Вплив домішки Cr2O3 на ширину забороненої зони тонких плівок TiO2

Автор(и)

  • Віктор Васильович Брус Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Андрій Ігорович Мостовий Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Павло Дмитрович Мар’янчук Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19695

Ключові слова:

ТіО2, Cr2O3, оптичні властивості, легування, конвертний метод, домішка, ширина зони, тонка плівка, коефіцієнт поглинання, показник заломлення

Анотація

Використовуючи метод електронно-променевого випаровування напилено тонкі плівки ТіО2 та ТіО2:Cr2O3 (вміст Cr2O3 – 1%, 3% мол.) в універсальній вакуумній установці Lеybold – Heraeus L560. Спектри пропускання отримано за допомогою спектрофотометра СФ-2000. За допомогою конвертного методу визначено ширину забороненої зони тонких плівок ТіО2 та ТіО2:Cr2O3 та спектральні залежності їх оптичних коефіцієнтів. 

Біографії авторів

Віктор Васильович Брус, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат технічних наук, асистент

Кафедра електроніки і енергетики

Андрій Ігорович Мостовий, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Аспірант

Павло Дмитрович Мар’янчук, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра електроніки і енергетики

Посилання

  1. Brus, V.V. Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe [Text] / V. V. Brus, M. I. Ilashchuk, Z. D. Kovalyuk, P. D. Maryanchuk, K. S. Ulyanytsky // Semiconductor Science and Technology. – 2011. – Vol. 26. – 125006.
  2. Barrera, М. Antireflecting–passivating dielectric films on crystalline silicon solar cells for space applications [Text] / M. Barrera, J. Pla, C. Bocchi, A. Migliori // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2008. – Vol. 92, Is. 9. – рр. 1115-1122.
  3. Brus, V.V. Surface–barrier heterojunctions TiO2/CdZnTe [Text] / V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.A. Parfenyuk. // Semiconductor Science and Technology. – 2013. – Vol. 28. – 015014.
  4. Jantson,T. Nanocrystalline Cr2O3–TiO2 thin films by pulsed laser deposition [Text] / T. Jantson, T. Avarmaa, H. M¨andar, T. Uustare, R. Jaaniso // Sensors and Actuators. – 2005. – Vol. 109. – pp. 24-31.
  5. Солован, М.Н. Электрические и оптические свойства тонких пленок TiO2 и TiO2:Fe [Текст] / М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк // Неорганические материалы. – 2012. – Том 48, Вип. 10. – С. 1154 - 1160.
  6. Diebold U. The surface science of titanium dioxide [Text] / U. Diebold // Surface Science Reports. – 2003. – Vol. 43. – P. 53-229.
  7. Carp O. Photoinduced reactivity of titanium dioxide [Text] / O. Carp, C.L. Husiman, A. Reller // Progress in Solid State Chemistry. – 2004. – Vol. 32. – P. 33-177.
  8. Jeong S.-H. Charachterization of SiO2 and TiO2 films prepared using rf magnetron sputtering and their application to anti-reflection coatings [Text] / S.-H. Jeong, J.-K. Kim, B.-S. Kim, S.-H. Shim, B.-T. Lee // Vacuum. – 2004. – Vol. 76. – P. 507-515.
  9. Chong L.H. The structural and electric properties of thermally grown TiO2 thin films [Text] / L.H. Chong, K. Mallik, C.H. Groot, R. Kersting // J. Phys: Condens. Matter. – 2006. – Vol. 18. – P. 645-657.
  10. Murakami M. Combinatorial fabrication and characterization of ferromagnetic Ti–Co–O system [Text] / M. Murakami, Y. Matsumoto, M. Nagno, T. Hasegawa, M. Kawasaki, H. Koinuma // Applied Surface Science. – 2004. – Vol. 223. – P. 245-248.
  11. Sanchez-Gonzalez, J. Determination of optical properties in nanostructured thin films using the Swanepoel method [Text] / J. Sanchez-Gonzalez, A. Diaz-Parralejo, A. L. Ortiz // Applied Surface Science. – 2006. – Vol. 252. – pp. 6013-6017.
  12. Мостовий, А. І. Оптичні властивості TiO2:Mn до і після термічної обробки [Текст] / А. І. Мостовий, П. Д. Мар'янчук, В. В. Брус // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2012. – Том. 56, Вип. 2/13. – С. 19-22.
