Вплив низькотемпературного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe–n-In2O3
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3380Ключові слова:
Шаруваті кристали, гетеропереходи, імпеданс, дефекти, наноутворенняАнотація
Досліджено вплив температурного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe–n-In2O3. Для середньостатистичних структур з Uхх=0,25 В і Ікз=250 μА спостерігається покращення Uхх на 48%, Ікз на 44%Посилання
- Катеринчук В.Н. Влияние режимов формирования собственного окисла на свойства гетеропереходов оксид–p-InSe. [Текст] / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, А.В. Заслонкин // Письма в ЖТФ. – 1999. – Т.25, №13, –С. 34–36.
- Катеринчук В.Н. Получение гетероструктур окисел–p-InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками. [Текст] / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т.38, №4, С. 417– 421.
- Ковалюк З.Д. Исследования изотипных фоточувствительных гетероструктур (собственный окисел)–n-InSe, полученных длительным термическим окислением. [Текст] / З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор, В.Н. Катеринчук, Нетяга В.В. // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т.41, №9, С. 1074–1077.
- Ластивка Г.И. Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSe–InSe. [Текст] / Г.И. Ластивка, О.Н. Сидор, З.Д. Ковалюк, А.Г. Ходожко. // Східно-Європейський журнал передових технологій. 2010. T. 4, N 5(46). С. 28-34. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2978
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. [Текст]. Т. 1. / С. Зи. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Захар Русланович Кудринський, Захар Дмитрович Ковалюк
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.