Біо/ неорганічні наногібриди L-аспарагінової кислоти: отримання, властивості, застосування

Автор(и)

  • Федір Олегович Іващишин Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013, Україна
  • Роман Ярославович Швець Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013, Україна
  • Іван Іванович Григорчак Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013, Україна
  • Анатолій Іванович Кондир Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013, Україна
  • Андрій Сергійович Курепа Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19689

Ключові слова:

інтеркаляція, шаруваті напівпровідники, галій селен, індій селен, окислений графіт, L-аспарагінова кислота, дублетноматрична структура

Анотація

Синтез дублетноматричних структур GaSe<LАК> та InSe<LАК> дозволив отримати значне зростання фоточутливості та появу фотоіндуктивного відгуку. Отримані нові ефекти, які наімовірніше зумовлені резонансним тунелюванням в утвореній наногібридизацією N-бар’єрній структурі. Використання синтезованої структури С<LАК> як катодного матеріалу для Li+-інтеркаляційного струмоутворення забезпечило величину питомої ємності 350 мАгод/г.

Біографії авторів

Федір Олегович Іващишин, Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013

Кандидат технічних наук, науковий співробітник

Кафедра прикладної фізики і наноматеріалознавства

Роман Ярославович Швець, Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013

Аспірант

Кафедра прикладної фізики і наноматеріалознавства

Іван Іванович Григорчак, Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра прикладної фізики і наноматеріалознавства

Анатолій Іванович Кондир, Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра прикладної фізики і наноматеріалознавства

Андрій Сергійович Курепа, Національний університет “Львівська політехніка” Вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013

