Підготовка поверхні кремнієвих матеріалів до текстурування
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3417Ключові слова:
Мультикремній, текстура, світловідбиття, поліруванняАнотація
Процес текстурування поверхні напівпровідникових пластин використовується для зменшення коефіцієнту світловідбиття та, відповідно, збільшення значень фотоконверсіїПосилання
- J. Bauer Hot spots in multicrystalline silicon solar cells: avalanche breakdown due to etch pits / J. Bauer, J. Wagner, A. Lotnyk et al. // Phys. Status Solidi RRL. – 2009. – vol. 3, No. 2. – P. 40-42.
- J.D. Hylton Alkaline etching for reflectance reduction in multycrystalline silicon solar cells /J.D. Hylton, A.R. Burgers, W.C. Sinke// Journal of electrochemical society. – 2004. – vol. 151. – P. 408 – 427.
- J. Kim Surface reflectance reduction of multicrystalline silicon wafers for solar cells by acid texturing / J.Kim, B. Kim, S. Lee // Journal of the Korean institute of electrical and electronic materials engineers. – 2008. – vol. 21, No 2. – P. 99 – 103.
- B. Gonzalez–Diaz Optimization of roughness, reflectance and photoluminiscence for acid textured mc-Si solar cells etched at different HF/HNO3 concentrations / B. Gonzales-Diaz, R. Guerrero-Lemus, B. Diaz-Herrera et al. // Materials science and engineering. – 2009. – vol. 159-160. – P. 295-298.
- S.W. Park Application of acid texturing to multi-crystalline silicon wafers / S.W. Park, J. Kim, S.H. Lee // J. Kor. Phys. Soc. – 2002. – vol. 30, No. 1. – P. 423 – 426.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Юрій Васильович Попадинець
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
