Дослідження впливу швидкозмінної температури на метрологічні характеристики тензорезистивного сенсора тиску
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2018.123391Ключові слова:
сенсор тиску, мембрана, термонапруження, швидкозмінна температура, метрологічні характеристикиАнотація
Отримані рівняння нестаціонарного температургоно поля у мембрані і корпусі тензорезистивного сенсора тиску при швидкозмінному термовпливі. На підставі цих рівнянь досліджується вплив термонапружень і термодеформацій у пружному елементі на статичну та динамічну характеристики сенсора. В дослідженнях показується взаємозв’язаність процесів, що впливають на температурну залежність сенсора. Запропоновані способи зменшення впливу цих процесів
Посилання
- Kraft, M., White, N. M. (Eds.) (2013). MEMS for Automotive and Aerospace Applications. Woodhead Publishing Limited, 355. doi: 10.1533/9780857096487
- Custom Pressure Sensors for the Aerospace Industry (2015). Merit Sensor. Available at: https://meritsensor.com/custom-pressure-sensors-for-the-aerospace-industry/
- Sensors for Aerospace & Defense. PCB Piezotronics. Available at: https://www.pcb.com/aerospace
- Markelov, I. G. (2009). Complex of pressure sensors for operation at nuclear power facilities. Sensors and systems, 11, 24–25.
- Mokrov, J. А., Vasilev, V. A., Belozubov, J. М. (2005). Application of thermal protection films to minimize the influence of non-stationary temperatures on thin-film strain-gauge pressure sensors. Sensors and systems, 9, 21–23.
- Zhao, L. B., Zhao, Y. L., Jiang, Z. D. (2006). Design and Fabrication of a Piezoresistive Pressure Sensor for Ultra High Temperature Environment. Journal of Physics: Conference Series, 48, 178–183. doi: 10.1088/1742-6596/48/1/033
- Hsieh, C.-C., Hung, C.-C., Li, Y.-H. (2013). Investigation of a Pressure Sensor with Temperature Compensation Using Two Concentric Wheatstone-Bridge Circuits. Modern Mechanical Engineering, 03 (02), 104–113. doi: 10.4236/mme.2013.32015
- Chiou, J. A., Chen, S. (2005). Thermal Stress Analysis for Differential Pressure Sensors. ASME 2005 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. Orlando, Florida, USA, 273–278. doi: 10.1115/imece2005-82946
- Mokrov, J. А., Belozubov, J. М., Tihomirov, D. V. (2004). Minimization of the error of thin-film strain-resistive pressure sensors under the influence of non-stationary temperature. Sensors and systems, 1, 26–29.
- Guo, Z., Lu, C., Wang, Y., Liu, D., Huang, M., Li, X. (2017). Design and Experimental Research of a Temperature Compensation System for Silicon-on-Sapphire Pressure Sensors. IEEE Sensors Journal, 17 (3), 709–715. doi: 10.1109/jsen.2016.2633324
- Aryafar, M., Hamedi, M., Ganjeh, M. M. (2015). A novel temperature compensated piezoresistive pressure sensor. Measurement, 63, 25–29. doi: 10.1016/j.measurement.2014.11.032
- Tykhan, M., Mokrytskyy, V., Teslyuk, V. (2017). Efect of the membrane thermodeflection on the accuracy of a tensoresistive pressure sensor. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4 (7 (88)), 32–37. doi: 10.15587/1729-4061.2017.107239
- Тimoshenko, S. P., Woinowsky-Krieger, S. (1979). Theory of Plates and Shells. New York: McGraw-Hill, 580.
- Beeby, S., Ensell, G., Kraft, M., Whait, N. (2004). MEMS Mechanical Sensors. Artech House Publishers, 271.
- Barlian, A. A., Park, W.-T., Mallon, J. R., Rastegar, A. J., Pruitt, B. L. (2009). Review: Semiconductor Piezoresistance for Microsystems. Proceedings of the IEEE, 97 (3), 513–552. doi: 10.1109/jproc.2009.2013612
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2018 Myroslav Tykhan, Taras Repetylo, Ihor Dilay, Viktor Markovych
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
