Виготовлення та властивості p-n-переходів на основі Cd1-x Znx Te

Автор(и)

  • Віктор Васильович Брус Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Марія Іванівна Ілащук Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Богдан Миколайович Грицюк Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Орест Архипович Парфенюк Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Павло Дмитрович Мар’янчук Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19690

Ключові слова:

CdTe, p-n-переходи, лазер, випромінювання, випаровування, дифузія, рекомбінація, вакансії, струмопереніс, сигнал

Анотація

Проведено дослідження електричних властивостей напівпровідникових p-n-переходів, створених при опроміненні кристалів Cd1-x ZnxTe  імпульсами потужного лазерного випромінювання. Встановлено, що створені структури відносяться до різких p-n-переходів, ВАХ  яких визначається генераційно-рекомбінаційними процесами як в ОПЗ, так і на межі розділу рекристалізованого шару   та об’єму напівпровідника.

Біографії авторів

Віктор Васильович Брус, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат технічних наук, асистент

Кафедра електроніки і енергетики

Марія Іванівна Ілащук, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, асистент

Кафедра електроніки і енергетики

Богдан Миколайович Грицюк, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра радіотехніки і інформаційної безпеки

Орест Архипович Парфенюк, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор

Кафедра електроніки і енергетики

Павло Дмитрович Мар’янчук, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра електроніки і енергетики

Посилання

  1. Zanio, K. R. Cadmium telluride [Текст] / K. R. Zanio // Semiconductors and Semimetals. Academic Press, New York, 1978 – V.13. – р. 236
  2. Шкумбатюк, П. С. Формирование барьерных структур при непрерывном лазерном облучении широкозонных материалов АIIBVI [Текст] / П.С. Шкумбатюк // Неорганические материалы. – 1999 – Т.35(№9) – С. 1045-1047.
  3. Medvid, A. Two-stage model of nanocone formation on a surface of elementary semiconductors by laser radiation [Текст] / A. Medvid, P. Onufrijevs, G.Mozolevs kis, E. Dauksta, R. Rimsa // Nanoskale Research Letter – 2012 – V.7 – P. 428-514.
  4. Huang, Y. Multifunctional characteristics of BaNb0.3Ti0.7O3/Si p-n junctions [Текст] / Y.Huang, K. Zhao, H. Lu, K. Jin, M. He, Z. Chen, Y. Zhou, G. Yang //Appl. Phys. Let. – 2006. – V.88. – P.0619119.
  5. Шульпина, И. Л. Тепловое воздействие импульсного лазерного излучения на реальную структуру монокристаллов CdTe [Текст] / И. Л. Шульпина, Н. К. Зеленина, О. А. Матвеев // ФТТ. – 2000. –Т.42(3) – С. 548-552
  6. Байдулаева, А. Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсами лазерного излучения [Текст] / А. Байдулаева, М. Б. Булах, А. И. Власенко, А. В., Ломовцев, П. Е. Мозоль // ФТП.– 2004. – Т.38(1). – С.26-29
  7. Байдулаева, А. Изменение структуры дефектов в монокристаллах p-CdTe при прохождении лазерной ударной волны [Текст]./ А. Байдулаева, А. И. Власенко, Б. Л. Горковенко, А. В. Ломовцев, П. Е. Мозоль // ФТП – 2000 – Т.34(4) – С.443-446.
  8. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов [Текст] / С. М. Зи – М.: « Энергия », 1973 – 655с.
  9. Бабенцов, В. И. Воздействие лазерного облучения на структурные и рекомбинационные свойства монокристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. И. Бабенцов, А. Байдулаева, М.Б. Булах, С.И. Горбань, П.Е. Мозоль // Поверхность. Физика, химия, механика –1988.– вып.12.– С. 144-147.
  10. Матвеев, О. А. Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов [Текст] / О. А. Матвеев, А. И. Терентьев –ФТП.– 2000.–Т. 34(11) – С.1316-1322.
  11. Zanio, K. R. (1978) Cadmium telluride. Semiconductors and Semimetals. Academic Press, 13, 236.
  12. Shkubatyuk, P. S. (1999). The fabrication of barrier structures by a continuous laser illumination of wide band gap АIIBVI semiconductors. Inorganic materials, 35(9), 1045-1047.
  13. Medvid, A., Onufrijevs, P., Mozolevskis, G., Dauksta, E., Rimsa, R. (2012). Two-stage model of nanocone formation on a surface of elementary semiconductors by laser radiation. Nanoskale Research Letter, 7, 428-514.
  14. Huang, Y., Zhao, K., Lu, H., Jin, K., He, M., Chen, Z., Zhou, Y., Yang, G. (2006). Multifunctional characteristics of BaNb0.3Ti0.7O3/Si p-n junctions. Appl. Phys. Let., 88, 0619119.
  15. Shulpina, I. L., Zelenina, N. K., Matveev, O. A. (2000). Thermal effect of pulsed laser illumination on the real structure of CdTe single crystals. Semiconductors, 42(3), 548-552.
  16. Baydulaiva, A., Bulah, M. B., Vlasenko, А. I., Lomovtsev, А. В., Mozol, P. E. (2004). The dynamics of the formation of barrier structures in p-CdTe crystals under pulsed laser illumination. Semiconductors, 38(1), 26-29.
  17. Baydulaiva, A., Vlasenko A. I., Gokovenko B. L., Lomovtsev A. B., Mozol P. E. (2000). The measurements of structure defects in p-CdTe single crystals under the effect of laser shock wave. Semiconductors, 34(4), 443-446.
  18. Sze, C. M. Physics of semiconducting devices. ”Energiya”, 1973, 655.
  19. Babentsov, V. I., Baydulaiva, A., Bulah, M. B., Gorban, S. I., Mozol, P.E. (1988). Te effect of laser illumination on structure and recombination properties of single crystalline CdTe. Poverhnost. Fizika, hivia, mehanika, 12, 144-147.
  20. Matveev, O. A., Terentev, A. I. (2000). The fundamental principles of the series annealing of CdTe:Cl sample for the preparation of semiisolating crystals. Semiconductors, 34(11), 1316-1322.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-01-04

Як цитувати

Брус, В. В., Ілащук, М. І., Грицюк, Б. М., Парфенюк, О. А., & Мар’янчук, П. Д. (2014). Виготовлення та властивості p-n-переходів на основі Cd1-x Znx Te. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 107–109. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19690

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Віктор Васильович Брус, Марія Іванівна Ілащук, Богдан Миколайович Грицюк, Орест Архипович Парфенюк, Павло Дмитрович Мар’янчук

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.