Розробка удосконалених методик розрахунку комутаційних перенапруг в напівпровідникових апаратах змінного струму
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.63765Ключові слова:
напівпровідниковий апарат, комутаційні перенапруги, захисне RC-коло, варистор, методика розрахункуАнотація
Виконані дослідження комутаційних перенапруг, прикладених до напівпровідникових ключів напівпровідникових апаратів змінного струму при комутації електричних кіл. Запропонована уточнена методика розрахунку величини цих перенапруг для напівпровідникових ключів, зашунтованих захисними RC-колами разом з варисторами, яка враховує як динамічні характеристики силових приладів напівпровідникових ключів, так і різних варіантів виконання останніх. Методика дозволяє значно підвищити точність розрахунку параметрів захисних кіл. Наведені приклади розрахунку комутаційних перенапруг для найбільш розповсюджених умов роботи напівпровідникових апаратів.
Посилання
- Soskov, A. G., Soskova, I. A. (2005). Poluprovodnikovyie apparatyi: kommutatsiya, upravlenie, zaschita. Kyiv: Karavella, 344 .
- Murai, K., Tanaka, T., Babasaki, T., Nozaki, Y. (2011). Development of PDC and PDU with semiconductor breakers. 2011 IEEE 33rd International Telecommunications Energy Conference (INTELEC), 1–8. doi: 10.1109/intlec.2011.6099748
- Tanaka, Y., Takatsuka, A., Yatsuo, T., Sato, Y., Ohashi, H. (2013). Development of semiconductor switches (SiC-BGSIT) applied for DC circuit breakers. 2013 2nd International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology (ICEPE-ST), 1–4. doi: 10.1109/icepe-st.2013.6804323
- Soskov, A. G., GlEbova, M. L., SabalaEva, N. O., Forkun, Ya. B. (2014). Calculation of the thermal mode in semiconductor devices in conditions of their operation in semiconductor apparatuses. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5/8 (71), 58–66.
- Soskov, A. G., Sabalaeva, N. O. (2012). Gibridni kontaktori nizkoyi naprugi z pokraschenimi tehniko-ekonomichnimi harakteristikami. Kharkivska natsional'na akademiya miskogo gospodarstva, 268.
- Shukla, A., Demetriades, G. D. (2015). A Survey on Hybrid Circuit-Breaker Topologies. IEEE Trans. Power Delivery, 30 (2), 627–641. doi: 10.1109/tpwrd.2014.2331696
- Khalifa, M., Rahman, A., Enamul-Haque, S. (1979). Solid-state a.c. circuit breaker. Proceedings of the Institution of Electrical Engineers, 126 (1), 75–76. doi: 10.1049/piee.1979.0013
- Soskov, A. G. (2011). Usovershenstvovannyie silovyie kommutatsionnyie poluprovodnikovyie apparatyi nizkogo napryazheniya. Kharkovskaya natsional'naya akademiya gorodskogo hozyaistva, 156.
- Abe, S., Fukushima, K., Sihun, Y., Ogawa, M., Nomura, K., Shoyama, M., Ninomiya, T., Matsumoto, A., Fukui, A., Yamasaki, M. (2010). Malfunction mechanism of semiconductor circuit breaker in HVDC power supply system. 2010 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, 3733–3738. doi: 10.1109/ecce.2010.5617785
- Magnusson, J., Bissal, A., Engdahl, G., Saers, R., Zhang, Z., Liljestrand, L. (2013). On the use of metal oxide varistors as a snubber circuit in solid-state breakers. IEEE PES ISGT Europe 2013, 1–4. doi: 10.1109/isgteurope.2013.6695454
- Kerboua, H., Sebille, D., Miserey, F. (1993). 1200 V snubberless symmetrical GTO for AC switches. Power Electronics and Applications, 1993. Fifth European Conference on IET Conference Publications, 2, 272–277.
- Magnusson, J., Saers, R., Liljestrand, L., Engdahl, G. (2014). Separation of the Energy Absorption and Overvoltage Protection in Solid-State Breakers by the Use of Parallel Varistors. IEEE Transactions on Power Electronics, 29 (6), 2715–2722. doi: 10.1109/tpel.2013.2272857
- Bessonov, L. A. (2002). Teoreticheskie osnovyi elektrotehniki. Elektricheskie tsepi. Moscow: Gardariki, 640.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Anatoly Soskov, Natalia Sabalaeva, Marina Glebova, Yana Forkun
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
