Розробка технології надпровідної багаторівневої розводки в швидкісних GaAs-структурах ВІС/НВІС
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2018.123143Ключові слова:
комплементарні структури, епітаксія, інтегральні схеми, карбонові плівки, надпровідність, магнетронне осадженняАнотація
Розглянуто технологічні аспекти використання надпровідних матеріалів та показано можливість виготовлення мішеней для магнетронного осадження плівок для формування кріопровідної розводки в структурах ВІС на основі GaAs. Визначені технологічні методи і режими осадження та розроблено високоефективну технологію виготовлення кріосплавів на основі Al, Nb, V з домішками Si, Ge та РЗМ та магнетронного формування надпровідних плівок із сплавів алюмінію, ніобію та ванадію
Посилання
- Hezel, R. (2013). Silicon Nitride in Microelectronics and Solar Cells. Springer Science & Business Media, 401.
- Edwards, P. (2012). Manufacturing Technology in the Electronics Industry: An introduction. Springer Science & Business Media, 248.
- Colinge, J. P., Colinge, C. A. (2007). Physics of Semiconductor Devices. Springer Science & Business Media, 436.
- Salazar, K., Marci, K. (2012). Mineral commodity summaries. U.S. Geological Survey, Reston, Virginia, 58–60.
- Naumov, A. V. (2005). Obzor mirovogo rynka arsenida galliya. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoy apparature, 6, 53–57.
- Kameineni, V. K., Raymond, M., Bersch, E. J., Doris, B. B. (2010). GaAs structures with a gate dielectric based on aluminum-oxide layers. J. of Appl. Phys., 107, 093525.
- Yoshida, T., Hashizume, T. (2012). Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors. Appl. Phys. Lett., 101, 102.
- Ossi, P. M., Miotello, A. (2007). Control of cluster synthesis in nano-glassy carbon films. Journal of Non-Crystalline Solids, 353 (18-21), 1860–1864. doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.02.016
- Pizzini, S. (2015). Physical Chemistry of Semiconductor Materials and Processes. John Wiley & Sons. doi: 10.1002/9781118514610
- Kogut, I. T., Holota, V. I., Druzhinin, A., Dovhij, V. V. (2016). The Device-Technological Simulation of Local 3D SOI-Structures. Journal of Nano Research, 39, 228–234. doi: 10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.228
- Rowell, J. M., Track, E. K., Brock, D. K. (2000). Superconductor ICs: the 100-GHz second generation. IEEE Spectrum, 37 (12), 40–46. doi: 10.1109/6.887595
- Alfeev, V. N. (1985). Integral'nye skhemy i mikroelektronnye ustroystva na sverhprovodnikah. Moscow: Radio i svyaz', 232.
- Weinstock, Н. (Ed.) (2000). Applications of superconductivity. Springer. doi: 10.1007/978-94-017-0752-7
- Merkulov, A. I., Merkulov, V. A. (2013). Osnovy konstruirovaniya integral'nyh mikroskhem. Samara: SGAU, 242.
- Shmidt, V. V. (2000). Vvedenie v fiziku sverhprovodnikov. Moscow: MCNMO, 402.
- Parinov, I. A. (2012). High-Temperature Superconductors. Overview. Microstructure and Properties of High-Temperature Superconductors. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 73–124. doi: 10.1007/978-3-642-34441-1_2
- Malik, M. A., Malik, B. A. (2014). High Temperature Superconductivity: Materials, Mechanism and Applications. Bulg. J. Phys., 41, 305–314.
- Novosiadlyi, S. P. (2010). Sub- i nanomikronna tekhnolohiya struktur VIS. Ivano-Frankivsk: Misto NV, 455.
- Novosiadlyi, S. P., Terletskyi, A. I. (2016). Diahnostyka submikronnykh struktur VIS. Ivano-Frankivsk: Simyk, 478.
- Novosyadlyj, S., Dzundza, B., Gryga, V., Novosyadlyj, S., Kotyk, M., Mandzyuk, V. (2017). Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3 (5 (87)), 54–61. doi: 10.15587/1729-4061.2017.104563
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2018 Stepan Novosiadlyi, Myhaylo Kotyk, Bogdan Dzundza, Volodymyr Gryga, Sviatoslav Novosiadlyi, Volodymyr Mandzyuk
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
