Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруванням

Автор(и)

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000, Україна
  • Тарас Петрович Кіндрат Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000, Україна
  • Любомир Володимирович Мельник Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000, Україна
  • Василь Миколайович Варварук Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.16660

Ключові слова:

арсенід галію, омічний контакт, іонна імплантація, іонне фрезерування, іонно-променеве травлення

Анотація

Описано основи іонного фрезерування, методи іонно-променевої обробки в літографії, переваги та недоліки в порівнянні із іншими методами, отримано структури ВІС на GaAs із другим рівнем металізації, виконаним за допомогою іонно-променевого травлення через маску із фоторезистом. Досліджено ефективність після імплантаційного відпалу іонним пучком в порівнянні із термічним відпалом

Біографії авторів

Степан Петрович Новосядлий, Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000

Доктор технічних наук, професор

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Тарас Петрович Кіндрат, Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000

Аспірант

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Любомир Володимирович Мельник, Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000

Аспірант

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Василь Миколайович Варварук, Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна,76000

Аспірант

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Посилання

  1. Новосядлий, С. П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий // Івано-Франківськ, Місто НВ. – 2010. - 254с.
  2. Шур, М. Современные приборы на арсениде галлия [Текст]/ М. Шур. – М.: Мир. - 1991.- 628 с.
  3. Афанасьев, В. А. Оборудование для импульсной термообработки ПД нейтронная техника Сер 1 [Текст] / В. А. Афанасьев, М. П. Духновский. Т. А. Крысев Электроника СВЧ. - 1984. - Вып. 12. - С. 24-29.
  4. Новосядлий, С. П. Технологічні особливості, формування шаруватих наноструктур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2008, № 44. – C. 32 - 38.
  5. Новосядлий, С. П. Джерела іонів для формування шаруватих структур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський // Прикарпатський вісник НТШ. – 2008 – № 1. – С. 151– 158.
  6. Ди Лоренцо, Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления БИС [Текст] : пособие / Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. Пер. с анг. – М: Радио и связь. - 1988. - 49с.
  7. Новосядлий, С. П. Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі ТС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук, С. М. Вертепний // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2009. – № 117 С. –26-29.
  8. Новосядлий, С. П. Багатозарядна радикальна імплантація при формуванні SOI- структур [Текст] / С. П. Новосядлий В. М. Вівчарук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т9, № 3. - С. 659-667.
  9. Новосядлий, С. П. Багатозарядна іонно-імплантаційна обробка при формуванні кишень і металізації субмікронних структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський // Металофізика і новітні технології. – 2007. - т. 29, №7. - С. 857-866.
  10. Авас, Н. А. Основы микроэлектроники [Текст] : учеб. / Н. А. Авас, Ю. Е. Наумов, В. Т. Фролкин. –М: Радио и связь. – 1999. - С. 64-67.
  11. Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub-structures and nano-mikron technology VIS. Ivano-Frankivsk NV, 254.
  12. Shur, M. (1991) Modern instrumentation for arsenyde hallyya, 628.
  13. Afanasiev, V. A. (1984) Equipment for heat treatment of PD pulse neutron technology, 12, 24-29.
  14. Novosyadlyy, S. P. (2008). Technological features, the formation of layered nanostructures. Eastern European journal of advanced technology., 44(08), 32 - 38.
  15. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M. (2008). Ion source to form layered structures. Carpathian Journal of Scientific Society, 1(08), 151 - 158.
  16. Di Lorenzo, D., Kandeluola, D. D. (1988). Field-effect transistors on gallium arsenide. Principles and technology of LSI, 49.
  17. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M., & Vertepnyh, S. M. (2009). Simulation submicron and nano-based TS. Eastern European Journal of Advanced Technologies, 117(09), 26-29.
  18. Novosyadlyy, S. P., Vivcharuk, V. M. (2008). Multiply radical implantation in the formation of SOI-structures. Physics and Chemistry of Solids, 3(08), 659-667.
  19. Novosyadlyy, S. P., Berezhansky, V. M. (2007). Multiply charged ion-implantation processing in the formation of pockets and metallization submicron VLSI structures. Metal Physics and the latest technology, 7(07), 857-866.
  20. Awas, N. A., Naumov, J. E., Frolkin, V. T. (1999). Fundamentals of Microelectronics, 64-67.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-07-30

Як цитувати

Новосядлий, С. П., Кіндрат, Т. П., Мельник, Л. В., & Варварук, В. М. (2013). Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруванням. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(64), 3–6. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.16660

Номер

Том 4 № 5(64) (2013): Прикладна фізика

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Тарас Петрович Кіндрат, Любомир Володимирович Мельник, Василь Миколайович Варварук

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.