Корекція електродного потенціалу Sі-пластин перед формуванням поруватого шару

Автор(и)

  • Марія Михайлівна Воробець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19682

Ключові слова:

поруватий кремній, електродний потенціал, амоніачно-пероксидний розчин (АПР), кислотно-пероксидний розчин (КПР)

Анотація

Обґрунтовано можливий взаємозв’язок між величиною електродного потенціалу φs, станом поверхні та механізмами пороутворення в Si. Досліджено вплив способу фінішної хімічної обробки поверхні в кислотно-пероксидних (КПР) та амоніачно-пероксидних (АПР) розчинах на φs Si-пластин. Показано, що обробка Si в АПР сприяє стабілізації електродного потенціалу в нейтральному і кислому середовищах. У лужному середовищі гідроксидна плівка (Si–ОН) може перетворюватися в оксидну (Si–О), що приводить до зменшення потенціалу.

Біографія автора

Марія Михайлівна Воробець, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Кандидат хімічних наук, асистент

Кафедра аналітичної хімії

Посилання

  1. Горячев, Д. Н. Электрический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37, №4 – С.494–498.
  2. АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiО2 с помощью селективного травления / М. С. Дунаевский, J. J. Grob, А. Г. Забродский [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т.38, №11 – С.1294–1300.
  3. Вплив хімічної обробки на спектри фотолюмінесценції поруватих структур nc-Si–SiOx / В. А. Данько, І. З. Індутний, І. Ю. Майданчук [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2006. –№41 – С.92–99.
  4. Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом / Э. Б. Каганович, И. М. Кизяк, С. И. Кириллова [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т.36, №9 – С.1105–1110.
  5. Зимин, С. П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами / С. П. Зимин // Соросовский образовательный журнал. –2004. – Т.8, №1. – С.101–107.
  6. Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением / В. Я. Братусь, С. М. Окулов, Э. Б. Каганович [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т.38, №5 – С.621–625.
  7. Середин, П. В. Фотолюминесцентные свойства пористого кремния и способы их модификации / П. В. Середин // Молодой ученый. – 2012. – №10. – С. 17–23.
  8. Гаврилов, С. А. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF:HCl:C2H5OH / С. А. Гаврилов, А. И. Белегорохов, Л. И. Белогорохова // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т.36, №1 – С.104–108.
  9. Исследование процесса электрохимического формирования макропор в кремнии / Л. А. Карачевцева, О. А. Литвиненко, Э. А. Маловичко [и др.] // Теоретическая и экспериментальная химия. – 2000. – Т.36, № 3. – С. 193–197.
  10. Равновесные и неравновесные электродные процессы на пористом кремнии / Е. А. Тутов, М. Н. Павленко, Е. Е. Тутов [и др.] // Письма в ЖТФ – 2006. – Т.32, №13 – С.6–11.
  11. Хрипко, С. Л. Властивості шарів поруватого кремнію та епітаксіальних шарів на його поверхні / С. Л. Хрипко // Вісник Сумського державного університету. Серія: фізика, математика, механіка –2007.–№1 – С.157–162.
  12. Воробець, М. М. Деякі критерії якості фізико-хімічної обробки поверхні кремнієвих пластин / М. М. Воробець, А. Г. Волощук, Я. Ю. Тевтуль // Наук. вісник ЧНУ, вип.307, Хімія. – Чернівці, 2006. – С.75–80.
  13. Воробець, М. М. Дослідження стабільності електрофізичних параметрів Si-пластин перед формуванням поруватого кремнію / М. М. Воробець // Восточно-Европейский журнал передовых технологий // научный журнал. – Харьков: Технологический центр, 2012. –№ 6/12 (60). – С.50–52.
  14. Зимин, С. П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С. П. Зимин // Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т.34, №3. – С.359–363.
  15. Воробець, М. М. Термодинамічний аналіз фізико-хімічних процесів у системі Sі–H2O / М. М. Воробець, Г. І. Воробець, Я. Ю. Тевтуль // Наук. вісник ЧНУ, вип.606, Хімія. – Чернівці, 2012. С.101–105.
  16. Gоriachеv, D. (2003). Electrical method of forming porous silicon using an internal current source [Elektrichеskii sposob prigotovleniia pоristogo kremniia s ispolzovaniem vnutrinnego istochnika tоkа]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductors], 37/4, 494–498.
  17. Dunaevskii, M., Grob, J., Zabrodskii, А. [et al.] (2004). AFM imaging Si nanocrystals in the thermal oxide SiO2 using selective etching [АSМ vizualizatsiia nanokristallov Si v termicheskom оkisle SiО2 s pomoshchiu selektivnogo travleniia]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductors], 38/11, 1294–1300.
