Inversion of type of conductivity in firm solutions CdxHg1-xTe

Authors

  • Анжела Миколаївна Дмитрів Кафедра хімії Івано-Франківський національний медичний університет, Ukraine
  • Оксана Любомирівна Сав’як Кафедра біохімії з курсом біонеорганічної, фізколоїдної та біоорганічної хімії Івано-Франківський національний медичний університет, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2860

Keywords:

point defects, cadmium of telluride, mercury telluride, hard solutions, crystalloquasichemistry

Abstract

The results of researches of imperfect subsystem of sosoloid of CdxHg1-xTe (0,1 < х < 0,3) are resulted. Influence of the isothermal annealing of crystals of CdxHg1-xTe is considered on the concentration of transmitters of current and point defects. The crystalloquasichemical models of formation of point defects are offered in the crystals of CdxHg1-xTe.

Author Biographies

Анжела Миколаївна Дмитрів, Кафедра хімії Івано-Франківський національний медичний університет

Кандидат хімічних наук, ассистент

Оксана Любомирівна Сав’як, Кафедра біохімії з курсом біонеорганічної, фізколоїдної та біоорганічної хімії Івано-Франківський національний медичний університет

Асистент

References

  1. Moskvin P.P., Rashovets’kyi L.V., Kaverksev S.V. Polyassociative thermodynamical model of A2B6 semiconductor melt and P-T-X equlibria in Cd-Hg-Te system: 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system // Semicond. Phys., Quantum Electr. & Optoelectr. – 2003. – V. 6, № 1. – P. 23–27.
  2. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств Hg1-xCdxTe низкоэнергетическими ионами (обзор) // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37, №10. – С. 1153–1178.
  3. Васильев В.П., Мамонтов М.Н., Быков М.А. Термодинамические свойства и устойчивость твердых растворов системы CdTe-HgTe-Te // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 2, химия. – 1990. – Т.31, №3. – С. 211–218.
  4. Богобоящий В.В. Особенности прыжковой проводимости кристалов p-Hg0,78Cd0,22Te при двойном легировании // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т.36, №1. – С. 29–36.
  5. Курило И.В., Бекеша С.Н., Островская А.С. Морфология и особенности структуры кристаллов CdxHg1-xTe, полученных методом химических транспортных реакций // Неорганические материалы. – 1993.–Т.29, №8. – С. 1157–1159.
  6. Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование электрофизических свойств CdxHg1-xTe // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, № 7. – С. 784–791.
  7. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Фреїк Д.М., Жуковські П.В. Точкові дефекти твердого розчину CdxHg1-xTe // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 4.– С. 792–798.
  8. Дмитрів А.М. Точкові дефекти та їх компенсація у меркурій телуриді // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т.6, №2. –С.287–294.
  9. Krause R., Klimakow A., Kiessling F., Polity A., Gille P., Schenk M. Study of Hg vacancies in (Hg, Cd)Te after thm growth and postgrowth annealing by positron annihilation // J. Cryst. Growth. – 1990. – V. 101. – P. 512–516.
  10. Krause-Rehberg R., Leipner H., Abgarjan T., Polity. Review of defect investigations by means of positron annihilation in II-VI compound semiconductors // Applied Physics A. – 1998. – V. 66. – P. 599–614.

Published

2010-05-28

How to Cite

Дмитрів, А. М., & Сав’як, О. Л. (2010). Inversion of type of conductivity in firm solutions CdxHg1-xTe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(7(45), 32–36. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2860