Кандидат фізико - математичних наук, асистент

Кафедра прикладної фізики і наноматеріалознавства

Посилання

  1. Choy, J. H. Intercalative Route to Heterostructured Nanohybirds / J. H. Choy, S. J. Kwon, G. S. Park // Science. – 1998. – Т. 280. - С. 1589–1592.
  2. Choy, J. H. Intercalative Nanohybrids of Nucleoside Monophosphates and DNA in Layered Metal Hydroxide / J. H. Choy, S. Y. Kwak, J. S. Park, Y. J. Jeong, J. Portier // J. Am. Chem. Soc. – 1999. – Т. 121. - С. 1399–1400.
  3. Гусев, А. И. Эффекты нанокристаллического состояния в компактных металлах и соединениях / А. И. Гусев // Успехи физ. наук. – 1998. – Т. 168(1). – С. 55–83.
  4. Grygorchak, I. I. High frequency capacitor nanostructure formation by intercalation / I. I. Grygorchak, B. O. Seredyuk, K. D. Tovstyuk, B. P. Bakhmatyuk // New Trends in Intercalation Compounds for Energy Storage. – Paris: Kluwer acad. publ. – 2002. - С. 543-545.
  5. Voitovych, S. A. Lateral semiconductive and polymer conductive nanolayered structures: preparation, properties and application / S. A. Voitovych, I. I. Grygorchak, O.I. Aksimentyeva // Mol. Cryst. Liq. Cryst. – 2008. – Т. 497. – С. 55 – 64.
  6. Chevy, A. Large InSe monocrystals grown a non – stoichiometric melt / A. Chevy, A. Kuhn, M. S. Martin // J. Cryst. Growth. – 1977. – Т. 38(1). – С. 118 –122.
  7. Lies, R. M. A. Preparation and cryst. growth material with layered structure / R. M. A. Lies // III – VI Compounds. - Dordrech t–Boston. – 1977. – С. 225 – 254.
  8. Safran, S. A. Stage ordering in intercalation compounds / S.A. Safran // Solid State Physics: Adv. Res. and Appl. – 1987. – Т. 40. – С. 246 – 312
  9. Grigorchak, I. I. On some physical properties of InSe and GaSe semiconducting crystals intercalated by ferroelectrics / I. I. Grigorchak, V. V. Netyaga, Z. D. Kovalyuk // J. Phys.: Condens. Mater. - 1997. - Т. 9. - С. L191 - L195.
  10. Рollak, M. Low frequency conductivity due to hopping processes in silicon / M. Рollak, T. H. Geballe // Phys. Rev. – 1961. - Т. 6. – С. 1743 – 1753.
  11. Олехнович, Н. М. Температурная импеданс-спектроскопия твердых растворов (1-x)Na½Bi½TiO3-xLaMg½Ti½O3 / Н. М. Олехнович, И. И. Мороз, А. В. Пушкарев, Ю. В. Радюш, А. Н. Салак, Н. П. Вышатко, V. M. Ferreira // Физика тверд. тела. – 2008. – Т. 50( 3). – С. 472 - 478.
  12. Михлин, Ю. Л., Томашевич Е. В. Импеданс полупроводникового электрода с прыжковой проводимостью в приповерхностном нестехиометрическом слое / Ю. Л. Михлин, Е. В. Томашевич // Электрохимия. – 1992.– Т. 28(9). – С.1310– 1388.
  13. Pidluzhna, A. Yu. Inorganic Semiconductor – Anion Receptor Supramolecular Complexes / A. Yu. Pidluzhna, F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak [et. All.] // International Scientific Conference “How Science Spies on and Technology Imitates Nature”: Abstracts – Gdańsk(Польща). - 2011. – С. 58.
  14. Bisquert, J. Inductive behaviour by charge-transfer and relaxation in solid-state electrochemistry / J. Bisquert, H. Randriamahazaka, G. Garcia-Belmonte // Electrochimica Acta. – 2005. - Т. 51. - С. 627- 640.
  15. Пенин, Н. А. Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах / Н. А. Пенин // Физика и техника полупроводников. – 1996. – Т. 30(4). - С. 626 – 634.
  16. Mora-Sero, I. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells / I. Mora-Sero, J. Bisquert // Nano Letters. – 2006. – Т. 6(4). - С. 640 – 650.
  17. Жуковский, П. В. Диэлектрические свойства соединений Cd1-xFexSe / П. В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Ю. Шостак, Ю. Сидоренко, А. Родзик // Физ. и техн. полупроводн. – 2000. – Т. 34(10). – С. 1174 – 1177.
  18. Гудкайнд, Дж. Применения сверхпроводимости / Дж. Гудкайнд // Успехи физических наук. – 1972. - Т. 106(3). - С. 505–525.
  19. Burke, P. J. An rf circuit model for carbon nanotubes / P. J. Burke // IEEE Transactions on Nanotechnology. – 2003.- Т. 2(1). – С. 55–58.
  20. Nagelberg, S. Alkali-metal-intercalated transition metal disulfides: A thermodynamic model / S. Nagelberg, W. L. Worrell // Journal of Solid State Chemistry.–1981.– Т.38. – С. 321-334.
  21. McKinnon, W. R. Physical mechanisms of intercalation / W. R. McKinnon, R. R. Haering // Modern Aspects of Eiectrochemistry. – 1983. – Т.15. – С. 235 – 261.
  22. Войтович, C. А. Ієрархічна дублетно-матрична структура C для Li+- та Mg++-інтеркаляційного струмоутворення / C. А. Войтович, І. І. Григорчак, М. В. Матвіїв // Фізична інженерія поверхні. – 2010. – T. 8(1). – С. 43-52.
  23. Кромптон, Т. Первичные источники тока / Т. Кромптон // Пер. с англ. - М. : Мир, 1986. - 328 с.
  24. Кабанов, Б. Н. Катодное внедрение лития в графит, стеклоуглерод и алюминий / Б. Н. Кабанов, А. В. Чекавцев, П. И. Петухова, Н. Н. Томашова, И. Г. Киселев // Электрохимия. - 1986. - Т.22(3). - С.415-417.
