Електричні та оптичні характеристики конденсаторів на основі нанокомпозитного матеріалу GASE <KNO3>

Автор(и)

  • Захар Дмитрович Ковалюк Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Україна
  • Віктор Васильович Нетяга Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Україна
  • Денис Юрійович Коноплянко Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Україна
  • Анатолій Петрович Бахтінов Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3324

Ключові слова:

інтеркаляція, сегнетоелектрик, конденсатор, наноструктура

Анотація

Досліджено вплив освітлення на імпедансні спектри наноструктур GaSe. Встановлено,що процеси акумуляції і переносу заряду обумовлені протіканням квантово-розмірних процесів в високих електричних полях. Виявлено значне збільшення електричної ємності при освітленні конденсаторів.

Біографії авторів

Захар Дмитрович Ковалюк, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Доктор фізико-математичних наук, професор, керівник відділення

Віктор Васильович Нетяга, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Денис Юрійович Коноплянко, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Аспірант

Анатолій Петрович Бахтінов, Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.Н. Францевича

Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Посилання

  1. М.Д. Глинчук, Є.А.Єлісєєв, Г.М.Морозовська. Розмірні ефекти в сегнетоелектричних наноматеріалах. УФЖ.- 2009.- Т.5.- №1.- С.34-60.
  2. Бахтинов А.П.,.Водопьянов В.Н,Слинько Е.И.,Ковалюк З.Д.,Литвин О.С. Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001)//Письма в ЖТФ. 2007. - Т.33.- №2.- С.80-88.
  3. Z.D.Kovalyuk, A.P Bakhtinov., V.N.Vodop’yanov, A.V.Zaslonkin, V.V.Netyaga. Hydrogen sorption in layered nanoporous GaSe crystals // Carbon nanomaterials in clean energy hydrogen systems / Ed. by Baranowski B ., Zaginaichenko S.Yu., Schur D.V., Skorokhod V.V., Veziroglu A. Springer Netherlands. 2009. P.765–777.
  4. B.Tuttle.,G.L.Brenecka,C.M.Parish,L.M.Brewer,J.G.Ekerdt,J. Wheeler. Multilayer ultrathin film PLZT capasitors: Nanoscale Materials Issues. Mater. Res. Soc. Symp. Pros. V.1034E, K6.1(2008)
  5. В.М.Фридкин. Сегнетоэлектрики – полупроводники - М.: Наука, 1976.- 408с.
  6. S.V.Kalinin, A.N.Morozovska, L.Q.Chen, B.J.Rodriquez. Local polarization dynamics in ferroelectric materials. Rep. Prog. Phys.,73,P. 056502 (2010).
  7. Григорчак И. И., Нетяга В. В., Козьмик И. Д., Товстюк К. Д., Ковалюк З. Д., Бахматюк Б. П., Голуб С. Я. Новые аспекты интеркаляции // Письма в ЖТФ. - 1989. - Т.15.- №24. - С. 87 - 90.
  8. Y.Cui, R.Dupere, A.Burger, D. Johnstone, K.C. Mandal, S.A. Payne. Acceptor levels in GaSe:In crystals investigation by deep-level transient spectroscopy and photoluminescence. J. Appl.Phys., 103,P. 013710 (2008).
  9. R. Ahluwalia, Nathaniel Ng, D.J. Srolovitz. Surface morphology effects on polarization switching in nanoscale ferroelectrics. Nanotechnology, 20, P. 445709 (2009).
  10. Турик А.В, Радченко Г.С, Чернобабов А.И, Турик С.А, Супрунов В.В.Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты. ФТТ.- 2006.- Т. 48.- В.6.- С.1088-1090.
  11. G.Z.Liu, C. Wang, C.-C.Wang, J.Qiu, M.He, J.Xing, K.-J.Jin, H.-B.Lu, G.-Z.Yang. Effects of interfacial polarization on the dielectric properties of BiFeO3 thin film capacitors Appl.Phys. Lett., 92,P. 122903 ( 2008).
  12. Меджидов А.Б., Мурадов Р.М., Мехтиева С.И., Алиев И.М. Емкостные характеристики Ni-GeO-GaSe структур при освещении. Изв.АН Азерб., сер. ФТМН .-2003.-Т.23.-№ 2.-С.128-134.
  13. B.Erdinc, H. Akkus. Ab-initio study of the electronic structure and optical properties of KNO3 in the ferroelectric phase.Phys.Scr. 79 ,P. 025601(2009).
  14. I.I.Grigorchak, V.V. Netyaga, Z.D.Kovalyuk. J. Phys.: Condens. Matter, 9, L191 (1997).
  15. Бахтинов А.П., Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Литвин О.С.Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления // ФТТ.- 2007.-Т.49.- В.8.- С.1497–1503.
  16. В.А.Зуев, В.Г.Попов. Фотоэлектрические МДП-приборы.-М.:Сов. радио.,1983.-175с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-11-10

Як цитувати

Ковалюк, З. Д., Нетяга, В. В., Коноплянко, Д. Ю., & Бахтінов, А. П. (2010). Електричні та оптичні характеристики конденсаторів на основі нанокомпозитного матеріалу GASE &lt;KNO3&gt;. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(48), 30–35. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3324

Номер

Том 6 № 5(48) (2010): Прикладна фізика та матеріалознавство

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Захар Дмитрович Ковалюк, Віктор Васильович Нетяга, Денис Юрійович Коноплянко, Анатолій Петрович Бахтінов

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.