.Д.,Литвин О.С. Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001)//Письма в ЖТФ. 2007. - Т.33.- №2.- С.80-88.
  3. Z.D.Kovalyuk, A.P Bakhtinov., V.N.Vodop’yanov, A.V.Zaslonkin, V.V.Netyaga. Hydrogen sorption in layered nanoporous GaSe crystals // Carbon nanomaterials in clean energy hydrogen systems / Ed. by Baranowski B ., Zaginaichenko S.Yu., Schur D.V., Skorokhod V.V., Veziroglu A. Springer Netherlands. 2009. P.765–777.
  4. B.Tuttle.,G.L.Brenecka,C.M.Parish,L.M.Brewer,J.G.Ekerdt,J. Wheeler. Multilayer ultrathin film PLZT capasitors: Nanoscale Materials Issues. Mater. Res. Soc. Symp. Pros. V.1034E, K6.1(2008)
  5. В.М.Фридкин. Сегнетоэлектрики – полупроводники - М.: Наука, 1976.- 408с.
  6. S.V.Kalinin, A.N.Morozovska, L.Q.Chen, B.J.Rodriquez. Local polarization dynamics in ferroelectric materials. Rep. Prog. Phys.,73,P. 056502 (2010).
  7. Григорчак И. И., Нетяга В. В., Козьмик И. Д., Товстюк К. Д., Ковалюк З. Д., Бахматюк Б. П., Голуб С. Я. Новые аспекты интеркаляции // Письма в ЖТФ. - 1989. - Т.15.- №24. - С. 87 - 90.
  8. Y.Cui, R.Dupere, A.Burger, D. Johnstone, K.C. Mandal, S.A. Payne. Acceptor levels in GaSe:In crystals investigation by deep-level transient spectroscopy and photoluminescence. J. Appl.Phys., 103,P. 013710 (2008).
  9. R. Ahluwalia, Nathaniel Ng, D.J. Srolovitz. Surface morphology effects on polarization switching in nanoscale ferroelectrics. Nanotechnology, 20, P. 445709 (2009).
  10. Турик А.В, Радченко Г.С, Чернобабов А.И, Турик С.А, Супрунов В.В.Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты. ФТТ.- 2006.- Т. 48.- В.6.- С.1088-1090.
  11. G.Z.Liu, C. Wang, C.-C.Wang, J.Qiu, M.He, J.Xing, K.-J.Jin, H.-B.Lu, G.-Z.Yang. Effects of interfacial polarization on the dielectric properties of BiFeO3 thin film capacitors Appl.Phys. Lett., 92,P. 122903 ( 2008).
  12. Меджидов А.Б., Мурадов Р.М., Мехтиева С.И., Алиев И.М. Емкостные характеристики Ni-GeO-GaSe структур при освещении. Изв.АН Азерб., сер. ФТМН .-2003.-Т.23.-№ 2.-С.128-134.
  13. B.Erdinc, H. Akkus. Ab-initio study of the electronic structure and optical properties of KNO3 in the ferroelectric phase.Phys.Scr. 79 ,P. 025601(2009).
  14. I.I.Grigorchak, V.V. Netyaga, Z.D.Kovalyuk. J. Phys.: Condens. Matter, 9, L191 (1997).
  15. Бахтинов А.П., Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Литвин О.С.Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления // ФТТ.- 2007.-Т.49.- В.8.- С.1497–1503.
  16. В.А.Зуев, В.Г.Попов. Фотоэлектрические МДП-приборы.-М.:Сов. радио.,1983.-175с.

Downloads

Published

2010-11-10

How to Cite

Ковалюк, З. Д., Нетяга, В. В., Коноплянко, Д. Ю., & Бахтінов, А. П. (2010). Electrical and optical characteristics of capacitors based on nanocomposite material GASE &lt;KNO3&gt;. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(48), 30–35. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3324

Issue

Vol. 6 No. 5(48) (2010): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Захар Дмитрович Ковалюк, Віктор Васильович Нетяга, Денис Юрійович Коноплянко, Анатолій Петрович Бахтінов

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.