Особливості синтезу зародкового шару та морфометричні характеристики нанострижнів ZnO

Автор(и)

  • Anatolii Orlov Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» Вул. Політехнічна, 16, к. 124, м. Київ, Україна 03056, Україна
  • Veronika Ulianova Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» Вул. Політехнічна, 16, к. 137, м. Київ, Україна 03056, Україна
  • Genadzi Pashkevich Національного технічного університету України “Київський політехнічний інституту” Вул. Політехнічна, 16, к. 015, м. Київ, Україна 03056, Україна
  • Oleksandr Bogdan Національного технічного університету України “Київський політехнічний інституту” Вул. Політехнічна, 16, к. 137, м. Київ, Україна 03056, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19737

Ключові слова:

зародковий шар, золь-гель, гідротермальний метод, нанострижні ZnO

Анотація

Представлено оригінальні результати синтезу нанострижнів ZnO за допомогою низькотемпературних методів на підкладках ніобату літію. Вперше продемонстровано «орієнтовані канали», які виникають після відпалу зародкового шару при температурі 400°С і свідчать про початок процесу кристалізації. Проаналізовано вплив властивостей зародкового шару ZnO, сформованого золь-гель методом, на морфометричні характеристики синтезованих гідротермальним методом нанострижнів.

Біографії авторів

Anatolii Orlov, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» Вул. Політехнічна, 16, к. 124, м. Київ, Україна 03056

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра мікроелектроніки

Veronika Ulianova, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» Вул. Політехнічна, 16, к. 137, м. Київ, Україна 03056

Аспірант

Кафедра мікроелектроніки

Genadzi Pashkevich, Національного технічного університету України “Київський політехнічний інституту” Вул. Політехнічна, 16, к. 015, м. Київ, Україна 03056

Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

НДІ Прикладної Електроніки

Oleksandr Bogdan, Національного технічного університету України “Київський політехнічний інституту” Вул. Політехнічна, 16, к. 137, м. Київ, Україна 03056

