Вплив ізовалентної домішки Ca на властивості ZnSe<Al>
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19733Ключові слова:
селенід цинку, ізовалентна домішка кальцію, люмінесценція, фоточутливістьАнотація
Досліджено властивості легованих ізовалентною домішкою Ca шарів на основі ZnSe<Al> і можливості їх практичного використання. Встановлено, що легування ізовалентною домішкою дозволяє отримувати низькоомні шари р-типу провідності на базовому матеріалі електронної провідності. Вони характеризуються високоефективною люмінесценцією в крайовій області і утворюють фоточутливі p-n-переходи.
Посилання
- Морозова, Н. К. Селенид цинка. Получение и оптические свойства [Текст] / Н. К. Морозова. – М.: Металлургия, 1992. – 70 с.
- Абрикосов, Н. Х. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе[Текст] / Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, Л. В. Порецкая и др. – М.: Наука, 1975. – 220 с.
- Калинкин, И. П. Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI [Текст]/ И. П. Калинкин, В. Б. Алексовский, А. В. Симашкевич. – Ленинград. Изд-во Ленинград. ун-та, 1978. − 310 с.
- Недеогло, Д. Д. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка [Текст] / Д. Д. Недеогло, А. В. Симашкевич. – Кишинев: Штиинца, 1984. – 150 с.
- Баранский, П. И. Полупроводниковая электроника. Справочник [Текст] / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. – К.: Наукова думка, 1975. – 704 с.
- Рыжиков, В. Д. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений АIIBVI. Получение, свойства, применение [Текст] / В. Д. Рыжиков. – М.: НИИТЭХИМ, 1989. – 125 с.
- Слетов, М. М. Краевая люминесценция селенида цинка, легированного изовалентной примесью магния [Текст] / М. М. Слетов // Письма в ЖТФ. – 2001. – Т. 27(2). – С. 48-50
- Makhniy, V. P. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters [Text] / V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, E. V. Stets, I. V. Tkachenko, V. V. Gorley, P. P. Horley // Thin Solid Films. – 2004. – Vol. 450. – P. 222-225.
- Медведев, С. А. Физика и химия АIIBVI [Текст]/ Под ред. С. А. Медведева. – М.: Мир, 1970. – 624 с.
- Koh Era. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation [Text] / Era Koh, D. W. Langer // J. Luminescence. – 1970. – Vol. 1-2. – P. 514-527.
- Грибковский, В. П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках [Текст]/ В. П. Грибковский. – Минск: Наука и техника, 1975. – 464 с.
- Morozova, N. K. (1992). Zinc selenide. Obtaining and optical properties. Moscow, USSR: Metallurgy, 70.
- Abrikosov, N. Kh., Bankina, V. F., Porezkaya, L. V. and others. (1975). Semiconductor chalcogenides and their alloys. Moscow, USSR: Nauka, 220.
- Kalinkin, I. P., Aleksovckii, V. B., Simashkevich, A. V. (1978). Epitaxial films of АIIВVI compounds. Leningrad, USSR: Leningrad university publishing, 310.
- Nedeoglo, D. D., Simashkevich A. V. (1984). Electrical and luminescent properties of zinc selenide. Kishenev, USSR: Shtiintsa, 150.
- Baransky, P. I., Klochkov, V. P., Potykevich, I. V. (1975). Solid-state electronics. Reference book. Kiev, USSR: Naukova Dumka, 704.
- Ryzhikov, V. D. (1989). Scintillation crystals of semiconductor compounds АIIBVI. Preparation, properties, applications. Moscow, USSR: NIITEKHIM, 125.
- Slyotov, М. М. (2001). Edge luminescence of zinc selenide doped by magnesium isovalent impurity. Technical Physics Letters, 27 (2), 48-50.
- Makhniy, V. P., Slyotov, M. M., Stets, E. V. and others. (2004). Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters. Thin Solid Films, 450, 222-225.
- Medvedev, S. A. (1970). Physics and Chemistry of АIIBVI. Moscow, USSR: Mir, 624.
- Koh, Era, Langer, D. W. (1970). Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation. J. Luminescence, 1-2, 514-527.
- Gribkovskii, V. P. (1975). The theory of light absorption and emission in semiconductors. Minsk, USSR: Science and Technology, 464.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Михайло Михайлович Сльотов, Іванна Іванівна Герман, Олексій Михайлович Сльотов, Василь Васильович Косоловський
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
