Modern laser solidphase technological processes in submicronic GIC technology
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2865Keywords:
laser-stimulated diffusion, solidphase processes, silicon, gallium arsenide, GICAbstract
The physical processes during the laser-stimulated solidphase diffusion of impurity into the semiconductor materials and metals were examined. It was substantiated the application possibility of these processes for solving the specific tasks of semiconductor electronics.References
- Валиев К.А. Микроэлектронные достижения и пути развития. – М: Наука – 1986 – 205с.
- Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС – Івано-Франківськ: Сімик – 2003 – 351с.
- Волков В.А. Современные проблемы сборки и герметизации микроэлектронных устройств//Электронная промышленность – 1990 - №2, с 11-14.
- Никифорова-Денисова С.Н., Пименов С.А., Хитро Е.П. Снижение дефектности в кремниевых пластинах с помощью лазерного гетерирования//Электронная техника, с.Микроэлектроника – 1989 – вып 4(133) – с 24-27.
- Курило І.В., Новосядлий С.П. Фізико-хімічні особливості субмікронної оптичної літографії ВІС//Вісник ДУ “Львівська політехніка”. Хімія, технологія речовин та їх застосування. – 2000 - №390 – с 51-54.
- Новосядлий С.П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур ВІС// Металофізика і новітні технології – 2002 – Т24, №6 – с 777-794.
- Новосядлий С.П. Шляхи підвищення роздільної здатності проекційної літографії// Металофізика і новітні технології – 2002 – Т24, №8 – с 1073-1082.
- Новосядлий С.П., Возняк Ю.В., Сорохтей Т.Р. Фізико-технологічні особливості формування комплементарних арсенід-галієвих субмікронних структур ВІС// Збірник наукових праць 2-ої міжнародної конференції “Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития” – Харків – 2009 – с 111-113.
- Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Багатозарядна радіаційна імплантація при формуванні SOI-структур//Фізика і хімія твердого тіла/ - 2008. – Т9, №3 с 659-667.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Copyright (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Андрій Іванович Терлецький, Оксана Богданівна Фрик
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.
A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.