  18. Dankо, V., Indutnyi, І., Mаidanchuk, І. [et al.] (2006). The effect of chemical treatment on the photoluminescence spectra of porous structures of nc-Si-SiOx [Vplyv khіmіchnоi obrobky na spektry fotoliuminestsentsii poruvatykh struktur nc-Si–SiOx]. Optoelektronika i poluprovodnikovaia technika [ Optoelectronics and semiconductor technology], 41, 92–99.
  19. Kаgаnоvich, E., Кiziak, I., Кirillоvа S. [et al.] (2002). Photoluminescent and electronic properties of nanocrystalline silicon films doped with gold [Fotoliuminestsentnyie i elektronnyie svoistva plenok nanokristallicheskogo kremniia, lehirovannogo zolotom]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductors], 36/9, 1105–1110.
  20. Zimin, S. (2004). Porous silicon – a material with new properties [Pоristyi kremnii – material s novymi svоistvami]. Sorovskii obrazovatelnyi zhurnal [Soros Educational Journal], 8/1, 101–107.
  21. Bratus, V., Оkulov, S., Kaganovich, E. [et al.] (2004). Studies by electron paramagnetic resonance of nanocrystalline silicon films prepared by pulsed laser deposition [Issledovaniia metodom elektronnogo paramagnitnogo rezonansa plenok nanokristallicheskogo kremniia, poluchennykh impulsnym lazernym osazhdeniem]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductors], 38/5, 621–625.
  22. Seredin, P. (2012). Photoluminescence properties of porous silicon and methods of modification [Fotoliuminestsentnye svoistva poristogo kremniia i sposoby ikh modifikatsii]. Molodoi uchenyi [A young scientist], 10, 17–23.
  23. Gavrilov, S., Belegorokhov, A., Belogorokhova, L. (2002). The mechanism of oxygen passivation of porous silicon in solutions of HF:HCl:C2H5OH [Mekhanizm kislorodnoi passivatsii poristogo kremniia v rastvorakh HF:HCl:C2H5OH]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductors], 36/1, 104–108.
  24. Каrаchеvtsеvа, L., Litvinenko, О., Маlоvichkо, E. [et al.] (2000). Investigation of the electrochemical formation of macropores in silicon [Issledovanie protsessа elektrokhimicheskogo formirovaniia makropor v krеmnii]. Teoreticheskaia i eksperimentalnaia khimiia [Theoretical and Experimental Chemistry], 36/3, 193–197.
  25. Tutov, Е., Pavlenko, М., Tutov, Е. [et al.] (2006). Equilibrium and nonequilibrium electrode processes on porous silicon [Ravnovesnye i neravnovesnye elektrodnye protsessy nа poristom kremnii]. Pisma v ZhTF [Technical Physics Letters], 32/13, 6–11.
  26. Khrypko, S. (2007). Properties of porous silicon layers and epitaxial layers on the surface [Vlastyvosti shariv poruvatoho kremniiu ta epitaksialnykh shariv nа yoho poverkhni]. Visnyk Sumskoho derzhavnoho universytetu. Seriia: fizyka, matematyka, mekhanika [Science. journal of Sumy State University. Series: physics, mathematics, mechanics], 1, 157–162.
  27. Vоrоbеts, М., Voloshchuk, A., Tevtul, Ya. (2006). Some measure of quality of physicochemical treatment of a surface of silicon plates [Deiaki kryterii yakosti fizyko-khimichnoi obrobky poverchni kremniievych plastyn]. Nauk. visnyk ChNU, Khimiia [Science. journal ChNU, Chemistry], 307, 75–80.
  28. Vorobets, M. (2012). Investigation of the stability electrophysical parameters of the Si-wafers before forming porous layer [Doslidzhennia stabilnosti elektrofizychnykh parametriv Si-plastyn pered formuvanniam poryvatoho kremniiu]. Eastern-European journal of enterprise technologies, 6/12 (60), 50–52.
  29. Zimin, S. (2000). Classification of the electrical properties of porous silicon [Klassifikatsiia elektricheskikh svoistv poristogo kremniia]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductors], 34/3, 359–363.
  30. Vorobets, M., Vоrоbеts, G., Tevtul, Ya. (2012). Thermodynamic analysis of physical and chemical processes in the system Si–H2O [Termodynamichnui analiz fizyko-khimichnykh protsesiv u systemi Si –H2O]. Nauk. visnyk ChNU [Khimiia. Science. journal ChNU, Chemistry], 606, 101–105.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-12-28

Як цитувати

Воробець, М. М. (2013). Корекція електродного потенціалу Sі-пластин перед формуванням поруватого шару. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 50–53. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19682

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Марія Михайлівна Воробець

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.