  25. Choy, J. H., Kwon, S. J., Park, G. S. (1998). Intercalative Route to Heterostructured Nanohybirds. Science, 280, 1589–1592.
  26. Choy, J. H., Kwak, S. Y., Park, J. S., Jeong, Y. J., Portier, J. (1999). Intercalative Nanohybrids of Nucleoside Monophosphates and DNA in Layered Metal Hydroxide. J. Am. Chem. Soc., 121, 1399–1400.
  27. Gusev, A. I. (1998). The effects of the nanocrystalline state in solids. Physics-Uspekhi, 168(1), 55-83.
  28. Grygorchak, I. I., Seredyuk, B. O., Tovstyuk, K. D., Bakhmatyuk, B. P. (2002). High frequency capacitor nanostructure formation by intercalation. New Trends in Intercalation Compounds for Energy Storage, Kluwer acad. publ., 543 - 545.
  29. Voitovych, S. A., Grygorchak, I. I., Aksimentyeva, O. I. (2008). Lateral semiconductive and polymer conductive nanolayered structures: preparation, properties and application. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 497, 55 – 64.
  30. Chevy, A., Kuhn, A., Martin, M. S. (1977). Large InSe monocrystals grown a non – stoichiometric melt. J. Cryst. Growth., 38(1), 118 –122.
  31. Lies, R. M. A. (1977). Preparation and cryst. growth material with layered structure. III – VI Compounds, Dordrecht–Boston, 225 – 254
  32. Safran, S. A. (1987). Stage ordering in intercalation compounds. Solid State Physics: Adv. Res. and Appl., 40, 246 – 312
  33. Grigorchak, I. I., Netyaga, V. V., Kovalyuk, Z. D. (1997). On some physical properties of InSe and GaSe semiconducting crystals intercalated by ferroelectrics. J. Phys.: Condens. Mater., 9, L191 - L195.
  34. Рollak, M., Geballe, T. H. (1961). Low frequency conductivity due to hopping processes in silicon. Phys. Rev., 6, 1743 – 1753.
  35. Olekhnovich, N. M., Moroz, I. I., Pushkarev, A. V., Radyush, Yu. V., Salak, A. N., Vyshatko, N. P., Ferreira, V. M. (2008). Temperature impedance spectroscopy of (1-x)Na½Bi½TiO3-xLaMg½Ti½O3 solid solutions. Physics of the Solid State, 50 (3), 472 - 478.
  36. Mikhlin, Yu. L., Tomashevich, Ye. V. (1992). Impedance of the semiconductor electrode with a hopping conduction in the surface layer of the non-stoichiometric. Russian Journal of Electrochemistry, 28 (9), 1310– 1388.
  37. Pidluzhna, A. Yu., Ivashchyshyn, F. O., Grygorchak, I. I. (2011). Inorganic Semiconductor – Anion Receptor Supramolecular Complexes. International Scientific Conference “How Science Spies on and Technology Imitates Nature”: Abstracts, 58.
  38. Bisquert, J., Randriamahazaka, H., Garcia-Belmonte, G. (2005). Inductive behaviour by charge-transfer and relaxation in solid-state electrochemistry. Electrochimica Acta, Vol. 51, 627- 640.
  39. Penin, N. A. (1996). A negative capacitance in semiconductor structures. Physics and Technics of Semiconductor, 30 (4), 626 – 634.
  40. Mora-Sero, I., Bisquert, J. (2006). Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells. Nano Letters, 6(4), 640 – 650
  41. Zhukovski, P. V., Partochka, Ya., Vengerak, P., Shestak, Yu., Sidorenko, Yu., Rodzik, A. (2000). Dielectric properties of Cd1−xFexSe compounds. Physics and Technics of Semiconductor, 34 (10), 1174 – 1177.
  42. Goodkind, John. (1972). Applications of Superconductivity. Physics-Uspekhi, 106 (3), 505–525.
  43. Burke, P. J. (2003). An rf circuit model for carbon nanotubes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2 (1), 55–58.
  44. Nagelberg, S., Worrell, W. L. (1981). Alkali-metal-intercalated transition metal disulfides: A thermodynamic model. Journal of Solid State Chemistry, 38, 321-334.
  45. McKinnon, W. R., Haering, R. R. (1983). Physical mechanisms of intercalation. Modern Aspects of Eiectrochemistry, 15, 235 – 261.
  46. Voitovych, S. A., Grygorchak, I. I., Matviiv, M. V. (2010). Hierarchic double-matrix C structure for Li+- and Mg++ intercalation generation of current. Physical Surface Engineering, 8 (1), 43-52.
  47. Krompton, T. (1986). Primary current sources, Mir Publishers, 328.
  48. Kabanov, B. N., Chekavtsev, A. V., Petukhova, P. I., Tomashova, N. N., Kiselev, I. G. (1986). Cathodic introduction of lithium into graphite, glassy carbon and aluminum. Russian Journal of Electrochemistry, 22(3), 415– 417.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-12-28

Як цитувати

Іващишин, Ф. О., Швець, Р. Я., Григорчак, І. І., Кондир, А. І., & Курепа, А. С. (2013). Біо/ неорганічні наногібриди L-аспарагінової кислоти: отримання, властивості, застосування. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 4–10. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19689

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Федір Олегович Іващишин, Роман Ярославович Швець, Іван Іванович Григорчак, Анатолій Іванович Кондир, Андрій Сергійович Курепа

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.