  13. Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников [Текст] / Ю. И. Уханов – М.: Наука, 1977. – 368 с.
  14. Brus, V. V. Comparison of optical properties of TiO2 thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques [Text] / V. V. Brus, Z. D. Kovalyuk, O. A. Parfenyuk, N. D. Vakhnyak // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. – 2011. – Vol. 14(4). – pp. 27-432.
  15. Eiamchai, P. A spectroscopic ellipsometry study of TiO2 thin films prepared by ion-assisted electron-beam evaporation [Text] / P. Eiamchai, P. Chindaudom, A. Pokaipisit, P. Limsuwan // Current Appl. Phys. – 2009. Vol.9. – pp. 707-712.
  16. Brus, V. V., Ilashchuk, M. I., Kovalyuk, Z. D., Maryanchuk, P. D., Ulyanytsky, K. S. (2011). Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe. Semiconductor Science and Technology, 26, 125006.
  17. Barrera, М., Pla, J., Bocchi, C., Migliori, A. (2008). Antireflecting–passivating dielectric films on crystalline silicon solar cells for space applications. Solar Energy Materials and Solar Cells, 92(9), 1115-1122.
  18. Brus, V.V., Ilashchuk, M. I., Kovalyuk, Z. D., Maryanchuk, P. D., Parfenyuk, O.A. (2013). Surface–barrier heterojunctions TiO2/CdZnTe. Semiconductor Science and Technology, 28, 015014.
  19. Jantson, T., Avarmaa, T., M¨andar, H., Uustare, T., Jaaniso, R. (2005). Nanocrystalline Cr2O3–TiO2 thin films by pulsed laser deposition. Sensors and Actuators, 109, 24-31.
  20. Solovan, М.М., Maryanchuk, P.D., Brus, V.V., Parfenyuk, O.A. (2012). Electrical and optical properties of thin films of TiO2 and TiO2:Fe. Inorganic Materials, 48(10), 1026-1032.
  21. Diebold U. (2003). The surface science of titanium dioxide. Surface Science Reports, 43, 53-229.
  22. Carp O., Husiman C.L., Reller A. (2004). Photoinduced reactivity of titanium dioxide. Progress in Solid State Chemistry, 32, 33-177.
  23. Jeong S.-H., Kim J.-K., Kim B.-S., Shim S.-H., Lee B.-T. (2004). Charachterization of SiO2 and TiO2 films prepared using rf magnetron sputtering and their application to anti-reflection coatings. Vacuum, 76, 507-515.
  24. Chong L.H., Mallik K., Groot C.H., Kersting R. (2006). The structural and electric properties of thermally grown TiO2 thin films. J. Phys: Condens. Matter, 18, 645-657.
  25. Murakami M., Matsumoto Y., Nagno M., Hasegawa T., Kawasaki M., Koinuma H. (2004). Combinatorial fabrication and characterization of ferromagnetic Ti–Co–O system. Applied Surface Science, 223, 245-248.
  26. Sanchez-Gonzalez, J., Diaz-Parralejo, A., Ortiz, A.L. (2006). Determination of optical properties in nanostructured thin films using the Swanepoel method. Applied Surface Science, 252, 6013-6017.
  27. Mostovyi, A.I., Brus, V.V., Maryanchuk, P. D. (2012). Optical properties of TiO2:Mn before and after thermal treatment. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 56(2/13), 19-22.
  28. Ukhanov, Yu.I. (1977). Optical Properties of Semiconductors, Moscov: Nauka, 368.
  29. Brus, V. V., Kovalyuk, Z.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak N.D. (2011). Comparison of optical properties of TiO2 thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques. Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 14(4), 427-432.
  30. Eiamchai, P., Chindaudom, P., Pokaipisit, A., Limsuwan, P. (2009). A spectroscopic ellipsometry study of TiO2 thin films prepared by ion-assisted electron-beam evaporation Current Appl. Phys, 9. 707-712.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-12-28

Як цитувати

Брус, В. В., Мостовий, А. І., & Мар’янчук, П. Д. (2013). Вплив домішки Cr2O3 на ширину забороненої зони тонких плівок TiO2. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 15–18. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19695

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Віктор Васильович Брус, Андрій Ігорович Мостовий, Павло Дмитрович Мар’янчук

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.