Заступник директора

НДІ Прикладної Електроніки

Посилання

  1. Jagadish, C. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications [Text] / C. Jagadish, S. J. Pearton – Elsevier: Amsterdam, 2006. – 859 p.
  2. Ozgur, U. ZnO devices and applications: a review of current status and future prospects [Text] / Umit Ozgur, Hadis Morkoc // Proceedings of the IEEE – 2010. – Vol. 89, № 7. – P. 1255-1268.
  3. Banerjee, D. Large hexagonal arrays of aligned ZnO nanorods [Text] / D. Banerjee, J. Rybczynski, J. Y. Huang, D. Z. Wang, K. Kempa, Z. F. Ren // Appl. Phys. A. – 2005. – № 80. – P. 749-752.
  4. Park, W. I. Metalorganic vapor-phase epitaxial growth of vertically well-aligned ZnO nanorods [Text] / W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, G. C. Yi // Appl. Phys. Lett. – 2002. – № 80. – P. 4232-4234.
  5. Orlov, A. Synthesis of ZnO Nanorods for Acoustic Wave Sensor / A. Orlov, V. Ulianova, Yu. Yakimenko, O. Bogdan, G. Pashkevich [Text] // 2013 IEEE XXXIII International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO). – 2013. – P. 25-27.
  6. Solis-Pomar, F. Growth of vertically aligned ZnO nanorods using textured ZnO films [Text] / F. Solis-Pomar, E. Martinez, M. F Melendrez, E. Perez-Tijerina // Nanoscale Research Letters. – 2011. – 6:524. – 11 p.
  7. Bai, Shr-Nan. Synthesis of ZnO nanowires by the hydrothermal method, using sol–gel prepared ZnO seed films [Text] / Shr-Nan Bai, Shich-Chuan Wu // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2011. – Vol. 22, № 4. – P. 339-344.
  8. Haikuo, Sun. Room-temperature preparation of ZnO nanosheets grown on Si substrates by a seed-layer assisted solution route [Text] / Haikuo Sun, Ming Luo, Wenjian Weng, Kui Cheng, Piyi Du, Ge Shen, Gaorong Han // Nanotechnology. – IOP Publishing Ltd., 2008. – Vol. 19, № 12. – 5 p.
  9. Bogdan, A. Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1) [Text] / A. Bogdan, A. Orlov, V. Ulianova // Electronics and Communications. – 2012. – Vol. 6(71). – P. 7-13.
  10. Giri, P. K., Effect of ZnO seed layer on the catalytic growth of vertically aligned ZnO nanorod arrays [Text] / P. K. Giri, Soumen Dhar, Ritun Chakraborty // Materials Chemistry and Physics. – Elsevier, 2010. – Vol. 122. – P. 18-22.
  11. Pashkevich, G. A. Crystallographic orientation of imcomplete breakdown channels in ZnP2 and CdP2 monocrystals [Text] / G. A. Pashkevich, A. L. Gurskii, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, V. M. Trukhan, V. N. Yakimovich // Phys. Stat. sol. – 1991. – Vol. 123. – P. 75-78.
  12. Jagadish, C. (2006). Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications. Amsterdam, Netherlands: Elsevier, 859.
  13. Umit Ozgur, Hadis Morkoc (2010). ZnO devices and applications: a review of current status and future prospects. Proceedings of the IEEE, 89 (7), 1255-1268.
  14. Banerjee, D., Rybczynski, J., Huang, J. Y., Wang, D. Z., Kempa, K., Ren, Z. F. (2005). Large hexagonal arrays of aligned ZnO nanorods. Appl. Phys. A., 80, 749-752.
  15. Park, W. I., Kim, D. H., Jung, S. W., Yi, G. C. (2002).Metalorganic vapor-phase epitaxial growth of vertically well-aligned ZnO nanorods. Appl. Phys. Lett., 80, 4232-4234.
  16. Orlov, A., Ulianova, V., Yakimenko Yu., Bogdan O., Pashkevich G. (2013). Synthesis of ZnO Nanorods for Acoustic Wave Sensor. IEEE XXXIII International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 25-27.
  17. Solis-Pomar, F., Martinez, E., Melendrez, M. F., Perez-Tijerina E. (2011). Growth of vertically aligned ZnO nanorods using textured ZnO films. Nanoscale Research Letters, 6:524, 11.
  18. Shr-Nan Bai, Shich-Chuan Wu (2011). Synthesis of ZnO nanowires by the hydrothermal method, using sol–gel prepared ZnO seed films. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 22 (4), 339-344.
  19. Haikuo Sun, Ming Luo, Wenjian Weng, Kui Cheng, Piyi Du, Ge Shen, Gaorong Han (2008). Room-temperature preparation of ZnO nanosheets grown on Si substrates by a seed-layer assisted solution route. Nanotechnology, 19 (12), 5.
  20. Bogdan, A., Orlov, A., Ulianova, V. (2012). Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1). Electronics and Communications, 6(71), 7-13.
  21. Giri, P. K., Dhar, S., Chakraborty, R. (2010). Effect of ZnO seed layer on the catalytic growth of vertically aligned ZnO nanorod arrays. Materials Chemistry and Physics, 122, 18-22.
  22. Pashkevich, G. A., Gurskii, A. L., Lutsenko, E. V., Yablonskii, G. P., Trukhan, V. M., Yakimovich, V. N. (1991). Crystallographic orientation of imcomplete breakdown channels in ZnP2 and CdP2 monocrystals. Phys. Stat. sol., 123, 75-78.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-01-04

Як цитувати

Orlov, A., Ulianova, V., Pashkevich, G., & Bogdan, O. (2014). Особливості синтезу зародкового шару та морфометричні характеристики нанострижнів ZnO. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 72–75. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19737

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Anatolii Orlov, Veronika Ulianova, Genadzi Pashkevich, Oleksandr Bogdan

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.